【为了我们的客户，旧公司名称在产品目录等资料4月1日st2010年， NEC电子公司合并，瑞萨科技公司】,IC型号2SC5338-T1,2SC5338-T1 PDF资料,2SC5338-T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

为了我们的客户，

旧公司名称在产品目录等资料

4月1日

2010年， NEC电子公司合并，瑞萨科技

公司和瑞萨

电子公司

接手两者的所有业务

公司。

因此，尽管老公司的名称仍然是这个文件中，它是一种有效的

瑞萨

电子文档。我们感谢您的理解。

瑞萨电子网站： http://www.renesas.com

4月1日

, 2010

瑞萨电子公司

由...发出：

瑞萨电子公司

（ http://www.renesas.com ）

任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。

通告

本文档中包含的所有信息为发出该文件的日期。这样的信息，但是，是

如有更改，恕不另行通知。购买或使用本文中列出的任何瑞萨电子的产品，请前

确认与瑞萨电子销售办事处最新的产品信息。另外，请大家定期和仔细注意

另外，不同的信息由瑞萨电子披露，例如，通过我们的网站上披露。

瑞萨电子不承担侵权的专利，版权或其他知识产权的任何法律责任

第三方通过或从使用瑞萨电子的产品或本文档中描述的技术信息而引起。

没有许可证，明示，暗示或其他，是任何专利，版权或其他知识产权授予兹

瑞萨电子或其他人。

你不应该改变，修改，复制或以其他方式侵占瑞萨电子产品，不论是全部或部分转载。

仅被提供的电路，软件和本文件中的相关信息的描述来说明的操作

半导体产品和应用实例。你是全权负责这些电路，软件的结合，

而在你的设备的设计资料。瑞萨电电子不承担任何损失承担任何责任

你还是从使用这些电路，软件以及相关信息而产生的第三方。

当出口本文档中描述的产品或技术，你应该遵守适用的出口管制

法律，法规，并按照这些法律和法规规定的程序。你不应该使用瑞萨

电子产品或本文档中用于与军事应用或使用的任何用途中描述的技术

军队，包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品

技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造，使用或禁止出售

根据任何适用的国内或外国的法律或法规。

瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息，使用合理的照顾，但瑞萨电子

不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任

招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。

瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为： “标准” ， “高品质” ，而

“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级，

如下所示。在特定的使用它之前，你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级

应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序

瑞萨电子的书面同意。此外，您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序

它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子，不得以任何方式

从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任

应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面

瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ，除非另有

在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定

电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频

设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。

“高品质” ：运输设备（汽车，火车，船舶等） ;交通控制系统;防灾系统;反

犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。

“具体” ：

飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或

生命支持系统（如人工生命支持设备或系统），外科手术植入，或保健

介入治疗（如切除等），并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。

您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内，

特别是相对于最大额定值，工作电源电压范围，移动电源电压范围时，热辐射

特点，安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或

由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。

本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性，半导体产品有

具体特点，如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外，

瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施，

防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性，并伤害或损坏

瑞萨电子产品，如安全性设计的硬件和软件，包括但不限于冗余，火

控制和故障的预防，对于老化降解或任何其他适当的措施，适当的治疗。因为

单独微机软件的评价是非常困难的，请评价最终产品或系统的安全性

由你制造的。

请联系瑞萨电子销售办事处联系，以环境问题，如环境

每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用

该规范的受控物质列入或使用，包括但不限于欧盟RoHS法规

指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任

适用法律和法规。

本文不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，瑞萨没有事先书面同意

电子产品。

如果需要了解关于本资料的任何问题，请联系瑞萨电子销售办事处

文档或瑞萨电子的产品，或者如果您有任何疑问。

“标准” ：

10.

11.

12.

（注1 ） “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-

资子公司。

（注2 ） “瑞萨电子的产品（S ） ”，是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。

数据表

NPN硅晶体管RF

2SC5338

NPN硅射频晶体管

高频率的低失真放大器

4 - Pin电源Minimold

特点

高增益：

21e

= 10 dB典型值。 @ V

= 5 V，I

= 50 mA时， F = 1 GHz的

低失真，低电压： IM

dB的典型值， IM

dB典型值。 @ V

= 5 V，I

= 50 mA时， V

= 105分贝

V/75

4针电源minimold包从2SC4703提高增益

订购信息

产品型号

2SC5338

2SC5338-T1

QUANTITY

25个（非卷轴）

1千件/卷

杂志案

12mm宽压纹带卷

集电极面对带的穿孔侧

供给方式

备注

如需订购样品评价，咨询公司销售代表。

样本股数量为25个。

绝对最大额定值（T

= +25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

记

评级

2.5

150

1.8

150

+150

单位

°C

英镑

记

安装在16厘米

0.7毫米（t）的陶瓷基板（镀铜）

由于这款产品采用高频技术，避免过多的静电，等等。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件P10940EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2001年8月NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

1996, 2001

2SC5338

电气特性（T

= +25°C)

参数

DC特性

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

射频特性

增益带宽积

插入功率增益

噪声系数

反向传输电容

二阶Intermoduration失真

21e

注2

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

CBO

EBO

注1

= 20 V，I

= 0毫安

= 2 V，I

= 0毫安

= 5 V，I

= 50毫安

–

1.5

250

–

= 5 V，I

= 50毫安

= 5 V，I

= 50 mA时， F = 1 GHz的

= 5 V，I

= 50 mA时， F = 1 GHz的

= 5 V，I

= 0 mA时， F = 1兆赫

= 50毫安，

= 105分贝

V/75

f = 190

90兆赫

= 50毫安，

= 105分贝

V/75

f = 2

190

200兆赫

= 5 V

= 10 V

= 5 V

= 10 V

–

8.5

–

6.0

–

1.0

–

3.5

2.0

–

GHz的

三阶失真Intermoduration

–

注意事项1 。

脉搏测量： PW

≤

350

S，占空比

≤

集电极基极电容，当发射器接地

分类

秩

记号

价值

50至100

80至160

125至250

数据表P10940EJ2V0DS

2SC5338

典型特征（除另有规定外，T

= +25°C)

总功耗

- 环境温度

总功耗P

合计

(W)

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

反向传输电容C

（PF ）

5.0

F = 1 MHz的

3.0

2.0

安装在陶瓷基片

（ 16厘米

0.7毫米（ t））的

1.0

0.5

0.3

100

150

环境温度T

(C)

集电极基极电压V

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

1 000

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

120

100

- 0.7毫安

0.6毫安

0.5毫安

0.4毫安

0.3毫安

0.2毫安

0.1毫安

集电极电流I

（MA ）

100

= 10 V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

集电极电流I

（MA ）

基极至发射极电压V

(V)

集电极到发射极电压V

(V)

直流电流增益主场迎战

集电极电流

500

插入功率增益| S

21e

（ dB）的

插入功率增益

与集电极电流

F = 1 GHz的

= 10 V

直流电流增益

= 10 V

100

0.1

100

1 000

50 70 100

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

数据表P10940EJ2V0DS