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首字符2的型号第140页
> 2SB634
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB634
描述
·采用TO-3封装
·高功耗
应用
·对于低频功率放大器
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-120
-120
-6
-7
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
条件
I
C
= -30mA ;我
B
=0
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-0.3A
V
CB
= -120V ;我
E
=0
民
-120
-120
-6
2SB634
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
典型值。
最大
单位
V
V
V
-1.5
V
集电极截止电流
-0.1
mA
I
EBO
h
FE
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
40
15
-0.1
320
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB634
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB634
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -100V （最小值）
高
功耗
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
-120
V
-120
V
-6
V
-7
A
-10
A
60
W
I
C
集电极电流连续
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
P
C
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB634
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
E
= 0
I
C
= -50mA ;
BE
=
∞
-120
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
-120
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -5mA ;我
C
= 0
-6
V
V
CE
（SAT）
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
-1.5
V
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -80V ;我
E
= 0
-0.1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
h
FE-1
分类
C
40-80
D
60-120
w
E
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
EB
= -4V ;我
C
= 0
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
40
I
C
= -3A ; V
CE
= -5V
20
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
-0.1
mA
320
15
兆赫
F
160-320
100-200
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB634
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -100V （最小值）
高
功耗
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-120
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-120
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-6
V
I
C
集电极电流连续
-7
A
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
-10
A
P
C
60
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB634
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
E
= 0
I
C
= -50mA ;
BE
=
∞
-120
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
-120
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -5mA ;我
C
= 0
-6
V
V
CE
（SAT）
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
-1.5
V
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -80V ;我
E
= 0
-0.1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -4V ;我
C
= 0
-0.1
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
40
320
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -3A ; V
CE
= -5V
20
f
T
电流增益带宽积
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
15
兆赫
h
FE-1
分类
C
40-80
D
60-120
E
100-200
F
160-320
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2SB634
PDF信息
推荐型号
22-28-1365
2SD2386A
2SD2028-6
20020107-H201A01LF
2SC5338-T1
212X01N220RN1
282105-1
2560
24AA01B-E/MC
2SC3709AO
27-21SYGC
2SC5376F
29C532E
28IWR1-12S
2SC3228
2SA495GTM
2SA1786D
2SA1710Q
2SK2637
250U15F501A1NA
供货商
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-
-
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