【SMD型一般的小信号放大器2SC5343UF晶体管IC特点低集电极饱和电压： VCE=0.25V(M】,IC型号2SC5343UF,2SC5343UF PDF资料,2SC5343UF经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

一般的小信号放大器

2SC5343UF

晶体管

特点

低集电极饱和电压： V

=0.25V(Max.)

低输出电容：C

=2pF(Typ.)

1辐射源

2基地

3收藏家

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

150

200

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

输出电容

噪声系数

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

Testconditons

= 100ìA ，我

= 1mA时，我

= 10μA ，我

= 60V ，我

= 5V ，我

= 6V ，我

=2mA

民

0.1

700

0.25

3.5

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

CE （ SAT ）

=100mA/10mA

= 10V ，我

=1mA,

= 10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

= 6V ，我

= 0.1毫安中，f = 1KHz时，R

=10k

分类

记号

秩

的hFE

70 140

120 240

200 400

300 700

www.kexin.com.cn

半导体

2SC5343UF

NPN硅晶体管

描述

一般的小信号放大器

特点

低集电极饱和电压： V

=0.25V(Max.)

低输出电容：C

=2pF(Typ.)

互补配对2SA1980UF

订购信息

型号

2SC5343UF

记号

: h

秩

封装代码

SOT-323F

外形尺寸

单位：

2.0~2.2

0.30~0.40

0.55~0.8

1.2~1.4

1.30 BSC

1.9~2.1

0.06~0.16

KST-3033-004

0~0.1

引脚连接

1.基地

2.辐射源

3.收集

2SC5343UF

绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

Ta=25°C

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

评级

150

200

150

-55~150

单位

°C

电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

Transistion频率

集电极输出电容

噪声系数

Ta=25°C

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

测试条件

= 100μA ，我

= 1mA时，我

= 10μA ，我

= 60V ，我

= 5V ，我

= 6V ，我

=2mA

= 100mA时我

=10mA

= 10V ，我

=1mA

= 10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

= 6V ，我

=0.1mA,

F = 1KHz时， RG = 10KΩ

分钟。典型值。马克斯。

0.1

700

0.25

3.5

单位

兆赫

* : h

排名/ O ： 70 140 ， Y： 120 240 ， G： 200 400 ， L： 300 700

KST-3033-004

2SC5343UF

电气特性曲线

图。 1 P

–T

图。 2我

-V

图。 3我

-V

图。 4小时

-I

图。 5 V

CE （ SAT ）

-I

KST-3033-004

2SC5343UF

这些AUK产品用于使用一般的电子设备（办公室和

通信设备，测量设备，国内电气化等）。

请确保您与我们协商，然后再在equipm-使用这些AUK产品前

ents需要高品质和/或可靠性，并在设备，而可能

主要影响到人类生活（原子能控制，飞机，飞船，交通福利

信号，燃烧中心，所有类型的安全装置，等等）。

AUK不能接受赔偿责任可能发生的情况下，这些AUK产品的任何损坏

用于在上述设备没有与AUK事先咨询。

KST-3033-004

半导体

2SC5343UF

NPN硅晶体管

描述

一般的小信号放大器

特点

低集电极饱和电压： V

=0.25V(Max.)

低输出电容：C

=2pF(Typ.)

互补配对2SA1980UF

订购信息

型号

2SC5343UF

记号

① ② ③

设备

CODE

②hFE

秩

③Year&Week

CODE

封装代码

SOT-323F

外形尺寸

单位：

1.95~2.25

1.20~1.40

1.90~2.10

1.30典型。

0.16最大。

0.10最大。

0.60~0.80.

0.40 MAX 。

引脚连接

1.基地

2.辐射源

3.收集

KSD-T5D018-000

2SC5343UF

绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

Ta=25°C

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

150

200

150

-55~150

单位

°C

电气特性

特征

集电极 - 发射极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

Transistion频率

集电极输出电容

噪声系数

Ta=25°C

符号

首席执行官

CBO

EBO

CE （ SAT ）

测试条件

= 1mA时，我

= 60V ，我

= 5V ，我

= 6V ，我

=2mA

= 100mA时我

=10mA

= 10V ，我

=1mA

= 10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

= 6V ，我

=0.1mA,

F = 1KHz时， RG = 10KΩ

分钟。典型值。马克斯。

3.5

0.1

700

0.25

单位

μA

兆赫

* : h

排名/ O ： 70 140 ， Y： 120 240 ， G： 200 400 ， L： 300 700

KSD-T5D018-000

2SC5343UF

电气特性曲线

图。 1 P

- T

图。 2我

- V

图。 3我

- V

图。 4小时

- I

图。 5 V

CE （ SAT ）

- I

图。 6小时

- I

KSD-T5D018-000

2SC5343UF

该AUK公司产品用于使用在一般的电子元件

设备（办公室和通信设备，测量设备，家用

设备等）。

请确保您与我们协商，然后再使用这些AUK公司产品前

在需要较高的质量和/或可靠性，设备和在设备，而

可能主要影响到人类生活的福利（原子能控制，飞机，

飞船，运输，燃烧控制，所有类型的安全装置，等等）。 AUK

公司不承担责任，以可能发生的情况下，这些AUK公司的任何损害

产品使用在上述设备不与AUK事先协商

公司..

本出版物中提到的规格如有变更，恕不另行通知。

KSD-T5D018-000

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SC5343UF

特点

低集电极饱和电压： V

=0.25V(Max.)

低输出电容：C

=2pF(Typ.)

1辐射源

2基地

3收藏家

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

150

200

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

输出电容

噪声系数

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

Testconditons

= 100ìA ，我

= 1mA时，我

= 10μA ，我

= 60V ，我

= 5V ，我

= 6V ，我

=2mA

民

0.1

700

0.25

3.5

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

CE （ SAT ）

=100mA/10mA

= 10V ，我

=1mA,

= 10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

= 6V ，我

= 0.1毫安中，f = 1KHz时，R

=10k

分类

记号

秩

的hFE

70 140

120 240

200 400

300 700

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

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