飞利浦半导体
初步speci fi cation
PNP通用晶体管
特点
功耗媲美SOT23
低输出电容
低饱和电压V
CESAT
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大50V）时。
应用
通用开关和放大
如电信小型化的应用领域和
多媒体。
手册， halfpage
2PA1774J
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
MAM411
描述
PNP晶体管封装在一个超小型塑料
贴片的SC- 89 （ SOT490 ）封装。
NPN补充： 2PC4617J 。
记号
类型编号
2PA1774JQ
2PA1774JR
2PA1774JS
标识代码
YQ
YR
YS
Fig.1
1
顶视图
2
简化外形（ SC- 89 ; SOT490 ）和
符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
50
50
5
100
200
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年5月4日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
2PA1774JQ
2PA1774JR
2PA1774JS
V
CESAT
C
c
f
T
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
集电极 - 发射极饱和
电压
集电极电容
跃迁频率
I
C
=
50
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
12
V ; F = 1 MHz的
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
12
V;
F = 100 MHz的;注1
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
4
V
I
C
=
1
毫安; V
CE
=
6
V ;注1
120
180
270
100
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气中;注1
马克斯。
500
2PA1774J
单位
K / W
马克斯。
100
5
100
270
390
560
200
2.2
单位
nA
A
nA
mV
pF
兆赫
1999年5月4日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
PNP通用晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
2PA1774J
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年5月4日
5
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