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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220封装
·高集电极击穿电压
: V
首席执行官
=400V(Min)
·出色的开关时间
: t
r
=1.0s(Max.)
: t
f
=1.0s(Max.
应用
·高速高压开关应用
·开关稳压器的应用
·高速的DC-DC转换器的应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SC2535
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
40
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
6
5
1
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CB
= 400V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
10
民
400
500
2SC2535
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
1.0
1.5
100
1
V
V
A
mA
开关时间
t
r
t
英镑
t
f
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
=200V;
I
B1
=-I
B2
=0.3A;R
L
=68>
占空比@ 1 ％
1.0
2.5
1.0
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2535
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2535
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220封装
高
集电极击穿电压
: V
首席执行官
=400V(Min)
优秀
开关时间
: t
r
=1.0μs(Max.)
: t
f
=1.0μs(Max.
应用
高
速度高电压开关应用
切换
稳压器应用
高
加快DC - DC转换器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SC2535
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
40
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
6
5
1
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CB
= 400V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
10
民
400
500
典型值。
2SC2535
最大
单位
V
V
1.0
1.5
100
1
V
V
μA
mA
开关时间
t
r
t
英镑
t
f
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
=200V;
I
B1
=-I
B2
=0.3A;R
L
=68Ω
占空比= 1 ％
1.0
2.5
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2535
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2535
4
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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220封装
高
集电极击穿电压
: V
首席执行官
=400V(Min)
优秀
开关时间
: t
r
=1.0μs(Max.)
: t
f
=1.0μs(Max.
应用
高
速度高电压开关应用
切换
稳压器应用
高
加快DC - DC转换器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SC2535
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
开基
集电极开路
OR
CT
U
价值
500
400
6
5
1
1.5
W
40
150
-55~150
℃
℃
单位
V
V
V
A
A
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CB
= 400V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
10
民
400
500
典型值。
2SC2535
最大
单位
V
V
1.0
1.5
100
1
V
V
μA
mA
开关时间
t
r
t
英镑
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
=200V;
I
B1
=-I
B2
=0.3A;R
L
=68Ω
占空比= 1 ％
OR
CT
U
1.0
2.5
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2535
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2535
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
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2SJ304
2SD1711
22-05-3281
2SK941
2PA1774JQ
2-1734516-0
28C64B-20IK
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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联系人：江先生
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