UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SC4793
NPN硅晶体管
特点
*高转换频率
*电源放大器应用
*驱动级放大器的应用
1
NPN硅晶体管
TO-220F
*无铅电镀产品编号： 2SC4793L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SC4793-x-TF3-T
2SC4793L-x-TF3-T
包
TO-220F
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
管
2C4793L-x-TF3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
(3)Rank
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ） T：管
（ 2 ） TF3 ： TO- 220F
（3）参照h的分类
FE
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R219-009,B
2SC4793
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
NPN硅晶体管
评级
单位
集电极 - 基极电压
230
V
集电极 - 发射极电压
230
V
发射极 - 基极电压
5
V
集电极电流
1
A
基极电流
0.1
A
Ta=25℃
2.0
W
集电极耗散功率
P
C
T
C
=25℃
20
W
结温
T
J
+150
℃
存储温度范围
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
（ TA = 25 ° C，除非其他指定）
参数
集电极 - 发射极击穿电压
基地发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
符号
BV
首席执行官
V
BE
V
CE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
COB
测试条件
I
C
=10mA
,
I
B
=0
V
CE
=5V
,
I
C
=500mA
I
C
=500mA
,
I
B
=50mA
V
CB
=230V
,
I
E
=0
V
EB
=5V
,
I
C
=0
V
CE
=5V
,
I
C
=100mA
V
CE
=10V
,
I
C
=100mA
V
CB
=10V
,
I
E
=0
,
f=1MHz
民
230
典型值
最大
1.0
1.5
1.0
1.0
320
100
20
单位
V
V
V
A
A
兆赫
pF
100
分类h及
FE
秩
范围
A
100-200
B
180-320
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2 4
QW-R219-009,B
2SC4793
典型特征
NPN硅晶体管
过渡频率与集电极电流
1000
300
集电极电流
与
基射极电压
1.0
过渡频率f
T
（兆赫）
共发射极
V
CE
=10V
T
C
=25℃
0.8
集电极电流，I
C
(A)
100
0.6
T
C
=100
℃
25
-25
50
30
0.4
0.2
共发射极
V
CE
=5V
10
5
10
30
100
300
1000
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电极电流，I
C
（MA ）
基射极电压，V
BE
(V)
直流电流增益与集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压，V
CE （SAT）
(V)
1000
集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
1
共发射极
V
CE
=5V
共发射极
I
C
/I
B
=10
T
C
=100℃
25
-25
500
300
0.5
0.3
DO电流增益，H
FE
T
C
=100°C
100
0.1
50
30
25
-25
0.05
0.03
10
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
0.01
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
集电极电流，I
C
(A)
集电极电流，I
C
(A)
集电极电流与集电极 - 发射极电压
1.0
20
10
3
5
安全工作区
8
0.8
集电极电流，I
C
(A)
I
C
MAX 。 （脉冲） ※
I
C
马克斯。
（连续）
6
1
1ms※
10ms※
100ms※
集电极电流，I
C
(A)
0.5
0.3
0.6
4
直流操作
T
C
=25℃
0.4
I
B
=2mA
0.1
0.05
0.2
共发射极
T
C
=25℃
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
*单
不重复
0.03
脉冲吨
C
= 25°C曲线必须
线性降额有了
温度上升。
0.01
1
3
10
30
V
首席执行官
MAX 。
100
300
0
0
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
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www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R219-009,B
2SC4793
NPN硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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4 4
QW-R219-009,B
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SC4793
NPN硅晶体管
特点
*高转换频率
*电源放大器应用
*驱动级放大器的应用
1
NPN硅晶体管
TO-220F
*无铅电镀产品编号： 2SC4793L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SC4793-TF3-T
2SC4793L-TF3-T
包
TO-220F
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
管
2C4793L-TF3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ） T：管
（ 2 ） TF3 ： TO- 220F
（ 3）L ：无铅电镀，空白：铅/锡
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1 4
QW-R219-009,A
2SC4793
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
NPN硅晶体管
评级
单位
集电极 - 基极电压
230
V
集电极 - 发射极电压
230
V
发射极 - 基极电压
5
V
集电极电流
1
A
基极电流
0.1
A
Ta=25℃
2.0
W
集电极耗散功率
P
C
T
C
=25℃
20
W
结温
T
J
+150
℃
存储温度范围
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
（ TA = 25 ° C，除非其他指定）
参数
集电极 - 发射极击穿电压
基地发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
符号
BV
首席执行官
V
BE
V
CE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
COB
测试条件
I
C
=10mA
,
I
B
=0
V
CE
=5V
,
I
C
=500mA
I
C
=500mA
,
I
B
=50mA
V
CB
=230V
,
I
E
=0
V
EB
=5V
,
I
C
=0
V
CE
=5V
,
I
C
=100mA
V
CE
=10V
,
I
C
=100mA
V
CB
=10V
,
I
E
=0
,
f=1MHz
民
230
典型值
最大
1.0
1.5
1.0
1.0
320
100
20
单位
V
V
V
A
A
兆赫
pF
100
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2 4
QW-R219-009,A
2SC4793
典型特征
NPN硅晶体管
过渡频率与集电极电流
1000
300
集电极电流
与
基射极电压
1.0
过渡频率f
T
（兆赫）
共发射极
V
CE
=10V
T
C
=25℃
0.8
集电极电流，I
C
(A)
100
0.6
T
C
=100
℃
25
-25
50
30
0.4
0.2
共发射极
V
CE
=5V
10
5
10
30
100
300
1000
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电极电流，I
C
（MA ）
基射极电压，V
BE
(V)
直流电流增益与集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压，V
CE （SAT）
(V)
1000
集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
1
共发射极
V
CE
=5V
共发射极
I
C
/I
B
=10
T
C
=100℃
25
-25
500
300
0.5
0.3
DO电流增益，H
FE
T
C
=100°C
100
0.1
50
30
25
-25
0.05
0.03
10
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
0.01
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
集电极电流，I
C
(A)
集电极电流，I
C
(A)
集电极电流与集电极 - 发射极电压
1.0
20
10
3
5
安全工作区
8
0.8
集电极电流，I
C
(A)
I
C
MAX 。 （脉冲） ※
I
C
马克斯。
（连续）
6
1
1ms※
10ms※
100ms※
集电极电流，I
C
(A)
0.5
0.3
0.6
4
直流操作
T
C
=25℃
0.4
I
B
=2mA
0.1
0.05
0.2
共发射极
T
C
=25℃
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
*单
不重复
0.03
脉冲吨
C
= 25°C曲线必须
线性降额有了
温度上升。
0.01
1
3
10
30
V
首席执行官
MAX 。
100
300
0
0
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 4
QW-R219-009,A
2SC4793
NPN硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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4 4
QW-R219-009,A
2SC4793
东芝三极管
硅NPN外延型
2SC4793
功率放大器的应用
驱动级放大器的应用
单位：mm
高转换频率：F
T
= 100 MHz（典型值）。
补充2SA1837
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
TA = 25°C
TC = 25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
230
230
5
1
0.1
2.0
20
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-10R1A
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
重量：2.7克（典型值）。
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使操作
条件（即工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
1
2006-11-10
2SC4793
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2006-11-10
QQ：2880707522 复制
