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2N5638, 2N5639
2N5638是首选设备
JFET晶体管斩波
N沟道 - 耗尽
N沟道结型场效应晶体管,耗尽型(类型
A)专为斩波器和高速开关应用。
低漏源“ON ”抵抗:
RDS ( ON) = 30Ω为2N5638
RDS ( ON) = 60Ω为2N5639
低反向传输电容
CRSS = 4.0 pF的(最大) F = 1.0 MHz的
快速开关特性
TR = 5.0纳秒(最大) ( 2N5638 )
http://onsemi.com
1 DRAIN
3
2 SOURCE
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
反向栅源电压
正向栅电流
器件总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结点温度范围
TSTG
TJ
符号
VDS
VDG
VGSR
IGF
PD
310
2.82
-65到+150
-65到+135
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
Y
WW
=年
=工作周
价值
30
30
30
10
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2N
5638
YWW
2N
5639
YWW
1
2
3
TO–92
CASE 29
风格5
标记DIAGRAMS
VDD = 10 VDC
V
RL
+
DD
*
( RDS ( ON)
)
50)
ID
50
脉冲
发电机
输入
(范围)
10%
90%
TD (上)
tf
TD (关闭)
产量
( SCOPE B)
90%
10%
50
范围
TEKTRONIX 567A
或同等学历
0.1
mF
TO
+ –
50 OHM
SCOPE B
0.001
mF
订购信息
设备
2N5638RLRA
2N5639
2N5369RLRA
TO–92
TO–92
TO–92
航运
2000 /磁带&卷轴
5000/Box
2000 /磁带&卷轴
RL
VGS (上)
VGS (关闭)
1.0 k
tr
50
50欧姆
TO
50 OHM
范围
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
图1.开关时间测试电路
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年9月 - 第3版
出版订单号:
2N5638/D
2N5638, 2N5639
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
栅源击穿电压
门反向电流
( IG = -1.0
μAdc ,
VDS = 0)的
( VGS = -15伏直流, VDS = 0 )
( VGS = -15伏直流, VDS = 0 , TA = 100 ° C)
2N5638
2N5638
2N5639
2N5639
V( BR ) GSS
IGSS
的ID (关闭)
35
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
VDC
NADC
μAdc
μAdc
汲极截止电流
( VDS = 15 VDC , VGS = -12伏直流)
( VDS = 15 VDC , VGS = -12伏直流, TA = 100 ° C)
( VDS = 15 VDC , VGS = -8.0 V直流)
( VDS = 15 VDC , VGS = -8.0伏, TA = 100 ° C)
基本特征
零栅极电压漏极电流(注1 )
( VDS = 20伏直流电, VGS = 0 )
漏源“ON ”电压
( n = 12 MADC ,V GS = 0)
( n = 6.0 MADC ,V GS = 0)
静态漏源“ ON”电阻
( n = 1.0 MADC ,V GS = 0)
2N5638
2N5639
2N5638
2N5639
RDS ( ON)
2N5638
2N5639
30
60
西塞
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
30
60
10
4.0
pF
pF
IDSS
VDS (上)
0.5
0.5
50
25
MADC
VDC
小信号特性
静态漏源“ ON”电阻
(VGS = 0, n = 0中,f = 1.0 kHz)的
输入电容
反向传输电容
RDS ( ON)
2N5638
2N5639
( VDS = 0 , VGS = -12伏直流, F = 1.0兆赫)
( VDS = 0 , VGS = -12伏直流, F = 1.0兆赫)
ID ( ON)= 12 MADC , 2N5638
ID ( ON) = 6.0 MADC , 2N5639
ID ( ON)= 12 MADC , 2N5638
ID ( ON) = 6.0 MADC , 2N5639
ID ( ON)= 12 MADC , 2N5638
ID ( ON) = 6.0 MADC , 2N5639
ID ( ON)= 12 MADC , 2N5638
ID ( ON) = 6.0 MADC , 2N5639
开关特性
(VDD = 10伏,V GS (上)= 0 ,V GS (关闭) = -10伏, RG '= 50
.
见图1第1页)
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
1.脉冲宽度
300
s,
占空比
3.0%.
4.0
6.0
5.0
8.0
5.0
10
10
20
ns
ns
ns
ns
http://onsemi.com
2
2N5638, 2N5639
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
2.93
---
3.43
---
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
http://onsemi.com
3
2N5638, 2N5639
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证,声明或担保
目的,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,
包括但不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的
直接或间接引起的,律师费,人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔
称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持:
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田,品川区,东京,日本141-0031
电话:
81–3–5740–2700
电子邮件:
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
2N5638/D
2N5638, 2N5639
2N5638是首选设备
JFET晶体管斩波
N沟道 - 耗尽
N沟道结型场效应晶体管,耗尽型(类型
A)专为斩波器和高速开关应用。
低漏源“ON ”抵抗:
RDS ( ON) = 30Ω为2N5638
RDS ( ON) = 60Ω为2N5639
低反向传输电容
CRSS = 4.0 pF的(最大) F = 1.0 MHz的
快速开关特性
TR = 5.0纳秒(最大) ( 2N5638 )
http://onsemi.com
1 DRAIN
3
2 SOURCE
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
反向栅源电压
正向栅电流
器件总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结点温度范围
TSTG
TJ
符号
VDS
VDG
VGSR
IGF
PD
310
2.82
-65到+150
-65到+135
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
Y
WW
=年
=工作周
价值
30
30
30
10
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2N
5638
YWW
2N
5639
YWW
1
2
3
TO–92
CASE 29
风格5
标记DIAGRAMS
VDD = 10 VDC
V
RL
+
DD
*
( RDS ( ON)
)
50)
ID
50
脉冲
发电机
输入
(范围)
10%
90%
TD (上)
tf
TD (关闭)
产量
( SCOPE B)
90%
10%
50
范围
TEKTRONIX 567A
或同等学历
0.1
mF
TO
+ –
50 OHM
SCOPE B
0.001
mF
订购信息
设备
2N5638RLRA
2N5639
2N5369RLRA
TO–92
TO–92
TO–92
航运
2000 /磁带&卷轴
5000/Box
2000 /磁带&卷轴
RL
VGS (上)
VGS (关闭)
1.0 k
tr
50
50欧姆
TO
50 OHM
范围
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
图1.开关时间测试电路
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年9月 - 第3版
出版订单号:
2N5638/D
2N5638, 2N5639
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
栅源击穿电压
门反向电流
( IG = -1.0
μAdc ,
VDS = 0)的
( VGS = -15伏直流, VDS = 0 )
( VGS = -15伏直流, VDS = 0 , TA = 100 ° C)
2N5638
2N5638
2N5639
2N5639
V( BR ) GSS
IGSS
的ID (关闭)
35
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
VDC
NADC
μAdc
μAdc
汲极截止电流
( VDS = 15 VDC , VGS = -12伏直流)
( VDS = 15 VDC , VGS = -12伏直流, TA = 100 ° C)
( VDS = 15 VDC , VGS = -8.0 V直流)
( VDS = 15 VDC , VGS = -8.0伏, TA = 100 ° C)
基本特征
零栅极电压漏极电流(注1 )
( VDS = 20伏直流电, VGS = 0 )
漏源“ON ”电压
( n = 12 MADC ,V GS = 0)
( n = 6.0 MADC ,V GS = 0)
静态漏源“ ON”电阻
( n = 1.0 MADC ,V GS = 0)
2N5638
2N5639
2N5638
2N5639
RDS ( ON)
2N5638
2N5639
30
60
西塞
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
30
60
10
4.0
pF
pF
IDSS
VDS (上)
0.5
0.5
50
25
MADC
VDC
小信号特性
静态漏源“ ON”电阻
(VGS = 0, n = 0中,f = 1.0 kHz)的
输入电容
反向传输电容
RDS ( ON)
2N5638
2N5639
( VDS = 0 , VGS = -12伏直流, F = 1.0兆赫)
( VDS = 0 , VGS = -12伏直流, F = 1.0兆赫)
ID ( ON)= 12 MADC , 2N5638
ID ( ON) = 6.0 MADC , 2N5639
ID ( ON)= 12 MADC , 2N5638
ID ( ON) = 6.0 MADC , 2N5639
ID ( ON)= 12 MADC , 2N5638
ID ( ON) = 6.0 MADC , 2N5639
ID ( ON)= 12 MADC , 2N5638
ID ( ON) = 6.0 MADC , 2N5639
开关特性
(VDD = 10伏,V GS (上)= 0 ,V GS (关闭) = -10伏, RG '= 50
.
见图1第1页)
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
1.脉冲宽度
300
s,
占空比
3.0%.
4.0
6.0
5.0
8.0
5.0
10
10
20
ns
ns
ns
ns
http://onsemi.com
2
2N5638, 2N5639
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
2.93
---
3.43
---
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
http://onsemi.com
3
2N5638, 2N5639
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证,声明或担保
目的,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,
包括但不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的
直接或间接引起的,律师费,人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔
称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持:
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田,品川区,东京,日本141-0031
电话:
81–3–5740–2700
电子邮件:
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
2N5638/D
2N5638, 2N5639
2N5638是首选设备
JFET晶体管斩波
N沟道 - 耗尽
N沟道结型场效应晶体管,耗尽型
(A型)专为斩波器和高速开关应用。
特点
低漏源“ ON”电阻: RDS ( ON) = 30W的2N5638
RDS ( ON)= 60W的2N5639
http://onsemi.com
1 DRAIN
低反向传输电容 -
C
RSS
= 4.0 pF的(最大) F = 1.0 MHz的
快速开关特性 - 吨
r
= 5.0纳秒(最大) ( 2N5638 )
无铅包可用*
最大额定值
等级
漏 - 源电压
排水-Gate电压
反向栅 - 源电压
正向栅电流
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结点温度范围
符号
V
DS
V
DG
V
GSR
I
GF
P
D
310
2.82
T
英镑
T
J
-65到+150
-65到+135
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
12
3
价值
30
30
30
10
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
3
2 SOURCE
记号
TO92
CASE 29
风格5
2N
563x
AYWW
G
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
V
DD
= 10 VDC
50
0.1
mF
TO
50
W
SCOPE B
0.001
mF
+
V
RL
+
DD
*
( RDS ( ON)
)
50)
ID
脉冲
发电机
输入
(范围)
10%
90%
t
D(上)
t
f
t
D(关闭)
90%
10%
产量
( SCOPE B)
50
X = 8或9的
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
2N5638RLRA
2N5638RLRAG
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
航运
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
1000单位/箱
1000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
R
L
V
GS ( ON)
V
GS ( OFF )
1.0 k
t
r
50
50
W
TO
50
W
范围
范围
TEKTRONIX 567A
或同等学历
2N5639
2N5639G
2N5369RLRA
2N5369RLRAG
图1.开关时间测试电路
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年3月 - 第4版
出版订单号:
2N5638/D
2N5638, 2N5639
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
栅 - 源击穿电压
(I
G
= 1.0
MADC ,
V
DS
= 0)
门反向电流
(V
GS
= -15伏直流,V
DS
= 0)
(V
GS
= -15伏直流,V
DS
= 0, T
A
= 100°C)
汲极截止电流
(V
DS
= 15 VDC ,V
GS
= -12伏直流)
(V
DS
= 15 VDC ,V
GS
= -12伏直流,T
A
= 100°C)
(V
DS
= 15 VDC ,V
GS
= -8.0 V直流)
(V
DS
= 15 VDC ,V
GS
= -8.0伏,T
A
= 100°C)
基本特征
零栅极电压漏极电流(注1 )
(V
DS
= 20伏,V
GS
= 0)
漏源“ON ”电压
(I
D
= 12 MADC ,V
GS
= 0)
(I
D
= 6.0 MADC ,V
GS
= 0)
静态漏源“ ON”电阻
(I
D
= 1.0 MADC ,V
GS
= 0)
小信号特性
静态漏源“ ON”电阻
(V
GS
= 0, I
D
= 0中,f = 1.0 kHz)的
输入电容
(V
DS
= 0, V
GS
= -12伏直流, F = 1.0兆赫)
反向传输电容
(V
DS
= 0, V
GS
= -12伏直流, F = 1.0兆赫)
R
DS ( ON)
2N5638
2N5639
C
国际空间站
C
RSS
30
60
10
4.0
pF
pF
W
2N5638
2N5639
2N5638
2N5639
R
DS ( ON)
2N5638
2N5639
30
60
I
DSS
V
DS ( ON)
0.5
0.5
W
50
25
MADC
VDC
2N5638
2N5638
2N5639
2N5639
V
( BR ) GSS
I
GSS
35
1.0
1.0
VDC
NADC
MADC
MADC
1.0
1.0
1.0
1.0
符号
最大
单位
I
D(关闭)
开关特性
(V
DD
= 10 VDC ,V
GS ( ON)
= 0, V
GS ( OFF )
= -10伏直流,R
G’
= 50
W.
见图1第1页)
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
1.脉冲宽度
300
女士,
占空比
3.0%.
I
D(上)
= 12 MADC , 2N5638
I
D(上)
= 6.0 MADC , 2N5639
I
D(上)
= 12 MADC , 2N5638
I
D(上)
= 6.0 MADC , 2N5639
I
D(上)
= 12 MADC , 2N5638
I
D(上)
= 6.0 MADC , 2N5639
I
D(上)
= 12 MADC , 2N5638
I
D(上)
= 6.0 MADC , 2N5639
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
4.0
6.0
5.0
8.0
5.0
10
10
20
ns
ns
ns
ns
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2
2N5638, 2N5639
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格5 :
PIN 1.排放
2.源
3.门
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