【2N4403首选设备通用晶体管PNP硅特点http://onsemi.com无铅包可用*集热器32B】,IC型号2N4403RLRPG,2N4403RLRPG PDF资料,2N4403RLRPG经销商,ic,电子元器件-51电子网

2N4403

首选设备

通用

晶体管

PNP硅

特点

http://onsemi.com

无铅包可用*

集热器

3

2

BASE

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

D

P

D

T

J

, T

英镑

价值

40

5.0

600

625

5.0

1.5

12

-55到+150

单位

VDC

MADC

mW

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

TO92

CASE 29

风格1

12

1

辐射源

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

符号

R

qJA

R

QJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

3

直引线

散装

3

BENT LEAD

磁带&卷轴

弹药包

2

标记图

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

2N

4403

AYWW

G

2N4403 =器件代码

A

=大会地点

Y

=年

WW

=工作周

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术参考

手动， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

首选

装置被推荐用于将来的选择

使用和最佳的整体价值。

1

2007年3月 - 第3版

出版订单号：

2N4403/D

2N4403

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（注1 ）

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

基地截止电流

收藏家Cuto FF电流

基本特征

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 2.0伏）（注1 ）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 2.0伏）（注1 ）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

h

FE

30

60

100

20

0.75

300

0.4

0.75

0.95

1.3

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

(I

C

= 0.1 MADC ，我

E

= 0)

(I

E

= 0.1 MADC ，我

C

= 0)

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

BEV

I

CEX

40

5.0

0.1

VDC

MADC

符号

民

最大

单位

集电极 - 发射极饱和电压（注1 ）

基射极饱和电压（注1 ）

小信号特性

电流增益 - 带宽积

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

输入阻抗

电压反馈比例

小信号电流增益

输出导纳

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

VDC

(I

C

= 20 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 100兆赫）

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

f

T

C

cb

C

eb

h

ie

h

re

h

fe

h

oe

200

1.5 k

0.1

60

1.0

8.5

30

15 k

8.0

500

100

兆赫

pF

W

X 10

4

毫姆欧

(V

CC

= 30伏直流电，V

BE

= + 2.0伏，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= 15毫安，我

B2

= 15 mA）的

t

d

t

r

t

s

t

f

15

20

225

30

ns

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

订购信息

设备

2N4403

2N4403G

2N4403RLRA

2N4403RLRAG

2N4403RLRM

2N4403RLRMG

2N4403RLRPG

包

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

航运

5000单位/散装

2000 /磁带&卷轴

2000 /弹药包

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

2N4403

开关时间等效测试电路

30 V

＆ LT ; 2纳秒

+2 V

0

1.0 KW

16 V

10至100

女士，

占空比= 2 ％

C

S

* < 10 pF的

200

W

+14 V

0

16 V

< 20纳秒

30 V

200

W

1.0 KW

1.0-100

女士，

占空比= 2 ％

C

S

* < 10 pF的

+4.0 V

范围上升时间< 4.0纳秒

*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

暂态特性

25°C

30

20

电容（pF）

C

eb

Q， CHARGE （ NC）

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

2.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

反向电压（伏）

20

30

0.1

10

20

100°C

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

10

7.0

5.0

C

cb

Q

T

Q

A

30

50 70 100

200

I

C

，集电极电流（毫安）

300

500

图3的电容

图4.收费数据

http://onsemi.com

3

2N4403

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

吨R，上升时间（ NS ）

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

r

@ V

CC

= 10 V

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 2 V

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0

I

C

/I

B

= 10

100

70

50

30

20

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.开启时间

图6.上升时间

200

I

C

/I

B

= 10

吨s

′

，存储时间（纳秒）

100

70

50

I

B1

= I

B2

t

s

′

= t

s

1/8 t

f

30

20

I

C

/I

B

= 20

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.储存时间

小信号特性

噪声系数

V

CE

= -10伏直流，T

A

= 25°C ;带宽= 1.0赫兹

10

8

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 430

W

I

C

= 500

毫安，

R

S

= 560

W

I

C

= 50

毫安，

R

S

= 2.7千瓦

I

C

= 100

毫安，

R

S

= 1.6千瓦

NF ，噪声系数（dB ）

10

F = 1千赫

8

6

4

2

6

4

I

C

= 50

mA

100

mA

500

mA

1.0毫安

R

S

=最佳源电阻

2

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0

男，频率（KHz ）

10

20

50

100

50

100

200

500

1k

2k

5k

10 k 20 k

50 k

R

S

，源电阻（欧姆）

图8.频率的影响

图9.源电阻的影响

http://onsemi.com

4

2N4403

h参数值

V

CE

= -10伏直流， F = 1.0千赫，T

A

= 25°C

这组图形示出的关系

h

fe

和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。对

获得这些曲线，高增益和低增益单元分别

1000

700

500

hFE参数，电流增益

300

200

2N4403 UNIT 1

2N4403 UNIT 2

从2N4403行选择，并且在同一单位是

用于在发展的对应编号的曲线

每幅图。

100 k

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）

50 k

20 k

10 k

5k

2k

1k

500

200

2N4403 UNIT 1

2N4403 UNIT 2

100

70

50

30

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

100

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0

10

I

C

，集电极电流（ MADC ）

I

C

，集电极电流（ MADC ）

图10.电流增益

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

2N4403 UNIT 1

2N4403 UNIT 2

m

锄头，输出导纳（姆欧）

500

图11.输入阻抗

重，电压反馈比例（ X 10

4

)

100

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0

2N4403 UNIT 1

2N4403 UNIT 2

10

I

C

，集电极电流（ MADC ）

I

C

，集电极电流（ MADC ）

图12.电压反馈比例

图13.输出导纳

http://onsemi.com

5

2N4403

首选设备

通用

晶体管

PNP硅

特点

http://onsemi.com

无铅包可用*

集热器

3

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗

@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

D

625

5.0

P

D

1.5

12

T

J

, T

英镑

-55到+150

W

毫瓦/°C的

°C

mW

毫瓦/°C的

1

2

3

价值

40

5.0

600

单位

VDC

MADC

2

BASE

1

辐射源

记号

图

2N

4403

YWW

TO92

CASE 29

风格1

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

Y

WW

=年

=工作周

热特性

特征

热阻，

结到环境

热阻，

结到外壳

符号

R

qJA

R

QJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

首选

装置被推荐用于将来的选择

使用和最佳的整体价值。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术参考

手动， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年6月 - 第1版

出版订单号：

2N4403/D

2N4403

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（注1 ）

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 0.1 MADC ，我

E

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

(I

E

= 0.1 MADC ，我

C

= 0)

基地截止电流

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

基本特征

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 2.0伏）（注1 ）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 2.0伏）（注1 ）

集电极 - 发射极饱和电压（注1 ）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

基射极饱和电压（注1 ）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

小信号特性

电流增益 - 带宽积（我

C

= 20 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 100兆赫）

集电极 - 基极电容（V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

发射极 - 基极电容（V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗（我

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比率（I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小信号电流增益（I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

输出导纳（我

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 30伏直流电，V

BE

= + 2.0伏，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= 15毫安，我

B2

= 15 mA）的

t

d

t

r

t

s

t

f

15

20

225

30

ns

f

T

C

cb

C

eb

h

ie

h

re

h

fe

h

oe

200

1.5 k

0.1

60

1.0

8.5

30

15 k

8.0

500

100

兆赫

pF

欧

X 10

4

毫姆欧

h

FE

30

60

100

20

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

0.75

0.95

1.3

0.4

0.75

VDC

300

VDC

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

BEV

I

CEX

40

5.0

0.1

VDC

MADC

符号

民

最大

单位

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

http://onsemi.com

2

2N4403

订购信息

设备

2N4403

2N4403G

2N4403RL

2N4403RLRA

2N4403RLRAG

2N4403RLRM

2N4403RLRP

2N4403RLRPG

2N4403ZL1

包

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

航运

5000套/箱

2000 /磁带&卷轴

2000 /弹药包

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

开关时间等效测试电路

30 V

＆ LT ; 2纳秒

+2 V

0

1.0 KW

16 V

10至100

女士，

占空比= 2 ％

C

S

* < 10 pF的

200

W

+14 V

0

16 V

< 20纳秒

30 V

200

W

1.0 KW

1.0-100

女士，

占空比= 2 ％

C

S

* < 10 pF的

+4.0 V

范围上升时间< 4.0纳秒

*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

暂态特性

25°C

30

20

电容（pF）

C

eb

Q， CHARGE （ NC）

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

2.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

0.1

10

20

30

100°C

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

10

7.0

5.0

C

cb

Q

T

Q

A

反向电压（伏）

50 70 100

200

I

C

，集电极电流（毫安）

300

500

图3的电容

图4.收费数据

http://onsemi.com

3

2N4403

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

吨R，上升时间（ NS ）

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

r

@ V

CC

= 10 V

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 2 V

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0

I

C

/I

B

= 10

100

70

50

30

20

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.开启时间

图6.上升时间

200

I

C

/I

B

= 10

吨s

′

，存储时间（纳秒）

100

70

50

I

B1

= I

B2

t

s

′

= t

s

1/8 t

f

30

20

I

C

/I

B

= 20

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.储存时间

小信号特性

噪声系数

V

CE

= -10伏直流，T

A

= 25°C ;带宽= 1.0赫兹

10

8

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 430

W

I

C

= 500

毫安，

R

S

= 560

W

I

C

= 50

毫安，

R

S

= 2.7千瓦

I

C

= 100

毫安，

R

S

= 1.6千瓦

NF ，噪声系数（dB ）

10

F = 1千赫

8

6

4

2

6

4

I

C

= 50

mA

100

mA

500

mA

1.0毫安

R

S

=最佳源电阻

2

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0

男，频率（KHz ）

10

20

50

100

50

100

200

500 1 k 2 k

5 k 10 k 20 k

R

S

，源电阻（欧姆）

50 k

图8.频率的影响

图9.源电阻的影响

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4

2N4403

h参数值

V

CE

= -10伏直流， F = 1.0千赫，T

A

= 25°C

这组图形示出的关系

h

fe

和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。对

获得这些曲线，高增益和低增益单元分别

从2N4403行选择，并且在同一单位是

用于在发展的对应编号的曲线

每幅图。

1000

700

500

hFE参数，电流增益

300

200

2N4403 UNIT 1

2N4403 UNIT 2

100 k

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）

50 k

20 k

10 k

5k

2k

1k

500

200

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

100

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0

10

2N4403 UNIT 1

2N4403 UNIT 2

100

70

50

30

I

C

，集电极电流（ MADC ）

I

C

，集电极电流（ MADC ）

图10.电流增益

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

2N4403 UNIT 1

2N4403 UNIT 2

锄头，输出导纳（

m

姆欧）

500

图11.输入阻抗

重，电压反馈比例（ X 10

4

)

100

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0

2N4403 UNIT 1

2N4403 UNIT 2

10

I

C

，集电极电流（ MADC ）

I

C

，集电极电流（ MADC ）

图12.电压反馈比例

图13.输出导纳

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5

TRANSYS

电子

L I M I T E

TO- 92塑料封装晶体管

2N4403

晶体管（ PNP ）

TO—92

特点

功耗

P

CM

： 0.625 W（环境温度Tamb = 25℃）

集电极电流

A

I

CM

: -0.6

集电极 - 基极电压

V

（ BR ） CBO

: -40

工作和存储结温范围

T

J

, T

英镑

： -55 ℃+ 150 ℃

1.EMILTTER

2.BASE

3.收集

1 2 3

电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

除非另有规定编）

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE(1)

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

TEST

条件

民

-40

-5

-0.1

100

300

-0.4

-0.95

V

最大

单位

V

A

IC = -100μA ，我

E

=0

I

C

= -1mA ，我

B

=0

I

E

= -100μA ，我

C

=0

V

CB

= -35 V，I

E

=0

V

CE

= -35 V，I

B

=0

V

EB

= -4V ，我

C

=0

V

CE

= -2 V，I

C

= - 150毫安

I

C

= -150毫安，我

B

=-15mA

I

C

= -150毫安，我

B

=-15mA

V

CE

= -10V ，我

C

= -20mA

跃迁频率

f

T

f =

100MHz

200

兆赫