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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4385
描述
·带
TO- 3PML包
.Complement
键入2SA1670
应用
·音频
和通用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
辐射源
描述
·
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
120
80
6
6
3
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 2 A;我
B
=0.2 A
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=4V
I
E
= -0.5A ; V
CE
=12V
50
20
80
6
2SC4385
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
10
10
180
V
μA
μA
兆赫
h
FE
分类
O
50-100
P
70-140
Y
90-180
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4385
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4387
描述
·采用TO- 3PML包
·补键入2SA1672
应用
·音频和通用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值( TA = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
200
140
6
10
4
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 5 A;我
B
=0.5 A
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
E
= -0.5A ; V
CE
=12V
50
140
6
2SC4387
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
2.0
10
10
180
20
V
A
A
兆赫
h
FE
分类
O
50-100
P
70-140
Y
90-180
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4387
图2外形尺寸
3
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