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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第78页 > 2SA1204
2SA1204
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程）
2SA1204
音频放大器应用
高直流电流增益：H
FE
= 100 320
适合的1瓦特放大器的输出级
小扁包
P
C
= 1.02.0 W（安装在陶瓷基板）
补充2SC2884
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
集电极耗散功率
P
C
（注1 ）
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
等级
35
30
5
800
160
500
1000
150
55
150
2
单位
V
V
V
mA
mA
PW- MINI
mW
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-62
2-5K1A
°C
°C
重量0.05克（典型值）。
注1 ：安装在一个陶瓷基体（ 250毫米× 0.8吨）
注2 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2006-11-09
2SA1204
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE （1）
直流电流增益
（注3）
h
FE （2）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE （SAT）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
35
V，I
E
= 0
V
EB
=
5
V，I
C
= 0
I
C
=
10
妈，我
B
= 0
V
CE
=
1
V，I
C
=
100
mA
V
CE
=
1
V，I
C
=
700
mA
I
C
=
500
妈，我
B
=
20
mA
V
CE
=
1
V，I
C
=
10
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
10
mA
V
CB
=
10
V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
30
100
35
―
0.5
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
120
19
最大
0.1
0.1
―
320
―
0.7
0.8
―
―
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
注3 ：小时
FE （1）
分类○： 100 200， Y： 160至320
记号
产品型号（或缩写代码）
R
LOT号
性能指标
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-09
2SA1204
I
C
– V
CE
800
8
7
6
5
600
4
3
400
2
200
IB
= 1
mA
共发射极
1000
500
300
h
FE
– I
C
共发射极
Ta
=
100°C
25
25
100
50
30
VCE
= 1
V
集电极电流I
C
直流电流增益
FE
Ta
=
25°C
（MA ）
10
1
3
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
0
0
0
2
4
6
8
（MA ）
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
V
CE （SAT）
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
1
0.5
0.3
Ta
=
100°C
0.1
0.05
0.03
25
25
共发射极
IC / IB
=
25
800
I
C
– V
BE
共发射极
VCE
= 1
V
（MA ）
集电极电流I
C
600
Ta
=
100°C
400
25
25
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
200
集电极电流I
C
（MA ）
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
基射极电压
V
BE
(V)
安全工作区
3000
集成电路最大值（脉冲） *
1000
IC MAX（连续）
10毫秒*
1.2
P
C
- TA
P
C
(W)
(1)
（1）安装在陶瓷
2
基板（ 250毫米
×
0.8 t)
（ 2 ）无散热片
0.8
（MA ）
500
300
直流操作
Ta
=
25°C
100毫秒*
1毫秒*
1.0
集电极电流I
C
100
50
30
集电极耗散功率
0.6
(2)
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
最大VCEO
测试：无基材。
0.3
1
3
10
30
100
0.4
10
5
3
0.1
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
环境温度Ta （C ）
3
2006-11-09
2SA1204
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2006-11-09
SMD型
晶体管
音频放大器应用
2SA1204
特点
适合的1瓦特放大器的输出级
小扁包
P
C
= 1 2W （安装在陶瓷基板）
补充2SC2884
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在陶瓷基体（ 250毫米
2
×0.8 T）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C *
T
j
T
英镑
等级
-35
-30
-5
-800
-160
500
1000
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= -35V ，我
E
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
-30
100
35
-0.7
-0.5
120
19
-0.8
V
V
兆赫
pF
320
民
典型值
最大
-0.1
-0.1
单位
ìA
ìA
V
V
（ BR ） CEO
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
h
FE
V
CE
= -1V ，我
C
= -100mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -700mA
V
CE （ SAT ）
I
C
= -500mA ，我
B
= -20mA
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= -1V ，我
C
= -10mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SA1204
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
100
O
200
160
R
Y
320
晶体管
电气特性曲线
2
www.kexin.com.cn
2SA1 204
晶体管（ PNP ）
SOT-89-3L
1.基地
特点
补充2SC2884
小扁包
音频放大器应用
高直流电流增益
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
-35
-30
-5
-0.8
500
250
150
-55~+150
2.收集
3.辐射源
单位
V
V
V
A
mW
℃/W
℃
℃
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极输出电容
跃迁频率
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE
C
ob
f
T
TEST
条件
民
-35
-30
-5
-100
-100
100
35
-0.7
-0.5
19
120
-0.8
V
V
pF
兆赫
320
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
I
C
= -0.1mA ，我
E
=0
I
C
=-10mA,I
B
=0
I
E
=-0.1mA,I
C
=0
V
CB
=-35V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-700mA
I
C
=-500mA,I
B
=-20mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-10mA
V
CB
=-10V,I
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
=-5V,I
C
= -10mA
分类h及
FE
(1)
秩
范围
记号
O
100–200
RO
Y
160–320
RY
１　
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
2SA1 204
晶体管（ PNP ）
SOT-89-3L
1.基地
特点
补充2SC2884
小扁包
音频放大器应用
高直流电流增益
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
-35
-30
-5
-0.8
500
250
150
-55~+150
2.收集
3.辐射源
单位
V
V
V
A
mW
℃/W
℃
℃
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极输出电容
跃迁频率
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE
C
ob
f
T
TEST
条件
民
-35
-30
-5
-100
-100
100
35
-0.7
-0.5
19
120
-0.8
V
V
pF
兆赫
320
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
I
C
= -0.1mA ，我
E
=0
I
C
=-10mA,I
B
=0
I
E
=-0.1mA,I
C
=0
V
CB
=-35V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-700mA
I
C
=-500mA,I
B
=-20mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-10mA
V
CB
=-10V,I
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
=-5V,I
C
= -10mA
分类h及
FE
(1)
秩
范围
记号
O
100–200
RO
Y
160–320
RY
１　
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
2SA1204
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程）
2SA1204
音频放大器应用
高直流电流增益：H
FE
= 100 320
适合的1瓦特放大器的输出级
小扁包
P
C
= 1.02.0 W（安装在陶瓷基板）
补充2SC2884
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
集电极耗散功率
P
C
（注1 ）
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
等级
35
30
5
800
160
500
1000
150
55
150
mW
单位
V
V
V
mA
mA
PW- MINI
JEDEC
JEITA
―
SC-62
2-5K1A
°C
°C
东芝
重量0.05克（典型值）。
注1 ：安装在一个陶瓷基体（ 250毫米
2
× 0.8 t)
注2 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2009-12-21
2SA1204
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE （1）
直流电流增益
（注3）
h
FE （2）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE （SAT）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
35
V，I
E
= 0
V
EB
=
5
V，I
C
= 0
I
C
=
10
妈，我
B
= 0
V
CE
=
1
V，I
C
=
100
mA
V
CE
=
1
V，I
C
=
700
mA
I
C
=
500
妈，我
B
=
20
mA
V
CE
=
1
V，I
C
=
10
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
10
mA
V
CB
=
10
V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
30
100
35
―
0.5
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
120
19
最大
0.1
0.1
―
320
―
0.7
0.8
―
―
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
注3 ：小时
FE （1）
分类○： 100 200， Y： 160至320
记号
产品型号（或缩写代码）
R
LOT号
性能指标
注4
注4 ：一个批号旁边的行标识产品标签的指示。
如果没有行： [铅] /包括> MCV
用线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令
产品的兼容性。 RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27局的
2003年1月关于在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
2
2009-12-21
2SA1204
I
C
– V
CE
800
8
7
6
5
600
4
3
400
2
200
IB
= 1
mA
共发射极
1000
500
300
h
FE
– I
C
共发射极
Ta
=
100°C
25
25
100
50
30
VCE
= 1
V
集电极电流I
C
直流电流增益
FE
Ta
=
25°C
（MA ）
10
1
3
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
0
0
0
2
4
6
8
（MA ）
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
V
CE （SAT）
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
1
0.5
0.3
Ta
=
100°C
0.1
0.05
0.03
25
25
共发射极
IC / IB
=
25
800
I
C
– V
BE
共发射极
VCE
= 1
V
（MA ）
集电极电流I
C
600
Ta
=
100°C
400
25
25
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
200
集电极电流I
C
（MA ）
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
基射极电压
V
BE
(V)
安全工作区
3000
集成电路最大值（脉冲） *
1000
IC MAX（连续）
10毫秒*
1.2
P
C
- TA
P
C
(W)
(1)
（1）安装在陶瓷
2
基板（ 250毫米
×
0.8 t)
（ 2 ）无散热片
0.8
（MA ）
500
300
直流操作
Ta
=
25°C
100毫秒*
1毫秒*
1.0
集电极电流I
C
100
50
30
集电极耗散功率
0.6
(2)
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
测试：无基材。
0.3
1
3
10
0.4
10
5
3
0.1
0.2
最大VCEO
30
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
环境温度Ta （C ）
3
2009-12-21
2SA1204
限制产品使用
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不遵守适用的法律和法规。
4
2009-12-21
SMD型
产品speci fi cation
2SA1204
特点
适合的1瓦特放大器的输出级
小扁包
P
C
= 1 2W （安装在陶瓷基板）
补充2SC2884
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在陶瓷基体（ 250毫米
2
×0.8 T）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C *
T
j
T
英镑
等级
-35
-30
-5
-800
-160
500
1000
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= -35V ，我
E
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
-30
100
35
-0.7
-0.5
120
19
-0.8
V
V
兆赫
pF
320
民
典型值
最大
-0.1
-0.1
单位
ìA
ìA
V
V
（ BR ） CEO
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
h
FE
V
CE
= -1V ，我
C
= -100mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -700mA
V
CE （ SAT ）
I
C
= -500mA ，我
B
= -20mA
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= -1V ，我
C
= -10mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
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4008-318-123
1 2
SMD型
产品speci fi cation
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
100
O
200
160
R
Y
320
2SA1204
电气特性曲线
2
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
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2-1393236-2
2SB1351
2PA1774
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厂家
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