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2STC5200
高功率NPN外延平面型双极晶体管
特点
■
■
■
■
高击穿电压V
首席执行官
> 230V
补充2STA1943
快速开关速度
典型F
T
= 30 MHz的
3
应用
■
音频功率放大器
1
2
TO-264
描述
这个装置是一个NPN晶体管制造
采用新的位-LA （双极型晶体管的线性
功放）技术。由此产生的晶体管
显示出良好的增益线性度的行为。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
订货编号
2STC5200
记号
2STC5200
包
TO-264
包装
管
2007年12月
REV 2
1/9
www.st.com
9
电气额定值
2STC5200
1
电气额定值
表2中。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
J
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
工作结温
价值
230
230
5
15
30
150
-55到150
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
表3中。
符号
R
THJ情况
热数据
参数
热阻结案件最大
价值
0.83
单位
° C / W
2/9
2STC5200
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
I
CBO
I
EBO
电气特性
参数
集电极截止电流
(I
E
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CB
= 230 V
V
EB
= 5 V
230
230
5
I
B
= 800毫安
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
80
35
3
1.5
160
分钟。
典型值。
马克斯。
5
单位
A
5
A
集电极 - 发射极击穿
I
C
= 50毫安
V
(BR)CEO(1)
电压（I = 0）的
B
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿
电压（I
E
= 0)
I
C
= 100 A
I
E
= 1毫安
I
C
= 8 A
I
C
= 7 A
I
C
= 1 A
I
C
= 7 A
V
V
V
V
V
发射极 - 基极击穿
V
(BR)EBO(1)
电压（I = 0）的
C
V
CE(sat)(1)
V
BE
h
FE
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
直流电流增益
阻性负载
开启时间
贮存时间
下降时间
跃迁频率
集电极 - 基极电容
(I
E
= 0)
t
on
t
s
t
f
f
T
C
CBO
V
CC
= 60 V I
C
= 5A
I
B1
= -I
B2
= 0.5 A
I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V
0.24
4.7
0.6
30
150
s
s
s
兆赫
pF
V
CB
= 10 V F = 1兆赫
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比< 1.5 ％
3/9
电气特性
2STC5200
2.1
图2中。
电特性（曲线）
安全工作区
网络连接gure 3 。
降额曲线
图4中。
输出特性
图5中。
直流电流增益
图6 。
集电极 - 发射极饱和电压如图7所示。
集电极电流与基极 - 发射极
电压
4/9
2STC5200
电气特性
2.2
测试电路
网络连接gure 8 。
阻性负载开关测试电路
1 ）快速的电子开关
2）无感电阻器
5/9
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