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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
·集电极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 200 V
.Complement
到类型2SA1380
2SC3502
应用
·设计
对于超高清晰度CRT显示器，视频输出
把applicaitons
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
200
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
200
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
I
CM
集电极电流连续
0.1
A
集电极电流峰值
收藏家电源Dssipation
T
a
=25℃
0.2
A
1.2
W
P
C
收藏家电源Dssipation
T
C
=25℃
T
i
T
英镑
结温
5
150
℃
℃
存储温度范围
-55~150
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE（
SAT ）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Vltage
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
电流增益带宽积
集电极电容
条件
I
C
= 10μA ;我
E
= 0
I
C
= 1毫安;
BE
= ∞
I
E
= 10μA ;我
C
= 0
I
C
= 20mA下，我
B
= 2毫安
B
2SC3502
民
200
200
5
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.6
1.0
0.1
0.1
40
150
1.7
320
V
V
μA
μA
I
C
= 20mA下，我
B
= 2毫安
B
V
CB
= 150V
;
I
E
= 0
V
EB
= 4V ;我
C
= 0
I
C
=一千万; V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 30V;
I
E
= 0; V
CB
= 30V ; F
TEST
= 1MHz的
兆赫
pF
h
FE
分类
C
40-80
D
60-120
E
100-200
F
160-320
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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253A203C45NA
2-1393243-0
2SD1235
2SK1746
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    2SC3502
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    -
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