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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1235
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SB919
ULOW
集电极饱和电压
●大
电流容量。
应用
●大
继电器驱动器的电流开关,
高速逆变器,转换器
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
·
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散
1.75
T
j
T
英镑
结温
储存温度
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
60
30
6
8
15
30
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 1毫安; R
BE
=∞
I
C
= 1毫安,我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.15A
V
CB
= 40V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 4A ; V
CE
=2V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
70
30
30
60
6
2SD1235
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.4
100
100
280
V
μA
μA
120
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=20I
B1
=-20I
B2
=4A
V
CC
=10V,R
L
=2.5Ω
0.1
0.5
0.03
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1235
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1235
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1235
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SB919
·低集电极饱和电压
·大电流的能力。
应用
·继电器驱动大电流开关,
高速逆变器,转换器
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
T
C
=25
P
C
集电极耗散
1.75
T
j
T
英镑
结温
储存温度
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
60
30
6
8
15
30
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 1毫安; R
BE
? & LT ;
I
C
= 1毫安,我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.15A
V
CB
= 40V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 4A ; V
CE
=2V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
70
30
30
60
6
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
2SD1235
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.4
100
100
280
V
A
A
120
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=20I
B1
=-20I
B2
=4A
V
CC
=10V,R
L
=2.5C
0.1
0.5
0.03
s
s
s
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1235
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1235
4
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘经理
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