【2SK1382东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L-π - MOSIII ）22SK1382继电器驱】,IC型号2SK1382,2SK1382 PDF资料,2SK1382经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1382

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L

-π - MOSIII ）

2SK1382

继电器驱动器，电机驱动器和DC- DC转换器

应用

单位：mm

4 -V栅极驱动

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 15毫欧（典型值）。

: |Y

| = 47 S（典型值）。

: I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 100 V)

: V

= 0.8~2.0 V (V

= 10 V，I

= 1 mA）的

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

100

±20

240

200

150

55~150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-21F1B

脉冲（注1 ）

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

通道温度

存储温度范围

重量： 9.75克（典型值）。

注意：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至

环境

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

0.625

35.7

单位

C / W

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

2006-11-20

2SK1382

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

≈

80 V, V

= 10 V，I

= 60 A

—

280

176

132

—

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±20 V, V

= 0 V

= 100 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 4 V，I

= 30 A

= 10 V，I

= 30 A

= 10 V，I

= 30 A

民

—

100

0.8

—

典型值。

—

7000

400

2700

最大

±100

100

—

2.0

—

单位

μA

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

测试条件

—

= 60 A，V

= 0 V

= 60 A，V

= 0 V

/ DT = 50 A /

μs

民

—

典型值。

—

300

0.75

最大

240

1.6

—

单位

μC

记号

产品型号（或缩写代码）

东芝

2SK1382

LOT号

日本

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2006-11-20

2SK1382

2006-11-20

2SK1382

2006-11-20

2SK1382

2006-11-20

2SK1382

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L

-π - MOSIII ）

2SK1382

继电器驱动器，电机驱动器和DC- DC转换器

应用

单位：mm

4 -V栅极驱动

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 15毫欧（典型值）。

: |Y

| = 47 S（典型值）。

: I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 100 V)

: V

= 0.8 2.0 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

100

±20

240

200

150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-21F1B

脉冲（注1 ）

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

通道温度

存储温度范围

重量： 9.75克（典型值）。

注意：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至

环境

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

0.625

35.7

单位

C / W

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

2009-09-29

2SK1382

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

≈

80 V, V

= 10 V，I

= 60 A

—

280

176

132

—

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±20 V, V

= 0 V

= 100 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 4 V，I

= 30 A

= 10 V，I

= 30 A

= 10 V，I

= 30 A

民

—

100

0.8

—

典型值。

—

7000

400

2700

最大

±100

100

—

2.0

—

单位

μA

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

测试条件

—

= 60 A，V

= 0 V

= 60 A，V

= 0 V

/ DT = 50 A /

μs

民

—

典型值。

—

300

0.75

最大

240

1.6

—

单位

μC

记号

注2 ：根据地段第一个行标识产品的说明

标签。

产品型号（或缩写代码）

没有下划线： [铅] /包括> MCV

下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

LOT号

东芝

2SK1382

日本

注2

请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以

环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC

与2003年1月27日，安理会对使用的限制

某些有害物质的电器和电子设备。

2009-09-29

2SK1382

2009-09-29

2SK1382

2009-09-29

2SK1382

2009-09-29