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产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2SC3058

描述

·带

TO- 3封装

高

电压，高速

应用

For

开关调节器和DC / DC

转换器应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

600

400

7

30

200

200

-65~200

单位

V

V

V

A

W

℃

℃

热特性

符号

R

日J- MB

参数

从结热阻安装基座

价值

1.0

单位

℃/W

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

集电极输出电容

条件

I

C

= 10毫安;我

B

=0

I

C

= 1毫安;我

E

=0

I

E

= 1毫安;我

C

=0

I

C

= 20A ;我

B

=4A

I

C

= 20A ;我

B

=4A

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 20A ; V

CE

=5V

I

C

= 4A ; V

CE

=10V

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

15

10

民

400

600

7

2SC3058

典型值。

最大

单位

V

V

V

1.0

1.5

10

10

50

40

30

420

V

V

μA

μA

兆赫

pF

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3058

图2外形尺寸

JMnic

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3058

描述

·采用TO-3封装

·高电压，高转速

应用

·对于开关稳压器和DC / DC

转换器应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

600

400

7

30

200

200

-65~200

单位

V

V

V

A

W

热特性

符号

R

日J- MB

参数

从结热阻安装基座

价值

1.0

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

集电极输出电容

条件

I

C

= 10毫安;我

B

=0

I

C

= 1毫安;我

E

=0

I

E

= 1毫安;我

C

=0

I

C

= 20A ;我

B

=4A

I

C

= 20A ;我

B

=4A

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 20A ; V

CE

=5V

I

C

= 4A ; V

CE

=10V

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

15

10

民

400

600

7

2SC3058

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

典型值。

最大

单位

V

V

V

1.0

1.5

10

10

50

40

30

420

V

V

A

A

兆赫

pF

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3058

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3058

描述

·带

TO- 3封装

高

电压，高速

应用

For

开关调节器和DC / DC

转换器应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

T

j

T

英镑

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

参数

条件

集电极 - 基极电压

发射极开路

集电极 - 发射极电压

开基

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极开路

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

OR

CT

U

价值

600

400

7

30

200

200

-65~200

单位

V

V

V

A

W

℃

℃

热特性

符号

R

日J- MB

参数

从结热阻安装基座

价值

1.0

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 10毫安;我

B

=0

I

C

= 1毫安;我

E

=0

I

E

= 1毫安;我

C

=0

I

C

= 20A ;我

B

=4A

I

C

= 20A ;我

B

=4A

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

15

民

400

600

7

2SC3058

典型值。

最大

单位

V

V

V

1.0

1.5

10

10

V

V

μA

μA

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

I

C

= 20A ; V

CE

=5V

跃迁频率

I

C

= 4A ; V

CE

=10V

集电极输出电容

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

OR

CT

U

50

10

40

30

420

兆赫

pF

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3058

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

图2外形尺寸

OR

CT

U

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3058

描述

·带

TO- 3封装

高

电压，高速

应用

For

开关调节器和DC / DC

转换器应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

600

400

7

30

200

200

-65~200

单位

V

V

V

A

W

℃

℃

热特性

符号

R

日J- MB

参数

从结热阻安装基座

价值

1.0

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

集电极输出电容

条件

I

C

= 10毫安;我

B

=0

I

C

= 1毫安;我

E

=0

I

E

= 1毫安;我

C

=0

I

C

= 20A ;我

B

=4A

I

C

= 20A ;我

B

=4A

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 20A ; V

CE

=5V

I

C

= 4A ; V

CE

=10V

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

15

10

民

400

600

7

2SC3058

典型值。

最大

单位

V

V

V

1.0

1.5

10

10

50

40

30

420

V

V

μA

μA

兆赫

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2

INCHANGE半导体

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图2外形尺寸

3

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