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晶体管
2SC5018
硅NPN三重扩散龙门
对于高击穿电压的高速开关
单位:mm
6.9±0.1
0.15
1.05 2.5±0.1
±0.05
(1.45)
0.8
0.5
4.5±0.1
0.7
4.0
s
特点
q
q
0.65最大。
1.0 1.0
高集电极到基极电压V
CBO
.
高发射基地电压V
EBO
.
0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
(Ta=25C)
评级
500
400
7
1.5
0.8
1
150
–55 ~ +150
单位
0.45
–0.05
0.45
–0.05
+0.1
+0.1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
2.5±0.5
1
2
2.5±0.5
3
V
V
A
A
W
C
C
1.2±0.1
0.65
马克斯。
0.45
+0.1
– 0.05
注意:除了
所示引线型
上图所示,
在如图所示键入
下图是
也可提供。
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
MT2类型封装
印刷电路板:为1cm铜箔区
2
以上,板
厚度1.7毫米的集电极部
2.5±0.1
V
( HW型)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
填写时间
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 500V ,我
E
= 0
V
EB
= 7V ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 5V ,我
C
= 300毫安
*1
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
*1
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
*1
V
CB
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 10MHz时
I
C
=的200mA,我
B1
= 40毫安
I
B2
= -40mA ,V
CC
= 150V
50
10
0.1
0.8
20
0.7
4.0
0.4
*1
典型值
最大
100
100
300
14.5±0.5
单位
A
A
0.5
1.0
V
V
兆赫
s
s
s
脉冲测量
1
晶体管
P
C
- TA
1.2
120
印刷circut板:铜
为1cm箔领域
2
或更多,并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
Ta=25C
100
I
B
=1.0mA
0.9mA
80
0.8mA
0.7mA
0.6mA
60
0.5mA
0.4mA
40
0.3mA
0.2mA
0.1mA
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
2SC5018
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
30
10
3
Ta=75C
1
25C
0.3
–25C
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
V
CE ( SAT )
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
集电极电流I
C
(MA )
20
0.1
0.3
1
3
10
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
200
V
CE
=5V
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=–25C
75C
25C
正向电流传输比H
FE
160
Ta=75C
25C
120
–25C
80
40
0.1
0.3
1
3
10
0
0.001 0.003 0.01 0.03
0.1
0.3
1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
2
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC5018
    -
    -
    -
    -
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