2N2322
2N2323
2N2324
2N2325
2N2326
2N2327
2N2328
2N2329
中央
TM
半导体公司
可控硅整流器
1.6安培， 25 THRU 400伏
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N2322
串联类型的气密密封的硅
专为感应控制整流器
电路的应用和控制系统。
标记：全部型号
TO- 39案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
SYMBOL 22
23
重复峰值正向电压
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
RMS通态电流
平均通态电流（ TC = 85°C ）
峰值一个周期浪涌（ T = 8.3ms的）
峰值功率门
平均功耗门
栅极峰值电流
峰值栅极电压
结温
储存温度
VDRM
VRRM
VRSM
IT （ RMS ）
IT （ AV ）
ITSM
PGM
PG （AV）
IGM
VGM
TJ
TSTG
25
25
40
50
50
75
2N23__
24
100
100
150
25
150
150
225
26
200
200
300
27
250
250
350
28
300
300
400
29个单位
400
400
500
V
V
V
A
A
A
W
W
A
V
°C
°C
1.6
1.0
15
0.10
0.01
0.10
6.0
-65到+125
-65到+150
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
最大
IDRM ， IRRM
IGT
IH
VGT
VTM
额定VDRM ， VRRM ， RGK = 1.0KΩ
VD = 6.0V ， RL = 100Ω
VD = 6.0V ， RGK = 1.0kΩ
VD = 6.0V ， RL = 100Ω
ITM = 1.0A ， TP = 380μs
5.0
200
2.0
0.8
1.5
单位
μA
μA
mA
V
V
R0 （ 11 - 2008年12月）
2n2322到2n2326
硅闸流体
所有扩散PNPN晶闸管设计的光栅操作以mA / μA信号
或检测电路
符合RoHS指令
.
最大额定值（ * ）
T
J
= 125 ℃，除非另有说明，R
GK
=1000
符号
V
RRM （REP）
V
RSM （非
REP ）
评级
峰值反向阻断电压
(*)
非重复性峰值堵
反向电压（ t<5.0毫秒）
正向电流有效值（所有
导通角）
峰值浪涌电流
（半个周期，60赫兹）
无重复直到热
平衡恢复。
峰值门电力 - 前进
平均栅极电源 -
前锋
栅极峰值电流 - 前进
峰值栅极电压 - 正向
峰值栅极电压 - 反向
工作结
温度范围
存储温度范围
2N2322
25
40
2N2323
50
75
2N2324
100
150
1.6
2N2325
150
225
2N2326
200
300
单位
V
V
A
I
T（ RMS ）
I
TSM
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GFM
V
GRM
T
J
T
英镑
15
0.1
0.01
0.1
6.0
6.0
-65到+125
A
W
W
A
V
V
°C
-65到+150
12/11/2012
半导体COMSET
1|3
2n2322到2n2326
电气特性
(*)
T
J
= 25℃，除非另有说明，R
GK
=1000
符号
V
DRM
I
RRM
评级
峰值正向闭塞
闵：
电压（1）
峰值反向阻断
当前
（额定V
DRM ，
T
J
=125°C)
峰值正向闭塞
当前
（额定V
DRM ，
T
J
=125°C)
转发上电压
I
TM
= 1.0 A峰值
I
TM
= 3.14 A峰值
T
C
=85°C
门极触发电流（ 2 ）
阳极电压= 6.0伏
R
L
=100
阳极电压= 6.0伏
R
L
=100, T
C
=-65°C
门极触发电压
阳极电压= 6.0 V
R
L
=100
阳极电压= 6.0 V
R
L
=100, T
C
=-65°C
V
DRM
=额定
R
L
=100, T
J
=125°C
保持电流
阳极电压= 6.0 V
阳极电压= 6.0 V
T
C
=-65°C
阳极电压= 6.0 V
T
C
=125°C
2N2322 2N2323 2N2324 2N2325 2N2326单位
25
50
100
最高：100
150
200
V
A
A
I
DRM
最高：100
最大： 1.5
V
TM
V
最大： 2.0
最大： 200
A
最大： 350
I
GT
最大： 0.8
最大： 1.0
最小： 0.1
最大： 2.0
最大： 3.0
最小： 0.15
mA
V
V
GT
I
H
（ * ） JEDEC注册的价值观
(1) V
RSM
和V
DRM
可以适用于所有类型的连续的直流基础，而不会产生
损害。
(2) R
GK
当前不包含在测量。
12/11/2012
半导体COMSET
2|3
2n2322到2n2326
机械数据案例TO- 39
外形尺寸（mm ）
民
最大
9.39
8.50
6.60
0.53
0.88
2.66
5.33
0.86
1.02
-
48°
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
8.50
7.74
6.09
0.40
-
2.41
4.82
0.71
0.73
12.70
42°
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
Kathode
门
阳极
阳极
修订后的2012年10月
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12/11/2012
半导体COMSET
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3|3
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