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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第78页 > 2SC1384
UTC 2SC1384
NPN外延平面晶体管
NPN外延平面
晶体管
描述
在UTC 2SC1384是功放和驱动程序。
特点
*低V
CE
（SAT）
在互补对与2SA684 * 2 3W的输出
1
TO-92L
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流（DC）的
集电极耗散（ TA = 25 ° C）
结温
储存温度
备注：拍着类型： PJ = 750MW
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
ICP
Ic
Pc
T
j
T
英镑
价值
60
50
5
1.5
1
1
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
COB
测试条件
V
CB
=20V,I
E
=0
Ic=10A,I
E=0
Ic=2mA,I
B
=0
I
E
=10A,Ic=0
V
CE
=10V,Ic=500mA
V
CE
=5V,I
B
=1A
Ic=0.5A,I
B
=50mA
Ic=0.5A,I
B
=50mA
V
CE
=10V,I
B
=50mA
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
民
60
50
5
85
50
典型值
最大单位
0.1
A
V
V
V
160
100
0.2
0.85
200
11
340
0.4
1.2
20
V
V
兆赫
pF
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R202-001,A
UTC 2SC1384
秩
范围
NPN外延平面晶体管
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
分类的hFE的
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R202-001,A
TRANSYS
电子
L I M I T E
TO- 92L塑封装晶体管
2SC1383
2SC1384
特征
功耗
P
CM
:
集电极电流
I
CM
:
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
1
W（环境温度Tamb = 25℃）
晶体管（ NPN ）
TO-92L
1.发射器
2.收集
3. BASE
1
A
2SC1383 ：
30
V
2SC1384 ：
50
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
123
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
2SC1383
2SC1384
集电极 - 发射极击穿电压
2SC1383
2SC1384
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
除非另有规定编）
符号
V（ BR ）
CBO
TEST
条件
民
30
50
25
50
5
0.1
85
50
0.4
1.2
100
V
V
兆赫
340
最大
单位
V
IC = 10μA ，我
E
=0
I
C
= 2毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
CE
= 10 V，I
C
= 500毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 1A
I
C
= 5亿，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 50毫安
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
h
FE(1)
V
V
A
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
分类h及
FE(1)
秩
范围
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
TRANSYS
电子
L I M I T E
TO- 92L塑封装晶体管
2SC1383
2SC1384
特征
功耗
P
CM
:
集电极电流
I
CM
:
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
1
W（环境温度Tamb = 25℃）
晶体管（ NPN ）
TO-92L
1.发射器
2.收集
3. BASE
1
A
2SC1383 ：
30
V
2SC1384 ：
50
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
123
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
2SC1383
2SC1384
集电极 - 发射极击穿电压
2SC1383
2SC1384
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
除非另有规定编）
符号
V（ BR ）
CBO
TEST
条件
民
30
50
25
50
5
0.1
85
50
0.4
1.2
100
V
V
兆赫
340
最大
单位
V
IC = 10μA ，我
E
=0
I
C
= 2毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
CE
= 10 V，I
C
= 500毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 1A
I
C
= 5亿，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 50毫安
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
h
FE(1)
V
V
A
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
分类h及
FE(1)
秩
范围
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SC1384
NPN硅晶体管
描述
在UTC
2SC1384
是功放和驱动程序。
NPN硅晶体管
特点
*低V
CE （ SAT ）
在互补对与2SA684 * 2 3W的输出
订购信息
订购数量
无铅
2SC1384L-x-AB3-R
2SC1384L-x-T9N-B
2SC1384L-x-T9N-K
2SC1384L-x-T9N-R
无卤
2SC1384G-x-AB3-R
2SC1384G-x-T9N-B
2SC1384G-x-T9N-K
2SC1384G-x-T9N-R
包
SOT-89
TO-92NL
TO-92NL
TO-92NL
引脚分配
填料
1
2
3
B
C
带卷轴
E
C
B
磁带盒
E
C
B
体积
E
C
B带卷轴
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R211-005.D
2SC1384
参数
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
60
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
50
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
5
V
峰值集电极电流
I
CP
1.5
A
集电极电流（ DC ）
I
C
1
A
集电极耗散（T
A
=25℃)
P
C
1000
mW
结温
T
J
125
℃
工作温度
T
OPR
-20 ~ +85
℃
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
OB
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 2毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=500mA
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
I
C
= 0.5A ，我
B
=50mA
I
C
= 0.5A ，我
B
=50mA
V
CE
= 10V ，我
B
=50mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
60
50
5
85
50
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
160
100
0.2
0.85
200
11
0.1
340
0.4
1.2
20
V
V
兆赫
pF
分类h及
FE
秩
范围
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R211-005.D
2SC1384
典型特征
集电极电流，I
C
(A)
集电极耗散功率，P
C
(W)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
集电极到发射极饱和电压，
V
CE （ SAT ）
(V)
集电极电流，I
C
(A)
www.unisonic.com.tw
NPN硅晶体管
3 5
QW-R211-005.D
2SC1384
典型特征（续）
集电极输出电容C
ob
（PF ）
过渡频率对
发射极电流
NPN硅晶体管
200
过渡频率f
T
（兆赫）
50
45
40
35
30
25
20
15
10
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
I
E
=0
F=1MHz
T
A
=25℃
180 V
CB
=10V
T
A
=25℃
160
140
120
100
80
60
40
20
0
-1
-3
-10
-30
发射极电流，I
E
（MA ）
-100
5
0
3
10
30
100
1
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
120
100
80
60
40
20
集电极到发射极电压 -
基极 - 射极电阻
I
C
=10mA
T
A
=25℃
10
4
集电极到发射极电流与
环境温度
V
CE
=10V
10
3
10
2
10
0
1
3
10 30
0.1 0.3
100
基极 - 射极电阻，R
BE
(KΩ)
1
0
20 40 60 80 100 120 140 160
环境温度，T
A
(℃)
集电极电流，I
C
(A)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R211-005.D
2SC1384
NPN硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5
QW-R211-005.D
晶体管
2SC1383 ， 2SC1384
NPN硅外延平面型
对于低频功率放大和驱动放大
补充2SA683和2SA684
5.9±0.2
单位：mm
4.9±0.2
q
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
互补配对2SA683和2SA684 。
(Ta=25C)
评级
30
60
25
50
5
1.5
1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
2.54±0.15
+0.3
+0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SC1383
2SC1384
2SC1383
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
符号
发射极电压2SC1384
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
0.45
–0.1
0.45
–0.1
1.27
+0.2
V
A
A
W
C
C
1.27
13.5±0.5
0.7
–0.2
0.7±0.1
8.6±0.2
s
特点
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家基地
电压
集电极到发射极
电压
2SC1383
2SC1384
2SC1383
2SC1384
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
*2
V
CE
= 5V ，我
B
= 1A
*2
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
*2
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
*2
V
CB
= 10V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
30
60
25
50
5
85
50
160
100
0.2
0.85
200
11
*2
民
典型值
3.2
1
2
3
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
EIAJ ： SC- 51
TO- 92L封装
最大
0.1
单位
A
V
V
V
340
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
0.4
1.2
V
V
兆赫
20
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
Q
85 ~ 170
R
120 ~ 240
S
170 ~ 340
秩
h
FE1
1
晶体管
P
C
- TA
1.2
1.5
Ta=25C
2SC1383 ， 2SC1384
I
C
— V
CE
1.2
V
CE
=10V
Ta=25C
1.0
I
C
— I
B
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
1.25
集电极电流I
C
(A)
0.8
1.0
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
集电极电流I
C
(A)
I
B
=10mA
9mA
0.8
0.6
0.75
0.6
0.4
0.5
3mA
2mA
0.4
0.2
0.25
1mA
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
12
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
（MA ）
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
3
1
Ta=75C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
0.01 0.03
25C
–25C
V
BE （ SAT ）
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
100
30
10
3
25C
1
75C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=–25C
I
C
/I
B
=10
600
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
正向电流传输比H
FE
500
400
300
Ta=75C
200
25C
100
–25C
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
— I
E
200
180
C
ob
— V
CB
50
120
V
CER
— R
BE
集电极到发射极电压V
CER
(V)
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
I
C
=10mA
Ta=25C
100
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CB
=10V
Ta=25C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
过渡频率f
T
（兆赫）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–1
80
60
2SC1384
40
2SC1383
20
–3
–10
–30
–100
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
发射极电流I
E
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
基极 - 射极电阻R
BE
(k)
2
晶体管
I
首席执行官
- TA
10
4
V
CE
=10V
10
3
I
CP
10
3
2SC1383 ， 2SC1384
安全操作区（ ASO ）
单脉冲
Ta=25C
集电极电流I
C
(A)
1
0.3
0.1
0.03
I
C
t=10ms
t=1s
I
首席执行官
（TA）
I
首席执行官
(Ta=25C)
10
2
2SC1383
0.3
1
3
10
10
0.01
0.003
1
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.001
0.1
30
2SC1384
100
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
3
TO- 92L塑封装晶体管
2SC1383
2SC1384
晶体管（ NPN ）
TO-92L
特点
低集电极到发射极饱和电压V
CE （SAT） 。
互补配对2SA0683和2SA0684 。
最大额定值（T
A
=25
℃
除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
2SC1383
30
25
5
1
1
150
-55-150
2SC1384
60
50
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
1.EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
123
电气特性（环境温度Tamb = 25
℃
除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
2SC1383
2SC1384
集电极 - 发射极击穿电压2SC1383
2SC1384
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
I
C
= 5亿，我
B
=50mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
V
CE
=10V,I
C
=50mA
200
50
0.4
1.2
V
V
兆赫
TEST
条件
民
30
60
25
50
5
0.1
85
340
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 2毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=500mA
分类h及
FE(1)
秩
范围
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
典型特征
2SC1383,4
2SC1383/2SC1384
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
6.0
±0.2
NPN硅
通用晶体管
TO-92国防部
4.9
±0.2
特征
功耗
1.0
±0.1
集电极电流
I
CM
:
1 A
2.0
+0.3
–0.2
14
±0.2
0.50
+0.1
–0.1
(1.50
TYP 。 ）
1.9
+0.1
–0.1
0.45
+0.1
–0.1
P
CM
:
1 W （环境温度Tamb = 25℃）
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
2SC1383 ： 30 V
2SC1384 ： 50 V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
8.6
±0.2
1 2 3
3.0
±0.1
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
单位：mm
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
2SC1383
2SC1384
集电极 - 发射极击穿电压
2SC1383
2SC1384
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
除非
符号
V（ BR ）
CBO
否则
TEST
特定网络版）
民
30
60
25
50
5
0.1
85
50
0.4
1.2
100
V
V
兆赫
340
最大
单位
V
条件
IC = 10μA ，我
E
=0
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
h
FE(1)
I
C
= 2毫安，
I
B
=0
V
V
A
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
=20V ,
V
CE
=10 V,
V
CE
=5 V,
I
E
=0
I
C
= 500毫安
I
C
= 1A
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
C
= 5亿，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
f
T
V
CE
= 10 V，I
C
= 50毫安
分类h及
FE(1)
秩
范围
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
第1页3
2SC1383/2SC1384
公司Bauelemente
NPN硅
通用晶体管
P
C
T
a
1.2
1.50
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
C
I
B
1.2
V
CE
=
10 V
T
a
=
25°C
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
1.25
集电极电流I
C
(A)
0.8
1.00
集电极电流I
C
(A)
I
B
=
10毫安
9毫安
8毫安
7毫安
6毫安
5毫安
4毫安
1.0
0.8
0.6
0.75
0.6
0.4
0.50
3毫安
2毫安
0.4
0.2
0.25
1毫安
0.2
0
0
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
12
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
（MA ）
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
V
BE （ SAT ）
I
C
100
h
FE
I
C
600
V
CE
=
10 V
基射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/ I
B
=
10
I
C
/ I
B
=
10
1
T
a
=
75°C
25°C
10
正向电流传输比H
FE
500
400
0.1
25°C
25°C
T
a
= 25°C
75°C
1
300
T
a
=
75°C
200
25°C
25°C
0.01
0.1
100
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
0
0.01
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
I
E
200
V
=
10 V
CB
T
a
=
25°C
50
C
ob
V
CB
120
V
CER
R
BE
集电极 - 发射极电压
(V)
（ B和E之间的电阻）V
CER
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
（共基极短路）
I
C
=
10毫安
T
a
=
25°C
过渡频率f
T
（兆赫）
100
160
40
80
120
30
60
2SC1384
80
20
40
2SC1383
40
10
20
0
1
10
100
0
1
10
100
0
0.1
1
10
100
发射极电流I
E
（MA ）
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
基极 - 发射极电阻R
BE
(k)
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
分页： 1 2 3
2SC1383/2SC1384
公司Bauelemente
NPN硅
通用晶体管
I
首席执行官
T
a
10
4
V
CE
=
10 V
10
安全工作区
单脉冲
T
a
=
25°C
I
CP
集电极电流I
C
(A)
10
3
1
I
C
t
=
1s
I
首席执行官
(T
a
)
I
首席执行官
(T
a
=
25°C)
t
=
10毫秒
10
2
0.1
2SC1383
1
10
10
0.01
1
0
40
80
120
160
0.001
0.1
2SC1384
100
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
第3页3
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
TO- 92L塑封装晶体管
2SC1383
2SC1384
晶体管（ NPN ）
TO-92L
特点
低集电极到发射极饱和电压V
CE （SAT） 。
互补配对2SA0683和2SA0684 。
最大额定值（T
A
=25
℃
除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
2SC1383
30
25
5
1
1
150
-55-150
2SC1384
60
50
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
1.EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
123
电气特性（环境温度Tamb = 25
℃
除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
2SC1383
2SC1384
集电极 - 发射极击穿电压2SC1383
2SC1384
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
I
C
= 5亿，我
B
=50mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
V
CE
=10V,I
C
=50mA
200
50
0.4
1.2
V
V
兆赫
TEST
条件
民
30
60
25
50
5
0.1
85
340
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 2毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=500mA
分类h及
FE(1)
秩
范围
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
典型特征
2SC1383,4
查看更多2SC1384PDF信息
推荐型号
2RD412-1X32845
22-28-4070
2SB902T
2N6394
2380-2240-00
2N5462
25ZLH470MEFC10X12.5
259993
270T220A501B1A1
256570
230-75AB-10
2SB1392C
226CKS250MLU
2SC2656
2SB1319P
227CKH100M
24FC64T-I/ST
2-1393222-9
2STC5200
22-28-3082
供货商
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    2SC1384
    -
    -
    -
    -
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TO-92MOD
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联系人：林
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联系人：朱经理、张小姐
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联系人：李先生
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