2N6394系列
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
，门打开）
基本特征
峰值正向通态电压（注2 ） （我
TM
= 24 A峰值）
栅极触发电流（连续直流） （V
D
= 12伏，R
L
= 100欧姆）
门极触发电压（连续DC ） （V
D
= 12伏，R
L
= 100欧姆）
门非触发电压（V
D
= 12伏，R
L
= 100欧姆，T
J
= 125°C)
保持电流（V
D
= 12 VDC，起爆电流为200 mA时，门打开）
开启时间（我
TM
= 12 A，I
GT
= 40 MADC ，V
D
=额定V
DRM
)
关断时间（V
D
=额定V
DRM
)
动态特性
爆击率-的高层断态电压指数的
(V
D
=额定V
DRM
, T
J
= 125°C)
表示JEDEC注册的数据
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
毫秒，
占空比
≤
2%.
dv / dt的
50
V / ms的
(I
TM
= 12 A，I
R
= 12 A)
(I
TM
= 12 A，I
R
= 12 A，T
J
= 125°C)
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
t
gt
t
q
0.2
1.7
5.0
0.7
6.0
1.0
15
35
2.2
30
1.5
50
2.0
V
mA
V
V
mA
ms
ms
I
DRM
, I
RRM
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
2.0
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极 -
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
（关断状态）
TC ，最大允许外壳温度（ C）
°
130
125
120
115
110
105
100
95
90
0
1.0
α
= 30°
60°
90°
180°
8.0
dc
α
α
=导通角
P（ AV ） ，平均功率（瓦）
20
18
α
14
α
=导通角
12
10
α
= 30°
60°
16
180°
90°
dc
8.0
6.0
4.0
2.0
0
T
J
≈
125°C
7.0
4.0
5.0
2.0
3.0
6.0
I
T（ AV ）
，通态平均正向电流（ AMPS ）
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
8.0
图1.电流降额
图2.最大通态功耗
http://onsemi.com
2
2N6394系列
典型特征
300
200
IGTM ，峰值栅极电流（mA）
100
70
50
30
20
T
J
= 40°C
25°C
100°C
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
脉冲宽度（ ms）的
50
100
200
I GT ，门极触发电流（归）
3.0
断态电压= 12 V
2.0
断态电压= 12 V
1.0
0.7
0.5
10
7.0
5.0
3.0
0.3
40 20
0
20
40
60
80
100 120
T
J
，结温（ ° C）
140 160
图6.典型栅极触发电流
与脉冲宽度
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
60 40
3.0
20
0
20
40
60
80
100
120
140
断态电压= 12 V
IH ，保持电流（毫安）
30
图7.典型栅极触发电流
与温度的关系
VGT ，门极触发电压（伏）
断态电压= 12 V
20
10
7.0
5.0
60 40
20
0
20
40
60
80
100
120 140
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图8.典型栅极触发电压
与温度的关系
图9.典型的保持电流
与温度的关系
订购信息
设备
2N6394
2N6394G
2N6395
2N6395G
2N6397
2N6397G
2N6399
2N6399G
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运**
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
**有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
2N6394系列
包装尺寸
TO220AB
CASE 221A -09
ISSUE AD
T
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
0.080
阴极
阳极
门
阳极
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
方式3 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
2N6394/D
2N6394系列
首选设备
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
主要设计用于半波交流控制应用中，如
马达控制，加热控制和电源。
玻璃钝化路口中心浇口几何大中华区
参数的一致性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设低热
性，高散热性和耐用性
阻断电压为800伏特
器件标识：标识，设备类型，如2N6394 ，日期代码
*最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= -40 125 ℃，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
2N6394
2N6395
2N6397
2N6399
开启状态RMS电流
（ 180 °导通角;吨
C
= 90°C)
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波， 60赫兹，T
J
= 90°C)
电路熔断（T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
s,
T
C
= 90°C)
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒，T
C
= 90°C)
正向栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
1.0
s,
T
C
= 90°C)
工作结温范围
存储温度范围
*表示JEDEC注册的数据
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
符号
V
DRM ，
V
RRM
50
100
400
800
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
12
100
40
20
0.5
2.0
-40
+125
-40
+150
A
A
A
2
s
瓦
瓦
A
°C
°C
1
2
3
4
1
2
3
x
= 4， 5,7或9
YY =年
WW =工作周
价值
单位
伏
http://onsemi.com
可控硅
12安培RMS
50通800伏
G
A
K
记号
图
4
TO–220AB
CASE 221A
方式3
YY WW
639x
引脚分配
阴极
阳极
门
阳极
订购信息
设备
2N6394
2N6395
2N6397
2N6399
包
TO220AB
TO220AB
TO220AB
TO220AB
航运
500/Box
500/Box
500/Box
500/Box
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年4月 - 第3版
出版订单号：
2N6394/D
2N6394系列
热特性
特征
热阻，结到外壳
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
R
θJC
T
L
最大
2.0
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
*峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
，门打开）
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM
, I
RRM
–
–
–
–
10
2.0
A
mA
基本特征
*峰值正向通态电压（注2 ）
(I
TM
= 24 A峰值）
*门极触发电流（连续直流）
(V
D
= 12伏，R
L
= 100欧姆）
*门极触发电压（连续直流）
(V
D
= 12伏，R
L
= 100欧姆）
GATE非触发电压
(V
D
= 12伏，R
L
= 100欧姆，T
J
= 125°C)
*保持电流
(V
D
= 12 VDC，起爆电流为200 mA时，门打开）
开启时间
(I
TM
= 12 A，I
GT
= 40 MADC ，V
D
=额定V
DRM
)
关断时间（V
D
=额定V
DRM
)
(I
TM
= 12 A，I
R
= 12 A)
(I
TM
= 12 A，I
R
= 12 A，T
J
= 125°C)
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
t
gt
t
q
–
–
15
35
–
–
–
–
–
0.2
–
–
1.7
5.0
0.7
–
6.0
1.0
2.2
30
1.5
–
50
2.0
伏
mA
伏
伏
mA
s
s
动态特性
爆击率-的高层断态电压指数的
(V
D
=额定V
DRM
, T
J
= 125°C)
*表示JEDEC注册的数据
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
dv / dt的
–
50
–
V / μs的
http://onsemi.com
2
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2N6394 / D
可控硅整流器器
反向阻断三极晶闸管
。 。 。主要为半波交流控制应用中，如电机控制设计，
加热控制和电源。
玻璃钝化路口中心浇口的几何参数大
均匀性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设实现低热阻，高
散热和耐用性
阻断电压为800伏特
A
摩托罗拉的首选设备
2N6394
THRU
2N6399
可控硅
12安培RMS
50通800伏
G
K
CASE 221A -07
(TO-220AB)
方式3
*最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
重复峰值正向和反向阻断电压（ 1 ）
（门打开， TJ = -40至125°C ）
2N6394
2N6395
2N6397
2N6398
2N6399
RMS通态电流（ TC = 90 ℃） （所有的导通角）
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波， 60赫兹， TJ = 125°C ）
电路熔断（T = 8.3毫秒）
正向峰值功率
正向平均栅极电源
正向栅极峰值电流
工作结温范围
存储温度范围
符号
VDRM ， VRRM
50
100
400
600
800
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
PGM
PG （AV）
IGM
TJ
TSTG
12
100
40
20
0.5
2
-40到+125
-40到+150
安培
安培
A2s
瓦
瓦
安培
°C
°C
价值
单位
伏
热特性
特征
热阻，结到外壳
*表示JEDEC注册的数据。
1. VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而，正栅极
电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试
源，使得器件的电压额定值被超过。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
符号
R
θJC
最大
2
单位
° C / W
REV 1
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉1999年公司
1
2N6394 2N6399直通
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
*峰值重复正向或反向阻断电流
（ VAK =额定VDRM或VRRM ，门打开）
TJ = 25°C
TJ = 125°C
*前进“开”电压
（ ITM = 24 A峰值）
*门极触发电流（连续直流）
（ VD = 12 VDC， RL = 100欧姆）
*门极触发电压（连续直流）
（ VD = 12 VDC， RL = 100欧姆）
（ VD =额定VDRM ， RL = 100欧姆， TJ = 125°C ）
*保持电流
（ VD = 12 VDC，门打开）
开启时间
（ ITM = 12 A， IGT = 40 MADC ， VD =额定VDRM ）
关断时间（ VD =额定VDRM ）
（ ITM = 12 A， IR = 12 A）
（ ITM = 12 A， IR = 12 A， TJ = 125°C ）
爆击率-的高层断态电压指数的
（ VD =额定VDRM ， TJ = 125°C ）
*表示JEDEC注册的数据。
符号
IDRM ， IRRM
—
—
VTM
IGT
VGT
VGD
IH
TGT
tq
—
—
dv / dt的
—
15
35
50
—
—
—
V / μs的
—
—
—
—
1.7
5
10
2
2.2
30
民
典型值
最大
单位
A
mA
伏
mA
伏
—
0.2
—
—
0.7
—
6
1
1.5
—
40
2
mA
s
s
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
图1 - 电流降额
130
图2 - 最大通态功耗
20
P（ AV ） ，平均功率（瓦）
18
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
8.0
0
1.0
2.0
3.0
7.0
4.0
5.0
6.0
IT （ AV ）通态平均电流（安培）
8.0
TJ
≈
125°C
α
α
=导通角
α
= 30°
60°
180°
90°
dc
125
120
115
110
105
dc
100
95
90
0
1.0
α
= 30°
60°
90°
180°
α
α
=导通角
7.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
IT （ AV ）通态平均电流（安培）
2
摩托罗拉晶闸管设备数据
QQ：2880707522 复制
