【功率晶体管2SB954 ， 2SB954APNP硅外延平面型进行功率放大s特点qqq单位：mm0.7】,IC型号2SB954A,2SB954A PDF资料,2SB954A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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功率晶体管

2SB954 ， 2SB954A

PNP硅外延平面型

进行功率放大

s

特点

q

q

q

单位：mm

0.7±0.1

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

φ3.1±0.1

1.4±0.1

1.3±0.2

0.5

+0.2

–0.1

0.8±0.1

2.54±0.25

5.08±0.5

1

2

3

4.2±0.2

s

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SB954

2SB954A

2SB954

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

(T

C

=25C)

评级

–60

–80

–60

–80

–5

–2

–1

30

2

150

-55到+150

单位

V

16.7±0.3

14.0±0.5

发射极电压2SB954A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

V

V

A

A

W

C

C

浸焊

4.0

7.5±0.2

高正向电流传输比H

FE

它具有良好的线性度

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TO- 220全包套餐（一）

s

电气特性

参数

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SB954

2SB954A

2SB954

2SB954A

2SB954

2SB954A

(T

C

=25C)

符号

I

首席执行官

I

CES

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1*

h

FE2

V

CE （ SAT ）

V

BE

f

T

t

on

t

英镑

t

f

条件

V

CE

= -30V ，我

B

= 0

V

CE

= -60V ，我

B

= 0

V

CE

= –60V, V

BE

= 0

V

CE

= –80V, V

BE

= 0

V

EB

= -5V ，我

C

= 0

I

C

= -30mA ，我

B

= 0

V

CE

= -4V ，我

C

= – 0.2A

V

CE

= -4V ，我

C

= –1A

I

C

= -1A ，我

B

= – 0.125A

V

CE

= -4V ，我

C

= –1A

V

CE

= -5V ，我

C

= - 0.2A ， F = 10MHz时

I

C

= -1A ，我

B1

= - 0.1A ，我

B2

= 0.1A,

V

CC

= –50V

30

0.5

1.2

0.3

–60

–80

70

15

–1

–1.3

V

V

兆赫

s

s

s

250

民

典型值

最大

–300

–300

–200

–200

–1

单位

A

A

mA

V

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE1

等级分类

Q

70至150

P

120至250

秩

h

FE1

1

功率晶体管

P

C

- TA

50

–2.5

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（3）同一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 4 ）不带散热片

(P

C

=2W)

I

B

=–40mA

–30mA

–25mA

–1.5

–20mA

–10mA

–1.0

–8mA

–6mA

–4mA

–2mA

T

C

=25C

2SB954 ， 2SB954A

I

C

— V

CE

–10

V

CE

=–4V

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

30

集电极电流I

C

(A)

40

–2.0

–8

–6

25C

T

C

=100C

–4

–25C

(1)

20

10

(3)

(4)

0

0

20

40

(2)

– 0.5

–2

0

60

80 100 120 140 160

0

–1

–2

–3

–4

–5

–6

0

0

– 0.4

– 0.8

–1.2

–1.6

–2.0

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–100

I

C

/I

B

=10

–30

–10

–3

–1

25C

T

C

=100C

–25C

10000

h

FE

— I

C

10000

V

CE

=–4V

3000

1000

300

100

30

10

3

f

T

— I

C

V

CE

=–5V

f=10MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

1000

300

100

30

10

3

1

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

25C

T

C

=100C

–25C

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

过渡频率f

T

（兆赫）

–1

–3

–10

3000

–1

–3

–10

1

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

安全操作区（ ASO ）

–100

–30

10

3

非重复脉冲

T

C

=25C

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

(1)

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10

2

–10

–3

–1

I

CP

t=10ms

I

C

DC

10

(2)

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

–1

1

10

–1

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB954 2SB954A

描述

·带

TO- 220Fa包

高

正向电流传输比H

FE

它具有良好的线性度

ULOW

集电极饱和电压

应用

For

功率放大

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

固电

IN

导½

半

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

ES

昂

CH

2SB954

2SB954A

2SB954

2SB954A

发射极开路

ND

ICO

EM

条件

OR

UCT

价值

-60

-80

-60

-80

-5

-1

-2

单位

V

开基

V

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极开路

V

A

A

T

a

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

2

W

30

150

-55~150

℃

℃

1

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2SB954

I

C

= -30mA ;我

B

=0

2SB954A

I

C

= -1.0A ;我

B

=-0.125A

I

C

= -1A ; V

CE

=-4V

2SB954

2SB954A

2SB954

2SB954A

V

CE

= -30V ;我

B

=0

条件

2SB954 2SB954A

民

-60

典型值。

最大

单位

V

首席执行官

集电极 - 发射极

电压

V

-80

-1.0

-1.3

V

V

V

CESAT

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

I

首席执行官

集热器

截止电流

-300

V

CE

= -60V ;我

B

=0

V

CE

=-60V; V

BE

=0

-200

V

CE

=-80V; V

BE

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.2A ; V

CE

=-4V

I

C

= -1A ; V

CE

=-4V

70

-1

μA

I

CES

集热器

截止电流

μA

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

t

on

t

s

t

f

发射极截止电流

mA

电半

固

TRUN -时间

贮存时间

下降时间

直流电流增益

直流电流增益

导½

跃迁频率

I

C

= -0.2A ; V

CE

=-5V,f=10MHz

IN

的HAn

C

P

ES

G

I

C

= -1A ; V

CC

=-50V

I

B1

= -0.1A ，我

B2

=0.1A

ND

ICO

EM

OR

UCT

250

15

30

0.5

1.2

0.3

兆赫

μs

μs

μs

h

FE-1

分类

Q

70-150

120-250

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB954 2SB954A

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸（ unindicated公差：

±0.15

mm)

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB954 2SB954A

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

4

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB954 2SB954A

描述

·采用TO- 220Fa包

·高正向电流传输比H

FE

它具有良好的线性度

·低集电极饱和电压

应用

·对于功率放大

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

2SB954

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SB954A

2SB954

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SB954A

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

30

150

-55~150

集电极开路

开基

-80

-5

-1

-2

2

W

V

A

A

发射极开路

-80

-60

V

条件

价值

-60

V

单位

1

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极

电压

2SB954

I

C

= -30mA ;我

B

=0

2SB954A

I

C

= -1.0A ;我

B

=-0.125A

I

C

= -1A ; V

CE

=-4V

2SB954

2SB954A

2SB954

2SB954A

V

CE

= -30V ;我

B

=0

条件

符号

2SB954 2SB954A

民

-60

典型值。

最大

单位

V

首席执行官

V

-80

-1.0

-1.3

V

V

V

CESAT

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集热器

截止电流

I

首席执行官

-300

V

CE

= -60V ;我

B

=0

V

CE

=-60V; V

BE

=0

-200

V

CE

=-80V; V

BE

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.2A ; V

CE

=-4V

I

C

= -1A ; V

CE

=-4V

I

C

= -0.2A ; V

CE

=-5V,f=10MHz

70

15

30

0.5

I

C

= -1A ; V

CC

=-50V

I

B1

= -0.1A ，我

B2

=0.1A

1.2

0.3

-1

250

A

I

CES

集热器

截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

TRUN -时间

贮存时间

下降时间

A

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

t

on

t

s

t

f

mA

兆赫

s

s

s

h

FE-1

分类

Q

70-150

P

120-250

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB954 2SB954A

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB954 2SB954A

4

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB954 2SB954A

描述

·带

TO- 220Fa包

高

正向电流传输比H

FE

它具有良好的线性度

ULOW

集电极饱和电压

应用

For

功率放大

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SB954

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SB954A

2SB954

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SB954A

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

30

150

-55~150

℃

℃

集电极开路

开基

-80

-5

-1

-2

2

W

V

A

A

发射极开路

-80

-60

V

条件

价值

-60

V

单位

1

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2SB954

I

C

= -30mA ;我

B

=0

2SB954A

I

C

= -1.0A ;我

B

=-0.125A

I

C

= -1A ; V

CE

=-4V

2SB954

2SB954A

2SB954

2SB954A

V

CE

= -30V ;我

B

=0

条件

2SB954 2SB954A

民

-60

典型值。

最大

单位

V

首席执行官

集电极 - 发射极

电压

V

-80

-1.0

-1.3

V

V

V

CESAT

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

I

首席执行官

集热器

截止电流

-300

V

CE

= -60V ;我

B

=0

V

CE

=-60V; V

BE

=0

-200

V

CE

=-80V; V

BE

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.2A ; V

CE

=-4V

I

C

= -1A ; V

CE

=-4V

I

C

= -0.2A ; V

CE

=-5V,f=10MHz

70

15

30

0.5

I

C

= -1A ; V

CC

=-50V

I

B1

= -0.1A ，我

B2

=0.1A

1.2

0.3

-1

250

μA

I

CES

集热器

截止电流

μA

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

t

on

t

s

t

f

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

TRUN -时间

贮存时间

下降时间

mA

兆赫

μs

μs

μs

h

FE-1

分类

Q

70-150

P

120-250

2

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2SB954 2SB954A

图2外形尺寸（ unindicated公差：

±0.15

mm)

3

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB954 2SB954A

4

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联系人：连

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联系人：杨小姐

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2SB954A

-

-

-

-

终端采购配单精选

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联系人：陈泽强

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联系人：刘经理

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