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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1709
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
.Built式
阻尼二极管
应用
●颜色
电视水平偏转输出
●颜色
显示水平偏转输出
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
800
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流 - 连续
5
A
I
CP
集电极电流脉冲
16
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
100
W
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD1709
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0
800
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 2A
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 2A
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 800V ;我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4V ;我
C
= 0
40
130
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
I
C
= 4A ，我
B1
= 0.8A ;我
B2
= -1.6A
P
W
= 20μs的;值班Cycle≤1 ％
8
t
f
下降时间
0.5
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1709
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
.Built式
阻尼二极管
应用
●颜色
电视水平偏转输出
●颜色
显示水平偏转输出
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1500
V
800
V
6
V
5
A
16
A
100
W
I
C
集电极电流 - 连续
I
CP
集电极电流脉冲
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
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典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0
800
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 2A
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 2A
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 800V ;我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4V ;我
C
= 0
h
FE-1
直流电流增益
t
f
下降时间
w
em
cs
。是
w
w
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
I
C
= 4A ，我
B1
= 0.8A ;我
B2
= -1.6A
P
W
= 20μs的;值班Cycle≤1 ％
.CN
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8
40
130
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2SC4188F
28C04AI/P
265550
2N7282D2
供货商
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联系人：刘经理
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全新原装正品/质量有保证
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