2SK3921-01L,S,SJ
超级FAP -G系列
特点
高速开关
无二次breadown
雪崩型
低导通电阻
低驱动功率
FUJI功率MOSFET
200509
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
UPS （不间断电源）
看到P4
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
不重复
最大雪崩能量
重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
评级
120
90
67
±268
±30
67
719.1
27.0
20
5
2.02
270
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
W
°C
°C
备注
VGS=-30V
注* 1
注* 2
注* 3
VDS < 120V
=
注* 4
Ta=25°C
Tc=25°C
栅极（G ）
源极（S ）
等效电路示意
漏极（D ）
注* 1 Tch< 150℃
=
注* 2起总胆固醇= 25 ° C，I
AS
= 27A ， L = 1.32mH ，V
CC
= 48V ，R
G
=50Ω
E
AS
受到最大通道temperrature和雪崩电流。
看到“雪崩能量”图。
注* 3 Repetitve评价：脉冲宽度有限的最大通道温度。
看到“瞬态热阻抗”图。
注* 4 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
=
=
=
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250
μ
A
V
GS
=0V
I
D
= 250
μ
A
V
DS
=V
GS
V
DS
=120V
V
DS
=96V
V
GS
=±30V
I
D
=33.5A
V
GS
=0V
V
GS
=0V
V
DS
=0V
V
GS
=10V
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
分钟。
120
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
30.0
单位
V
V
μA
nA
mΩ
S
pF
I
D
= 33.5A V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 48V我
D
=33.5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Ω
V
CC
=60V
I
D
=67A
V
GS
=10V
I
F
= 67A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 67A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
14
24.6
28
1880
2820
360
540
30
45
20
30
35
53
50
75
23
35
52
78
16
24
18
27
1.10
1.50
150
0.9
ns
nC
V
ns
μC
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.463
62.0
单位
° C / W
° C / W
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
1
2SK3921-01L,S,SJ
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
280
140
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
μ
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
20V
240
120
10V
200
100
8.0V
PD [ W]
ID [ A]
160
80
7.5V
60
7.0V
120
80
40
6.5V
6.0V
VGS=5.5V
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
1
2
3
4
5
6
7
TC [
°
C]
VDS [V]的
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
μ
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
μ
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
100
10
ID [ A]
10
GFS [S]
1
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
1
10
100
VGS电压[V]的
ID [ A]
0.20
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
μ
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
7.0V
7.5V
0.08
0.07
0.06
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 33.5A ， VGS = 10V
VGS = 5.5V 6.0V 6.5V
0.16
RDS （上）
Ω
]
RDS （上）
Ω
]
0.12
0.05
0.04
马克斯。
0.03
典型值。
0.02
0.08
0.04
10V
20V
0.01
0.00
0.00
0
20
40
60
80
100
120
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3921-01L,S,SJ
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
μ
A
14
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 67A ，总胆固醇= 25
°
C
12
VGS （ TH） [V]
5.0
4.5
马克斯。
10
Vcc=60V
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
分钟。
VGS电压[V]的
4.0
8
6
4
2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
μ
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
西塞
10
3
10
C [ pF的]
10
2
IF [ A]
1
0.1
0.00
科斯
CRSS
10
1
10
0
10
1
10
2
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
VDS [V]的
VSD [V]的
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 48V ， VGS = 10V ， RG = 10
Ω
tf
10
3
800
700
600
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 48V ， I（ AV） < = 67A
I
AS
=27A
TD （关闭）
2
500 I
AS
=41A
10
EAV [兆焦耳]
T [ NS ]
400
300
200
100
I
AS
=67A
TD （上）
10
1
tr
10
0
0
-1
10
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3921-01L,S,SJ
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=48V
FUJI功率MOSFET
10
3
雪崩电流I
AV
[A]
10
2
单脉冲
10
1
10
0
10
-8
10
-1
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
外形图[MM ]
T-包（ L）
T-包（ S）
T-包（ SJ ） D2-包]
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
4
QQ：2880707522 复制
