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JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB755
描述
·带
MT- 200封装
.Complement
键入2SD845
高
跃迁频率
高
击穿电压： V
首席执行官
=-150V(min)
应用
For
功率放大器的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
Collectorl功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-150
-150
-5
-12
-1.2
120
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
I
E
= -10mA ;我
C
=0
I
C
= -5 A;我
B
=-0.5 A
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -150V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
55
20
450
民
-150
-5
典型值。
2SB755
最大
单位
V
V
-2.0
-1.5
-50
-50
160
V
V
μA
μA
兆赫
pF
h
FE
分类
R
55-110
O
80-160
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB755
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB755
·
描述
·采用MT- 200封装
·补键入2SD845
·高转换频率
·高击穿电压： V
首席执行官
=-150V(min)
应用
·对于功率放大器的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
Collectorl功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-150
-150
-5
-12
-1.2
120
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
I
E
= -10mA ;我
C
=0
I
C
= -5 A;我
B
=-0.5 A
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -150V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
55
20
450
民
-150
-5
典型值。
2SB755
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
最大
单位
V
V
-2.0
-1.5
-50
-50
160
V
V
A
A
兆赫
pF
h
FE
分类
R
55-110
O
80-160
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB755
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB755
描述
·带
MT- 200封装
.Complement
键入2SD845
高
跃迁频率
高
击穿电压： V
首席执行官
=-150V(min)
应用
For
功率放大器的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
导½
半
的HAn
INC。
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极 - 基极电压
ES
G
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-150
-150
-5
-12
-1.2
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
开基
集电极开路
Collectorl功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
120
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
I
E
= -10mA ;我
C
=0
I
C
= -5 A;我
B
=-0.5 A
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -150V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
55
20
民
-150
-5
典型值。
2SB755
最大
单位
V
V
-2.0
-1.5
-50
-50
160
V
V
μA
μA
固电
IN
输出电容
导½
半
h
FE
分类
R
55-110
O
80-160
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
450
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB755
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
3 4.3
最大
5.3MAx.,
%?i%?#!i
c
(Ta=25"C)
2-3PA1A
I
EE:
的hFE
＃ ） - A R ： 55-110 ，
0 :
80-160
looo
500
300
2
v
'3
H
.$
6
n
1
I-
-10
-8
-6
10
-4
-2
I
I I-201
余吨
-^
I I
I
I
5
3
-QOl
I I
I I
I
I 1
厕所
50
30
-0.03 -0.1 -0.3
-1
-3
-10
-30
-8
-6
25
50
75
100
EJP3l&alE
125
Ta
I.50
175 200
（ "C ）
E（ V）
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB755
描述
·带
MT- 200封装
.Complement
键入2SD845
高
跃迁频率
高
击穿电压： V
首席执行官
=-150V(min)
应用
For
功率放大器的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
Collectorl功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-150
-150
-5
-12
-1.2
120
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
I
E
= -10mA ;我
C
=0
I
C
= -5 A;我
B
=-0.5 A
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -150V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
55
20
450
民
-150
-5
典型值。
2SB755
最大
单位
V
V
-2.0
-1.5
-50
-50
160
V
V
μA
μA
兆赫
pF
h
FE
分类
R
55-110
O
80-160
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB755
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