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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第619页 > 2SA886
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA886
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入2SC1847
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压
应用
For
低频功率放大
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最高可额定值( TA = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-50
-40
-5
-1.5
-3.0
1.2*
1
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
5*
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
单位
V
V
V
A
A
W
150
-55~150
注)* 1 :不带散热片
* 2 :使用100
×
100
×
2毫米A1散热器
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
=-2mA;I
B
=0
I
C
= -1mA ,我
E
=0
I
C
= -1.5A ;我
B
=-0.15A
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
V
CB
= -20V ;我
E
=0
V
CE
= -10V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-20V;f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CB
=-5V,f=200MHz
80
45
150
-40
-50
典型值。
2SA886
最大
单位
V
V
-1.0
-1.5
-1
-100
-10
220
V
V
μA
μA
μA
pF
兆赫
h
FE
分类
Q
80-160
R
120-220
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA886
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA886
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA886
描述
·采用TO- 126封装
·补键入2SC1847
·低集电极 - 发射极饱和电压
应用
·对于低频功率放大
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最高可额定值( TA = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-50
-40
-5
-1.5
-3.0
1.2*
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
5*
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
1
单位
V
V
V
A
A
W
150
-55~150
注)* 1 :不带散热片
* 2 :使用一个100 ×100× 2毫米A1散热器
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
=-2mA;I
B
=0
I
C
= -1mA ,我
E
=0
I
C
= -1.5A ;我
B
=-0.15A
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
V
CB
= -20V ;我
E
=0
V
CE
= -10V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-20V;f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CB
=-5V,f=200MHz
80
45
150
-40
-50
2SA886
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
-1.0
-1.5
-1
-100
-10
220
V
V
A
A
A
pF
兆赫
h
FE
分类
Q
80-160
R
120-220
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA886
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA886
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA886
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入2SC1847
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压
应用
For
低频功率放大
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
·
绝对最高可额定值( TA = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-50
-40
-5
-1.5
-3.0
1.2*
1
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
5*
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
单位
V
V
V
A
A
W
150
-55~150
注)* 1 :不带散热片
* 2 :使用100
×
100
×
2毫米A1散热器
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
=-2mA;I
B
=0
I
C
= -1mA ,我
E
=0
I
C
= -1.5A ;我
B
=-0.15A
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
B
2SA886
-40
-50
典型值。
最大
单位
V
V
-1.0
-1.5
-1
-100
-10
80
45
150
220
V
V
μA
μA
μA
V
CB
= -20V ;我
E
=0
V
CE
= -10V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-20V;f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CB
=-5V,f=200MHz
pF
兆赫
h
FE
分类
Q
80-160
R
120-220
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA886
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA886
4
功率晶体管
2SA0886
(2SA886)
PNP硅外延平面型
对于低频功率放大
补充2SC1847
φ
3.16
±0.1
3.8
±0.3
单位:mm
8.0
+0.5
–0.1
3.2
±0.2
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
40
5
1.5
3
1.2
150
55
to
+150
单位
V
4.6
±0.2
0.75
±0.1
0.5
±0.1
0.5
±0.1
2.3
±0.2
3
1.76
±0.1
V
V
A
A
W
°C
°C
1
2
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
*
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
I
C
=
1
妈,我
E
= 0
I
C
=
2
妈,我
B
= 0
V
CB
= 20
V,I
E
=
0
V
CE
= 10
V,I
B
=
0
V
EB
= 5
V,I
C
=
0
V
CE
= 5
V,I
C
= 1
A
I
C
= 1.5
A,I
B
=
0.15 A
I
C
= 2
A,I
B
=
0.2 A
V
CB
= 5
V,I
E
=
0.5 A,F
=
200兆赫
V
CB
=
20
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
150
45
80
50
40
1
100
10
220
1.0
1.5
典型值
最大
单位
V
V
A
A
A
V
V
兆赫
pF
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
h
FE1
Q
80至160
R
120至220
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年2月
SJD00003BED
16.0
±1.0
可以通过互补配对而获得的4 W输出
2SC1847
TO- 126B封装,无需保温板功能的安装
灰到散热器
1.9
±0.1
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
TO- 126B -A1套餐
3.05
±0.1
特点
11.0
±0.5
1
2SA0886
P
C
T
a
1.6
–4.0
–3.5
I
C
V
CE
T
C
=25C
I
B
=–40mA
–35mA
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
–10
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
1.2
–3.0
–2.5
–30mA
–25mA
–20mA
–1
0.8
–2.0
–15mA
–1.5
–1.0
–0.5
–10mA
–5mA
T
C
=100C
–0.1
0.4
25C
–25C
0
0
40
80
120
160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–0.01
–0.01
–0.1
–1
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
I
C
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
h
FE
I
C
240
V
CE
=–5V
f
T
I
E
V
CB
=–5V
f=200MHz
T
C
=25C
–10
1000
正向电流传输比H
FE
T
C
=100C
25C
过渡频率f
T
(兆赫)
200
160
–1
T
C
=–25C
100C
25C
100
–25C
120
–0.1
10
80
40
–0.01
–0.01
–0.1
–1
1
–0.01
–0.1
–1
0
0.01
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(A)
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
–60
V
CER
R
BE
1000
T
C
=25C
I
首席执行官
T
a
V
CE
=–12V
140
120
100
80
60
40
20
0
–1
集电极 - 发射极电压
(V)
( B和E之间的电阻)V
CER
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
–50
–30
I
首席执行官
(T
a
)
I
首席执行官
(T
a
=
25°C)
–40
100
–20
10
–10
–10
–100
0
0.001
1
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
100
120
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
基极 - 发射极电阻R
BE
(k)
环境温度T
a
(°C)
2
SJD00003BED
2SA0886
安全工作区
10
I
CP
单脉冲
T
C
=25C
R
th
t
10
4
( 1 )不带散热片
(2)在一个100 ×100× 2毫米铝散热器
集电极电流I
C
(A)
1
I
C
t=10ms
热阻R
th
( ° C / W)
10
3
t=1s
10
2
(1)
(2)
0.1
10
0.01
1
0.001
0.1
1
10
100
10
1
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
时间t (S )
SJD00003BED
3
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保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
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松下电器产业株式会社许可
2002年七月
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SA886
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SA886
MAT
2443+
23000
TO-126
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003494137 复制 点击这里给我发消息 QQ:3003494136 复制

电话:0755-15913992480
联系人:林
地址:深圳市福田区东方时代A2705
2SA886
MAT
23+
3980
TO-126
火爆销售.全新原装.深圳市场最低价!
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SA886
HGF/恒光发
24+
9634
TO-126
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SA886
HGF/恒光发
21+
15140
TO-126
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SA886
√ 欧美㊣品
▲10/11+
7943
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881239445 复制

电话:0755-83264115
联系人:朱生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
2SA886
MAT
12+
10000
TO-126
全新原装,绝对正品,公司现货供应
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SA886
MAT
24+
32000
TO-126
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2850388359 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850388357 复制
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