SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA886
描述
·采用TO- 126封装
·补键入2SC1847
·低集电极 - 发射极饱和电压
应用
·对于低频功率放大
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最高可额定值( TA = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-50
-40
-5
-1.5
-3.0
1.2*
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
5*
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
1
单位
V
V
V
A
A
W
150
-55~150
注)* 1 :不带散热片
* 2 :使用一个100 ×100× 2毫米A1散热器
功率晶体管
2SA0886
(2SA886)
PNP硅外延平面型
对于低频功率放大
补充2SC1847
φ
3.16
±0.1
3.8
±0.3
单位:mm
8.0
+0.5
–0.1
3.2
±0.2
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
40
5
1.5
3
1.2
150
55
to
+150
单位
V
4.6
±0.2
0.75
±0.1
0.5
±0.1
0.5
±0.1
2.3
±0.2
3
1.76
±0.1
V
V
A
A
W
°C
°C
1
2
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
*
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
I
C
=
1
妈,我
E
= 0
I
C
=
2
妈,我
B
= 0
V
CB
= 20
V,I
E
=
0
V
CE
= 10
V,I
B
=
0
V
EB
= 5
V,I
C
=
0
V
CE
= 5
V,I
C
= 1
A
I
C
= 1.5
A,I
B
=
0.15 A
I
C
= 2
A,I
B
=
0.2 A
V
CB
= 5
V,I
E
=
0.5 A,F
=
200兆赫
V
CB
=
20
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
150
45
80
民
50
40
1
100
10
220
1.0
1.5
典型值
最大
单位
V
V
A
A
A
V
V
兆赫
pF
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
秩
h
FE1
Q
80至160
R
120至220
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年2月
SJD00003BED
16.0
±1.0
可以通过互补配对而获得的4 W输出
2SC1847
TO- 126B封装,无需保温板功能的安装
灰到散热器
1.9
±0.1
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
TO- 126B -A1套餐
3.05
±0.1
■
特点
11.0
±0.5
1
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如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
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保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
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松下电器产业株式会社许可
2002年七月