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功率晶体管
2SB1498
PNP硅三重扩散平面型
单位:mm
7.0±0.3
3.5±0.2
对于开关电源
7.2±0.3
0.8±0.2
3.0±0.2
1.0±0.2
q
q
q
高速开关
高集电极到基极电压V
CBO
I型包使散热片直接焊接到
在印刷电路板,小型电子设备等。
10.0
–0.
+0.3
s
特点
1.1±0.1
0.75±0.1
0.85±0.1
0.4±0.1
2.3±0.2
4.6±0.4
1
2
3
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
I型包
3.5±0.2
2.0±0.2
(T
C
=25C)
7.0±0.3
单位:mm
0 0.15
评级
–600
–600
–7
– 0.6
– 0.3
15
1.3
150
-55到+150
单位
V
10.2±0.3
V
V
A
A
3.0±0.2
7.2±0.3
1.0最大。
2.5
0.75±0.1
1.1±0.1
0.5 MAX 。
0.9±0.1
0 0.15
W
C
C
1
2
3
2.3±0.2
4.6±0.4
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
我型封装( Y)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= -600V ,我
E
= 0
V
EB
= -7V ,我
C
= 0
I
C
= -10mA ,我
B
= 0
V
CE
= -5V ,我
C
= -50mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -150mA
I
C
= -150mA ,我
B
= -30mA
I
C
= -150mA ,我
B
= -30mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -50mA , F = 1MHz的
I
C
= -150mA ,
I
B1
= -30mA ,我
B2
= 60毫安,
V
CC
= –200V
10
1.0
3.5
0.5
–600
30
8
–1.0
–1.5
V
V
兆赫
s
s
s
典型值
最大
–100
–100
单位
A
A
V
2.5±0.2
1.0
2.5±0.2
1.0
1
功率晶体管
P
C
- TA
20
–1.2
(1) T
C
= TA
(2)不带散热片
(P
C
=1.3W)
15
T
C
=25C
–1.0
2SB1498
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–100
I
C
/I
B
=5
–30
–10
–3
25C
–1
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
– 0.8
10
(1)
– 0.6
I
B
=–180mA
–100mA
–80mA
–60mA
–40mA
–20mA
–10mA
– 0.4
– 0.3 T
C
=–25C
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
100C
5
– 0.2
(2)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–1
–3
–10
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=5
1000
V
CE
=–5V
100
f
T
— I
C
V
CE
=–10V
f=1MHz
T
C
=25C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
正向电流传输比H
FE
–30
300
过渡频率f
T
(兆赫)
–1
–3
–10
30
–10
100
T
C
=100C
30
–25C
25C
10
10
–3
3
–1 T
C
=–25C
100C
25C
1
– 0.3
3
0.3
– 0.1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
0.1
– 0.001 – 0.003 – 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
— V
CB
1000
100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
30
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=5
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–150V
T
C
=25C
t
英镑
1
0.3
0.1
0.03
t
on
t
f
安全操作区( ASO )
–10
–3
非重复脉冲
T
C
=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
300
10
3
集电极电流I
C
(A)
–1
I
CP
I
C
t=1ms
10ms
100
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
30
10
300ms
3
– 0.003
– 0.001
–1
1
–1
0.01
–3
–10
–30
–100
0
– 0.1
– 0.2
– 0.3
– 0.4
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日(T )
— t
1000
注释:R
th
测量在Ta = 25℃,在自然对流。
( 1 )不带散热片
(2)在一个50
×
50
×
2毫米铝散热片
(1)
(2)
2SB1498
热阻R
th
(吨)( C / W)
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
3
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    -
    -
    -
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电话:0755-83264115
联系人:朱生
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MAT
12+
10000
TO-251 2
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PANASONIC/松下
22+
113673
DIP
有挂就有货 支持订货.备货
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联系人:刘经理
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PANASONIC
16
15052
ITYPE
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√ 欧美㊣品
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