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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第12页 > 2SB1548
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1548 2SB1548A
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SD2374 / 2374A
ULOW
集电极饱和电压
高
正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
应用
For
动力扩增
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SB1548
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SB1548A
2SB1548
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB1548A
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
-80
-5
-3
-5
2
W
V
A
A
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2SB1548
I
C
= -30mA ;我
B
=0
2SB1548A
I
C
= -3A ，我
B
=-0.375A
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
2SB1548
2SB1548A
2SB1548
2SB1548A
V
CB
= -60V ;我
E
=0
条件
2SB1548 2SB1548A
民
-60
典型值。
最大
单位
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
V
-80
-1.2
-1.8
V
V
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
I
CBO
集热器
截止电流
-200
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
-300
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V
70
10
30
-1
250
μA
I
首席执行官
集热器
截止电流
μA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -1.0A我
B1
=-I
B2
=-0.1A
0.5
1.2
0.3
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-150
P
120-250
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1548 2SB1548A
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1548 2SB1548A
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1548 2SB1548A
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SD2374 / 2374A
ULOW
集电极饱和电压
高
正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
应用
For
动力扩增
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SB1548
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SB1548A
2SB1548
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB1548A
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
-80
-5
-3
-5
2
W
V
A
A
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2SB1548
I
C
= -30mA ;我
B
=0
2SB1548A
I
C
= -3A ，我
B
=-0.375A
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
2SB1548
2SB1548A
2SB1548
2SB1548A
V
CB
= -60V ;我
E
=0
条件
2SB1548 2SB1548A
民
-60
典型值。
最大
单位
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
V
-80
-1.2
-1.8
V
V
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
I
CBO
集热器
截止电流
-200
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
-300
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V
70
10
30
-1
250
μA
I
首席执行官
集热器
截止电流
μA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -1.0A我
B1
=-I
B2
=-0.1A
0.5
1.2
0.3
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-150
P
120-250
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1548 2SB1548A
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1548 2SB1548A
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1548 2SB1548A
描述
·采用TO- 220F封装
·补键入2SD2374 / 2374A
·低集电极饱和电压
·高正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
应用
·对于电源扩增
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2SB1548
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SB1548A
2SB1548
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB1548A
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
集电极开路
开基
-80
-5
-3
-5
2
W
V
A
A
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SB1548
I
C
= -30mA ;我
B
=0
2SB1548A
I
C
= -3A ，我
B
=-0.375A
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
2SB1548
2SB1548A
2SB1548
2SB1548A
V
CB
= -60V ;我
E
=0
条件
符号
2SB1548 2SB1548A
民
-60
典型值。
最大
单位
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
V
-80
-1.2
-1.8
V
V
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
I
CBO
集热器
截止电流
-200
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
-300
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V
70
10
30
-1
250
A
I
首席执行官
集热器
截止电流
A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -1.0A我
B1
=-I
B2
=-0.1A
0.5
1.2
0.3
s
s
s
h
FE-1
分类
Q
70-150
P
120-250
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1548 2SB1548A
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1548 2SB1548A
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1548 2SB1548A
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SD2374 / 2374A
ULOW
集电极饱和电压
高
正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
应用
For
动力扩增
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
固电
IN
导½
半
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
的HAn
C
ES
G
2SB1548
2SB1548A
2SB1548
2SB1548A
ND
ICO
EM
条件
发射极开路
开基
集电极开路
OR
UCT
价值
-60
-80
-60
单位
V
V
-80
-5
-3
-5
V
A
A
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
W
25
150
-55~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2SB1548
I
C
= -30mA ;我
B
=0
2SB1548A
I
C
= -3A ，我
B
=-0.375A
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
2SB1548
2SB1548A
2SB1548
2SB1548A
V
CB
= -60V ;我
E
=0
条件
2SB1548 2SB1548A
民
-60
典型值。
最大
单位
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
V
-80
-1.2
-1.8
V
V
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
I
CBO
集热器
截止电流
-200
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
-300
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
70
-1
μA
I
首席执行官
集热器
截止电流
μA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
固电
IN
直流电流增益
直流电流增益
导½
半
跃迁频率
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
昂
CH
MIC
ê SE
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
ND
O
10
OR
UCT
250
30
0.5
mA
兆赫
μs
μs
μs
I
C
= -1.0A我
B1
=-I
B2
=-0.1A
1.2
0.3
h
FE-1
分类
Q
70-150
P
120-250
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1548 2SB1548A
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1548 2SB1548A
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
4
功率晶体管
2SB1548 ， 2SB1548A
PNP硅外延平面型
进行功率放大
补充2SD2374和2SD2374A
s
特点
q
q
q
单位：mm
15.0±0.5
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SB1548
2SB1548A
2SB1548
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(T
C
=25C)
评级
–60
–80
–60
–80
–5
–5
–3
25
2
150
-55到+150
单位
V
φ3.2±0.1
13.7±0.2
4.2±0.2
1.4±0.2
1.6±0.2
0.8±0.1
3.0±0.5
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
9.9±0.3
4.6±0.2
2.9±0.2
2.6±0.1
发射极电压2SB1548A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
V
0.55±0.15
1
2
A
A
W
C
C
2.54±0.3
3 5.08±0.5
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220D全包套餐
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB1548
2SB1548A
2SB1548
2SB1548A
2SB1548
2SB1548A
(T
C
=25C)
符号
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1*
h
FE2
V
BE
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
C
= -1A ，我
B1
= - 0.1A ，我
B2
= 0.1A
条件
V
CE
= –60V, V
BE
= 0
V
CE
= –80V, V
BE
= 0
V
CE
= -30V ，我
B
= 0
V
CE
= -60V ，我
B
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
I
C
= -30mA ，我
B
= 0
V
CE
= -4V ，我
C
= –1A
V
CE
= -4V ，我
C
= –3A
V
CE
= -4V ，我
C
= –3A
I
C
= -3A ，我
B
= – 0.375A
V
CE
= -10V ，我
C
= - 0.5A ， F = 10MHz时
30
0.5
1.2
0.3
–60
–80
70
10
–1.8
–1.2
V
V
兆赫
s
s
s
250
V
民
典型值
最大
–200
–200
–300
–300
–1
单位
A
A
mA
正向电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE1
等级分类
Q
70至150
P
120至250
秩
h
FE1
注：订货可以通过共同的秩进行PQ（秩
FE1
= 70 250）中的等级分类。
1
功率晶体管
P
C
- TA
40
–6
(1) T
C
= TA
（2）不带散热片（P
C
=2W)
T
C
=25C
2SB1548 ， 2SB1548A
I
C
— V
CE
–8
–7
–5
V
CE
=–4V
T
C
=25C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
36
32
28
(1)
24
20
16
12
8
4
0
0
20
(2)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
–6
–5
–4
–3
–2
–1
0
–4
I
B
=–100mA
–80mA
–3
–60mA
–40mA
–30mA
–2
–20mA
–16mA
–12mA
–8mA
–4mA
–1
0
40
60
80 100 120 140 160
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
0
– 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8 –1.0
–1.2
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–10
–3
–1
I
C
/I
B
=10
T
C
=25C
10000
h
FE
— I
C
1000
V
CE
=–4V
T
C
=25C
300
100
30
10
3
1
0.3
f
T
— I
C
V
CE
=–10V
f=10MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.003
– 0.001
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
3000
–1
–3
–10
0.1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全操作区（ ASO ）
–100
–30
10
3
非重复脉冲
T
C
=25C
R
日（T ）
— t
（ 1 ）不带散热片
（2）在一个100
×
80
×
t2mm铝散热片
(1)
(2)
10
热阻R
th
（吨）（ C / W）
集电极电流I
C
(A)
10
2
–10
–3
–1
I
CP
I
C
DC
t=1ms
10ms
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
1
10
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
时间t （S ）
2
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