HMC216MS8
/
216MS8E
v02.0705
砷化镓表面贴装双平衡FET
调音台， 1.3 - 2.5 GHz的
典型应用
该HMC216MS8 / HMC216MS8E是理想的：
基站
特点
IP3 （输入） ： +25 dBm的@ +11 dBm的LO
LO范围从3到+11 dBm的
转换损耗： 8.5分贝
LO / RF隔离： 32分贝
7
调音台 - SMT
WirelessLAN
- PCMCIA
便携式无线
工作原理图
概述
该HMC216MS8 & HMC216MS8E是超MIN-
iature双平衡FET混频器的8引脚塑料
表面贴装封装（ MSOP ） 。这MMIC混频器
砷化镓开关FET和新颖的平面构成
变压器平衡不平衡转换器芯片上。除了一个LO
驱动器的3到13 dBm时的栅极电压VGG = -0.9
至-1.6伏是必需的。该装置可被用作一个
上变频器，下变频器或1900或2400兆赫
应用程序。一贯MMIC性能会
提高系统的运行，保证规定的COM
顺应性。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C，作为LO驱动器的功能， VGG = -1.2伏
LO = +11 dBm的
参数
分钟。
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
27
17
21
8
典型值。
1.3 - 2.5
DC - 0.65
9
9
30
20
25
11
10.5
10.5
27
17
14
5
马克斯。
分钟。
典型值。
1.6 - 2.3
DC - 0.5
8.5
8.5
32
20
18
10
10
10
27
17
8
3
马克斯。
分钟。
典型值。
1.7 - 2.0
DC - 0.4
9
9
32
20
12
8
10.5
10.5
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
LO = +7 dBm的
LO = +3 dBm的
单位
7 - 78
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC216MS8 / 216MS8E
v02.0705
砷化镓表面贴装双平衡FET
调音台， 1.3 - 2.5 GHz的
转换损耗VS
温度@ LO = +7 dBm的
-6
-8
转换损耗（dB ）
-10
隔离@ LO = +7 dBm的
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
射频/中频
LO / IF
LO / RF
-12
-14
-16
-18
-20
-22
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
-40 C
+25 C
+85 C
7
调音台 - SMT
7 - 79
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
转换损耗与LO驱动
0
回波损耗@ LO = +7 dBm的
0
转换损耗（dB ）
-5
回波损耗（分贝）
-5
-10
-10
+3 dBm的
+5 dBm的
+7 dBm的
+9 dBm的
+11 dBm的
-15
RF
IF
LO
-15
-20
-20
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
-25
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
中频带宽@ LO = +7 dBm的
0
P1dB为与温度的关系为
LO = +7 dBm时， VGG = -1.2伏
14
12
10
8
6
-40 C
+25 C
+85 C
转换损耗（dB ）
-5
P1dB的（ DBM）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-10
-15
-20
4
2
1.2
-25
IF频率（GHz ）
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC216MS8 / 216MS8E
v02.0705
砷化镓表面贴装双平衡FET
调音台， 1.3 - 2.5 GHz的
输入IP3与温度
和VGG为@ LO = +7 dBm的
23
三阶截取（ DBM）
22
21
20
19
18
17
16
15
-1.6
-40 C
+25 C
+85 C
输入IP3主场迎战LO驱动器和VGG
30
三阶截取（ DBM）
7
调音台 - SMT
25
+5 dBm的
+7 dBm的
+9 dBm的
+11 dBm的
20
15
10
-1.6
-1.5
-1.3
-1.2
-1.1
-0.9
-0.8
-1.5
-1.3
-1.2
-1.1
-0.9
-0.8
栅极电压（ V）
栅极电压（ V）
输入IP2与温度的关系
和VGG为@ LO = +7 dBm的
60
第二截（ DBM）
55
50
45
40
35
30
25
20
-1.6
-40 C
+25 C
+85 C
-1.5
-1.3
-1.2
-1.1
-0.9
-0.8
栅极电压（ V）
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
14
45
83
>105
1
-1
0
45
67
>105
2
14
28
59
62
>105
3
24
21
55
59
85
4
40
46
50
77
96
LO谐波
LO频率。
（千兆赫）
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
非线性光学马刺在RF端口
1
41
38
34
31
29
32
2
47
47
41
37
38
45
3
61
72
69
72
74
65
4
78
71
72
79
74
74
RF = 1.975 GHz的@ -10 dBm的
LO = 1.8 GHz的@ +7 dBm时， VGG = -1.2V
在dBc的所有值低于中频功率电平（ -1RF + 1LO ） 。
LO = +7 dBm时， VGG = 1.2V
值以dBc以下输入LO电平的RF端口进行测量。
7 - 80
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC216MS8 / 216MS8E
v02.0705
砷化镓表面贴装双平衡FET
调音台， 1.3 - 2.5 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+27 dBm的
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
7
调音台 - SMT
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
外形绘图
包装信息
产品型号
HMC216MS8
HMC216MS8E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H216
XXXX
H216
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
7 - 81
HMC216MS8 / 216MS8E
v02.0705
砷化镓表面贴装双平衡FET
调音台， 1.3 - 2.5 GHz的
评估电路板
7
调音台 - SMT
材料的评价PCB 102037一览
项
J1 - J3
J4, J5
U1
PCB
[2]
描述
印刷电路板安装SMA射频连接器
DC引脚
HMC216MS8 / HMC216MS8E搅拌机
102035评估板
[1]
[1]订购完整的评估电路板时参考此号码
[ 2 ]电路板材质：罗杰斯4350
在网络连接纳尔申请中使用的电路板
应使用RF电路设计技术。信号
线应该有50欧姆的阻抗，而
包地线应连接
直接将类似于所示的接地平面。
应采用通孔一苏夫网络cient数
连接顶部和底部的接地平面。
所示的评估电路板可
从赫梯要求。
7 - 82
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC216MS8
/
216MS8E
v02.0705
典型应用
基站
该HMC216MS8 / HMC216MS8E是理想的：
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
WirelessLAN
- PCMCIA
便携式无线
工作原理图
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
特点
输入IP3 ： +25 dBm的@ +11 dBm的LO
LO范围从3到+11 dBm的
转换损耗： 8.5分贝
LO / RF隔离： 32分贝
砷化镓表面贴装双平衡
FET混频器， 1.3 - 2.5 GHz的
新
为
DED
描述
一般
MEN
COM
该HMC216MS8 & HMC216MS8E是超小型
牛逼RE
在8引脚塑料表面双平衡FET混频器
No
s
IGN
DES
贴装封装（ MSOP ） 。这MMIC混频器
砷化镓开关FET和新颖的平面构成
变压器平衡不平衡转换器芯片上。除了一个LO
驱动器的3到13 dBm时的栅极电压VGG = -0.9
至-1.6伏是必需的。该装置可被用作
上变频器和下变频器1900或2400
MHz的应用。一贯MMIC性能
将提高系统的运行，保证规定
合规性。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C，作为LO驱动器的功能， VGG = -1.2伏
LO = +11 dBm的
参数
分钟。
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
27
17
21
8
典型值。
1.3 - 2.5
DC - 0.65
9
9
30
20
25
11
10.5
10.5
27
17
14
5
马克斯。
分钟。
典型值。
1.6 - 2.3
DC - 0.5
8.5
8.5
32
20
18
10
10
10
27
17
8
3
马克斯。
分钟。
典型值。
1.7 - 2.0
DC - 0.4
9
9
32
20
12
8
10.5
10.5
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
LO = +7 dBm的
LO = +3 dBm的
单位
10 - 1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC216MS8 / 216MS8E
v02.0705
转换损耗VS
温度@ LO = +7 dBm的
-4
-8
-12
-16
-40
-50
-60
-20
射频/中频
LO / IF
LO / RF
-24
1
1.5
2
2.5
3
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
频率（GHz ）
转换损耗与LO驱动
0
回波损耗@ LO = +7 dBm的
0
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
-10
+3 dBm的
+5 dBm的
+7 dBm的
+9 dBm的
+11 dBm的
-15
RF
IF
LO
-15
-20
-20
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
-25
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
中频带宽@ LO = +7 dBm的
0
P1dB为与温度的关系为
LO = +7 dBm时， VGG = -1.2伏
14
12
10
8
6
-40 C
+25 C
+85 C
转换损耗（dB ）
-5
P1dB的（ DBM）
-10
-15
-20
4
2
1.2
-25
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
IF频率（GHz ）
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
10 - 2
混频器 - 单&双平衡 - SMT
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
隔离@ LO = +7 dBm的
0
-10
-20
-30
隔离度（dB ）
-40 C
+25 C
+85 C
砷化镓表面贴装双平衡
FET混频器， 1.3 - 2.5 GHz的
转换损耗（dB ）
新
为
DED
MEN
COM
牛逼RE
No
s
IGN
DES
10
转换损耗（dB ）
HMC216MS8 / 216MS8E
v02.0705
输入IP3主场迎战LO驱动器和VGG
30
输入IP3 （ dBm的）
输入IP3 （ dBm的）
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
25
20
15
10
-1.6
-1.5
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
输入IP3与温度
和VGG为@ LO = +7 dBm的
24
+5 dBm的
+7 dBm的
+9 dBm的
+11 dBm的
砷化镓表面贴装双平衡
FET混频器， 1.3 - 2.5 GHz的
22
20
-1.3
-1.2
栅极电压（ V）
新
为
DED
MEN
COM
牛逼RE
No
16
-40 C
+25 C
+85 C
18
s
IGN
DES
-1.2
-1.1
-1.1
-0.9
-0.8
14
-1.6
-1.5
-1.3
-0.9
-0.8
栅极电压（ V）
输入IP2与温度的关系
和VGG为@ LO = +7 dBm的
60
50
IP2 （ dBm的）
-40 C
+25 C
+85 C
40
30
20
-1.6
-1.5
-1.3
-1.2
-1.1
-0.9
-0.8
栅极电压（ V）
10 - 3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC216MS8 / 216MS8E
v02.0705
MXN杂散输出
MRF
0
1
2
3
4
0
1
xx
14
45
83
>105
>105
>105
85
96
2.3
29
38
45
74
74
74
RF = 1.975 GHz的@ -10 dBm的
LO = 1.8 GHz的@ +7 dBm时， VGG = -1.2V
在dBc的所有值低于中频功率电平（ -1RF + 1LO ） 。
2.5
32
65
LO = +7 dBm时， VGG = 1.2V
值以dBc以下输入LO电平的RF端口进行测量。
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+27 dBm的
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
10 - 4
混频器 - 单&双平衡 - SMT
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
LO谐波
LO频率。
（千兆赫）
1.5
1.7
1
非线性光学
2
非线性光学马刺在RF端口
2
3
3
4
-1
0
14
24
21
40
41
47
61
28
46
50
38
45
67
59
55
59
1.9
2.1
34
31
62
砷化镓表面贴装双平衡
FET混频器， 1.3 - 2.5 GHz的
4
78
71
72
79
新
为
DED
MEN
COM
牛逼RE
No
77
s
IGN
DES
41
69
72
37
47
72
10
HMC216MS8 / 216MS8E
v02.0705
外形绘图
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
新
为
DED
MEN
COM
牛逼RE
No
s
IGN
DES
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
砷化镓表面贴装双平衡
FET混频器， 1.3 - 2.5 GHz的
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC216MS8
HMC216MS8E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H216
XXXX
H216
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
10 - 5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
QQ：2880707522 复制
