2N5912C
单片双
N沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix公司&国家2N5912C
该2N5912C是单片双JFET的。该
单片双芯片的设计减少了寄生效应和
给人以非常高的频率，而更好的性能
确保极为严格匹配。这些设备是
用作宽带差分的最佳选择
在严格的测试和测量放大器
应用程序。该2N5912C是直接替换
停产Siliconix公司和国家2N5912C 。
所述密封TO -71非常适合用于军事
应用程序。
（见包装信息） 。
特点是什么？
ImprovedDirectReplacementforSILICONIX&NATIONAL2N5912C
LOWNOISE(10KHz)
e
n
~4nV/√Hz
HIGHTRANSCONDUCTANCE(100MHz)
g
fs
≥4000S
1
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（总）
最大电流
栅极电流
最大电压不
栅漏
门源
MIN
‐‐
‐‐
0.95
‐‐
TYP
‐‐
‐‐
‐‐
MAX`
40
40
1
单位“
mV
μV/°C
%
‐65°Cto+150°C
‐55°Cto+135°C
500mW
50mA
‐25V
‐25V
条件“
V
DG
=10V,I
D
=5mA
V
DG
=10V,I
D
=5mA
T
A
=‐55°Cto+125°C
V
DS
=10V,V
GS
=0V
2N5912C应用：
宽带差分放大器
高速，温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器
.
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisestated)
SYMBOL
特点】
|V
GS1
–V
GS2
|
差分门源截止电压
|V
GS1
–V
GS2
|/T
差分门源截止
电压随温度的变化
I
DSS1
/I
DSS2
门源饱和电流比
|I
G1
–I
G2
|
差动电流门
g
fs1
/g
fs2
CMRR
点击购买
‐‐
20
1
nA
%
正向跨导率
2
共模抑制比
0.95
‐‐
‐‐
85
‐‐
dB
（典型值） *
‐‐
‐‐
0.7
‐‐
‐‐
‐1
‐1
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
7
4
马克斯。
‐5
‐‐
‐4
40
‐50
‐50
10000
10000
100
150
5
1.2
1
20
10
单位“
V
mA
pA
S
pF
dB
内华达州/ √Hz的
条件“
I
G
=‐1A,V
DS
=0V
V
DS
=10V,I
D
=1nA
I
G
=1mA,V
DS
=0V
V
DG
=10V,I
G
=5mA
V
DS
=10V,V
GS
=0V
V
GS
=‐15V,V
DS
=0V
V
DG
=10V,I
D
=5mA
V
DG
=10V,I
D
=5mA
正向跨导
输出电导
输入电容
反向传输电容
噪声系数
等效输入噪声电压
4000
4000
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
V
DG
=10V,I
D
=5mA
T
A
=+125°C
V
DS
=10V,I
D
=5mA,f=1kHz
V
DG
=5Vto10V,I
D
=5mA
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
门源击穿电压
‐25
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐1
V
GS （ F）
门源正向电压
‐‐
V
GS
门源电压
‐0.3
3
I
DSS
门源饱和电流
7
3
I
GSS
栅极泄漏电流
‐‐
I
G
门工作电流
‐‐
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
NF
e
n
V
DG
=10V,I
D
=5mA,f=1MHz
V
DG
=10V,I
D
=5mA,f=10kHz,R
G
=100KΩ
V
DG
=10V,I
D
=5mA,f=100Hz
V
DG
=10V,I
D
=5mA,f=10kHz
注：1。绝对最大额定值的限制值，超过该适用性可能受到损害
2.脉冲测试： PW ≤ 300μS占空比≤ 3 ％
3.Assumessmallervalueinnumerator
可用的软件包：
TO- 71 （顶视图）
请联系Micross全包和模具尺寸：
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
www.micross.com/distribution.aspx
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第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
2N5912C在TO- 71
2N5912C可作为裸模
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