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2SB1018A
东芝三极管
硅NPN三重扩散型( PCT程序)
2SB1018A
大电流开关应用
功率放大器的应用
单位:mm
高集电极电流:I
C
=
7
A
低集电极饱和电压: V
CE (SAT)
=
0.5
V(最大值) (我
C
=
4
A)
补充2SD1411A
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
TA = 25°C
TC = 25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
100
80
5
7
1
2.0
30
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
2-10R1A
重量:2.7克(典型值)。
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化等)可能会导致本产品
减少在可靠性显著即使操作条件(即操作
温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2006-11-21
2SB1018A
电气特性
( TC = 25 ° C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
直流电流增益
(注)
h
FE (2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
t
on
20
μs
开关时间
贮存时间
t
英镑
输入
I
B2
测试条件
V
CB
=
100
V,I
E
= 0
V
EB
=
5
V,I
C
= 0
I
C
=
50
妈,我
B
= 0
V
CE
=
1
V,I
C
=
1
A
V
CE
=
1
V,I
C
=
4
A
I
C
=
4
A,I
B
=
0.4
A
I
C
=
4
A,I
B
=
0.4
A
V
CE
=
4
V,I
C
=
1
A
V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
产量
10
80
70
30
典型值。
0.3
0.9
10
250
0.4
最大
5
5
240
0.5
1.4
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
I
B2
I
B1
I
B1
2.5
μs
V
CC
=
30
V
下降时间
t
f
I
B1
= I
B2
= 0.3 A,占空比
1%
0.5
注:H
FE (1)
分类○: 70 140 , Y: 120240
记号
B1018A
产品型号(或缩写代码)
LOT号
特征
指标
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-11-21
2SB1018A
I
C
– V
CE
10
共发射极
180
TC = 25°C
1.2
V
CE
– I
C
共发射极
TC = 25°C
V
CE
(V)
(A)
8
200
6
160
140
120
100
80
4
60
40
2
IB =
20
mA
1.0
IB =
20
mA
40
0.6
100
集电极电流I
C
0.8
集电极 - 发射极电压
200
0.4
700
0.2
300
400
500
600
0
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
I
C
– V
CE
1.2
共发射极
1.2
TC = 100℃
1.0
V
CE
– I
C
共发射极
TC =
55°C
1.0
IB =
20
mA
100
0.6
150
300
V
CE
(V)
0.8
IB =
20
mA
0.6
V
CE
(V)
300
400
500
600
集电极 - 发射极电压
0.4
700
0.2
集电极 - 发射极电压
40
100
200
0.8
0.4
0.2
700
200
400
500
600
)
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
h
FE
– I
C
1000
共发射极
500
VCE =
1
V
TC = 100℃
25
100
55
50
30
1
V
CE (SAT)
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
共发射极
0.5
0.3
IC / IB = 10
直流电流增益
FE
300
0.1
TC = 100℃
0.05
0.03
25
55
10
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
3
2006-11-21
2SB1018A
V
BE (SAT)
– I
C
10
I
C
– V
BE
共发射极
TC = 100℃
6
共发射极
VCE =
1
V
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
5
3
IC / IB = 10
集电极电流I
C
(A)
1
0.5
0.3
TC =
55°C
55
4
25
100
25
2
0.1
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0
0
集电极电流I
C
(A)
0.8
1.6
2.4
3.2
基射极电压
V
BE
(V)
r
th
– t
w
100
瞬态热阻R
th
( ° C / W)
曲线仅适用于热敏电阻的有限区域。
(单非重复脉冲)
(1)
10
(2)
无限大的散热器
无散热器
(2)
(1)
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
20
10
集成电路最大值(脉冲) *
1毫秒*
10毫秒*
100毫秒*
直流操作
TC = 25°C
1
0.5
0.3
*:
单一不重复的脉冲
TC = 25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
0.1
1
3
10
(A)
集电极电流I
C
我最大
5
C
(连续)
3
最大VCEO
30
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
4
2006-11-21
2SB1018A
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
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5
2006-11-21
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