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2DB1132P/Q/R
PNP表面贴装晶体管
特点
新产品
外延平面片建设
互补NPN类型可用( 2DD1664 )
非常适合于自动装配程序
适用于中等功率开关或放大应用
铅的设计免费/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
SOT89-3L
机械数据
案例: SOT89-3L
外壳材料:模压塑料, "Green “模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:完成 - 雾锡比退火铜引线框架
(无铅电镀) 。每MIL -STD- 202方法208
标识&类型代码信息:见第3页
订购信息:见第3页
重量: 0.072克(近似值)
3 E
C 4
2 C
1 B
顶视图
集热器
2,4
1
BASE
3
辐射源
原理图和引脚配置
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
价值
-40
-32
-5
-2
-1
单位
V
V
V
A
A
特征
热特性
特征
功率耗散(注3 ) @ T
A
= 25°C
热阻,结到环境空气(注3 ) @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
1
125
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
电气特性
特征
开关特性(注4 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
基本特征(注4 )
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
小信号特性
跃迁频率
输出电容
注意事项:
1.
2.
3.
4.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
2DB1132P
2DB1132Q
2DB1132R
h
FE
-40
-32
-5
82
120
180
典型值
-0.125
190
12
最大
-0.5
-0.5
-0.5
180
270
390
30
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
条件
I
C
= -50μA ,我
E
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -50μA ,我
C
= 0
V
CB
= -20V ,我
E
= 0
V
EB
= -4V ,我
C
= 0
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
CE
= -3V ,我
C
= -100mA
f
T
C
ob
V
CE
= -5V ,我
E
= 50毫安
F = 30MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0,
F = 1MHz的
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
设备安装在FR- 4印刷电路板;如图4页或者在二极管Inc.的焊垫布局建议的焊垫布局文件AP02001 ,这可以在我们找到
网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%.
DS31142牧师4 - 2
1 4
www.diodes.com
2DB1132P/Q/R
Diodes公司
1.0
1.6
1.4
P
D
,功耗( W)
0.8
1.2
0.6
1.0
0.8
0.4
0.6
0.4
0.2
0.2
0
0
25
50
100
125
75
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1功耗对比
环境温度(注3 )
V
CE
= -3V
新产品
0
150
500
T
A
= 150°C
I
C
/I
B
= 10
400
T
A
= 85°C
300
T
A
= 25°C
200
T
A
= -55°C
T
A
= 150°C
100
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0.001
0.01
0.1
1
10
T
A
= -55°C
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 150°C
V
CE
= -3V
T
A
= 150°C
I
C
/I
B
= 10
DS31142牧师4 - 2
2 4
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2DB1132P/Q/R
Diodes公司
40
250
200
30
新产品
150
20
100
10
50
V
CE
= -5V
F = 30MHz的
0
-I
E
,发射极电流
图。 8典型增益带宽积与发射极电流
订购信息
(注5 )
设备
2DB1132P-13
2DB1132Q-13
2DB1132R-13
注意事项:
5.
包装
SOT89-3L
SOT89-3L
SOT89-3L
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
对于包装的详细信息,请参阅下面或者去我们的网站http://www.diodes.com/ap02007.pdf 。
标识信息
( TOP VIEW )
YWW
P13x
P13X =产品型号标识代码:
哪里
P13P = 2DB1132P
P13Q = 2DB1132Q
P13R = 2DB1132R
YWW =日期代码标
Y =最后一位今年前7 = 2007
WW =星期代码01 - 52
包装外形尺寸
D1
0
20
0.
R
C
SOT89-3L
暗淡
A
B
H
1.40
0.45
0.37
0.35
4.40
1.50
2.40
3.95
0.90
最大
1.60
0.55
0.47
0.43
4.60
1.70
2.60
4.25
1.20
典型值
1.50
0.50
0.42
0.38
4.50
1.60
2.50
1.50
4.10
1.05
E
B1
C
D
D1
E
e
B
B1
e
(4X
)
L
A
H
L
D
尺寸:mm
DS31142牧师4 - 2
3 4
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2DB1132P/Q/R
Diodes公司
拟议的焊盘布局
1.7
新产品
2.7
0.4
1.9
1.3
0.9
3.0
单位:mm
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS31142牧师4 - 2
4 4
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2DB1132P/Q/R
Diodes公司
2DB1132P/Q/R
32V PNP表面贴装晶体管SOT- 89
特点
BV
首席执行官
> -32V
最大连续电流I
C
= -1A
外延平面片建设
互补NPN类型可用( 2DD1664 )
非常适合于自动装配程序
适用于中等功率开关或放大应用
无铅,符合RoHS (注1 )
卤素和无锑, “绿色”设备(注2 )
机械数据
案例: SOT- 89
表壳材质:模压塑料。 “绿色”模塑料。
防火等级94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
终端:雾锡完成
重量: 0.055克(近似值)
SOT-89
C
B
E
顶视图
设备符号
引脚输出 - 顶视图
订购信息
产品
2DB1132P-13
2DB1132Q-13
2DB1132R-13
注意事项:
GRADE
广告
广告
广告
记号
P13P
P13Q
P13R
卷尺寸(英寸)
13
13
13
胶带宽度(mm)
12
12
12
QUANTITY每卷
2,500
2,500
2,500
1.没有故意添加铅。
2. “绿色”设备,卤素和无锑,二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
标识信息
( TOP VIEW )
P13X =产品型号标识代码:
哪里
P13P = 2DB1132P
P13Q = 2DB1132Q
P13R = 2DB1132R
YWW =日期代码标
Y =最后一位今年前7 = 2007
WW =星期代码01 - 52
YWW
P13x
2DB1132P/Q/R
文件编号: DS31142版本: 5 - 2
1 6
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2011年9月
Diodes公司
2DB1132P/Q/R
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流(注4 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
价值
-40
-32
-5
-1
-2
单位
V
V
V
A
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散(注3 )
热阻,结到环境(注3 )
热阻,结到信息(注5 )
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
1
125
22
-55到+150
单位
W
° C / W
° C / W
°C
3.对于器件表面安装在FR-4印刷电路板以最小的建议的焊垫布局;高覆盖单面的1盎司铜皮,在静止空气条件
脉冲条件下测得的4 。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%.
从结点到焊接点5,热敏电阻(在集电极引线的端部) 。
1.0
P
D
,功耗( W)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
100
125
75
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1功耗对比
环境温度(注3 )
150
2DB1132P/Q/R
文件编号: DS31142版本: 5 - 2
2 6
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2011年9月
Diodes公司
2DB1132P/Q/R
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注6 )
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
2DB1132P
静态正向电流传输
2DB1132Q
比(注6 )
2DB1132R
集电极 - 发射极饱和电压(注6 )
跃迁频率
输出电容
注意事项:
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
-40
-32
-5
-
-
82
120
180
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-125
190
12
最大
-
-
-
-0.5
-0.5
180
270
390
-500
-
30
单位
V
V
V
A
A
-
mV
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -50A
I
C
= -1mA
I
E
= -50A
V
CB
=-20V
V
EB
= -4V
I
C
= -100mA ,V
CE
= -3V
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
I
E
= 50mA时V
CE
= -5V , F = 30MHz的
I
E
= 0A ,V
CB
= -10V , F = 1MHz的
脉冲条件下测得6 。脉冲宽度= 300
μS 。占空比
2%
电气特性
1.6
1.4
1.2
1.0
300
500
T
A
= 150°C
V
CE
= -3V
400
T
A
= 85°C
0.8
0.6
0.4
100
200
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0.2
0
0
0.001
0.01
0.1
1
10
2DB1132P/Q/R
文件编号: DS31142版本: 5 - 2
3 6
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2011年9月
Diodes公司
2DB1132P/Q/R
电气特性 -
(续)
I
C
/I
B
= 10
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
T
A
= 150°C
V
CE
= -3V
40
30
T
A
= -55°C
20
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
10
T
A
= 150°C
I
C
/I
B
= 10
0
250
200
150
100
50
V
CE
= -5V
F = 30MHz的
-I
E
,发射极电流
图。 8典型增益带宽积与发射极电流
2DB1132P/Q/R
文件编号: DS31142版本: 5 - 2
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2DB1132P/Q/R
包装外形尺寸
.
R0
20
0
D1
C
E
H
B
B1
e1
(4 X
)
L
e
A
SOT89
暗淡
最大
A
1.40
1.60
B
0.44
0.62
B1
0.35
0.54
C
0.35
0.43
D
4.40
4.60
D1
1.52
1.83
E
2.29
2.60
e
1.50 TYP
e1
3.00 (典型值)
H
3.94
4.25
L
0.89
1.20
尺寸:mm
D
拟议的焊盘布局
X1
X2 (2x)
Y1
Y3
Y
Y2
C
X (3x)
Y4
尺寸值(单位:mm)
X
0.900
X1
1.733
X2
0.416
Y
1.300
Y1
4.600
Y2
1.475
Y3
0.950
Y4
1.125
C
1.500
2DB1132P/Q/R
文件编号: DS31142版本: 5 - 2
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2DB1132Q-13
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
2DB1132Q-13
DIODE
2019
79600
SOT89
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
2DB1132Q-13
DIODES
2425+
11275
SOT-89
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
2DB1132Q-13
Diodes Incorporated
24+
10000
SOT-89-3
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2DB1132Q-13
DIODES/美台
2443+
23000
SOT-89
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2DB1132Q-13
DIODES/美台
24+
8640
SOT-89
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
2DB1132Q-13
DIODES
22+
5025
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2DB1132Q-13
DIODES
21+22+
12600
SOT-89
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2DB1132Q-13
DIODES
17+
20000
SOT-89
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97877807 复制

电话:171-4755-1968(微信同号)
联系人:周小姐171-4755-1968微信同号,无线联通更快捷!
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
2DB1132Q-13
DIODES
24+
6675
SOT-89-3
3¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:3元
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
2DB1132Q-13
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-89
原装正品假一赔百!
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