2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
产品概述
产品型号
2N5432
2N5433
2N5434
V
GS （ OFF ）
(V)
-4到-10
-3 -9
-1至-4
r
DS （ ON）
最大值（W）的
5
7
10
I
D（关闭）
典型值（PA ）
10
10
10
t
ON
典型值（ NS ）
2.5
2.5
2.5
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 2N5432 <5
W
快速切换-T
ON
： 2.5纳秒
高关断隔离-I
D（关闭）
： 10 pA的
低电容： 11 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
该2N5432 /五千四百三十四分之五千四百三十三适用于高性能
模拟开关和放大器应用。击穿
电压特性，低导通电阻，并且非常快
交换使这些器件非常适用于广泛的
应用程序。
在密闭的TO- 206AC （TO- 52）包
适用于每MIL -S - 19500的处理（见军事
信息） 。对于同类产品采用TO- 236 （ SOT- 23）或
TO- 226AA （ TO-92 ）封装，参见焦耳/ SST108系列数据
表。
TO-206AC
(TO-52)
S
1
2
D
顶视图
3
G和案例
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
笔记
一。减免2.4毫瓦/ _C以上25_C
www.vishay.com
7-1
2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5432
2N5433
2N5434
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
排水截止电流
漏源电压
漏源导通电阻
门源正向电压
c
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V, V
GS
= –10 V
T
A
= 150_C
V
GS
= 0 V，I
D
= 10毫安
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–32
–25
–4
150
–10
–25
–3
100
–200
–200
–200
–200
–9
–25
V
–1
30
–200
–200
–4
mA
pA
nA
pA
nA
mV
W
V
–5
–10
–10
10
20
200
200
50
2
5
200
200
70
7
200
200
100
10
0.7
动态
共源
正向跨导
c
共源
输出电导
c
漏源导通电阻
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 0 V, V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 5 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
17
600
5
20
11
3.5
30
15
7
30
15
10
30
pF
15
nV/
√Hz的
mS
mS
W
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安
F = 1千赫
V
DS
= 5 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
开关
开启时间
b
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。该参数不符合JEDEC注册。
V
DD
= 1.5 V, V
GS （H ）
= 0 V
见开关电路
2
0.5
4
18
4
1
6
30
4
1
6
30
4
1
ns
6
30
NIP
打开-O FF时间
b
www.vishay.com
7-2
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
r
DS
@ I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
16
800
20
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
1000
g
fs
- 正向跨导（MS ）
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
200
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
50
g
fs
和G
os
@ V
DS
= 5 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
os
- 输出电导（MS ）
160
40
12
r
DS
600
120
g
fs
30
8
I
DSS
400
80
g
os
20
4
200
40
10
0
0
–4
–8
–6
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
0
0
0
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
0
输出特性
100
V
GS （关闭
)
= –2 V
80
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
80
100
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –4 V
60
V
GS
= 0 V
–0.2 V
60
–0.5 V
40
V
GS
= 0 V
40
–0.4 V
20
–0.6 V
–0.8 V
0
0
2
6
8
4
V
DS
- 漏源电压（ V）
10
–1.0 V
20
–1.5 V
–0.2 V
0
0
0.3
0.4
0.1
0.2
V
DS
- 漏源电压（ V）
0.5
导通开关
5
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= 1.5 V ，R
G
= 50
W
V
GS （ L）
= –10 V
切换时间（纳秒）
30
关断开关
t
D（关闭）
独立
器件的V
GS （ OFF ）
V
DD
= 1.5 V, V
GS （ L）
= –10 V
24
V
GS （ OFF ）
= –2 V
4
切换时间（纳秒）
3
t
D（上）
I
D
= 10毫安
I
D
= 25毫安
18
t
f
2
12
V
GS （ OFF ）
= –8 V
1
t
r
6
t
D（关闭）
0
0
–6
–8
–2
–4
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
0
5
10
15
I
D
- 漏电流（mA ）
20
25
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
www.vishay.com
7-3
2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
50
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
导通电阻与漏电流
40
T
A
= 25_C
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
导通电阻与温度
I
D
= 10毫安
r
DS
改变X 0.7 ％ / _
32
40
30
V
GS （ OFF ）
= –2 V
24
V
GS （ OFF ）
= –2 V
20
16
–4 V
8
–8 V
–4 V
10
–8 V
0
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
0
–55
–35
–15
25
5
45
65
T
A
- 温度（ _C ）
85
105
125
电容与栅源电压
100
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
80
电容（pF）
10 nA的
5毫安
60
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
100 nA的
栅极漏电流
T
A
= 125_C
I
D
= 10毫安
1毫安
I
GSS
@ 125_C
40
C
国际空间站
20
C
RSS
100 pA的
T
A
= 25_C
10 pA的
10毫安
5毫安
1毫安
I
GSS
@ 25_C
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
1 pA的
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
噪声电压与频率的关系
100
V
DS
= 5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
Hz
100
跨导主场迎战漏电流
V
GS （ OFF ）
= –4 V
恩 - 噪声电压内华达州/
T
A
= –55_C
10
125_C
25_C
10
I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
1
I
D
= 40毫安
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
www.vishay.com
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文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
普通门输入导纳
100
g
ig
100
–g
fg
普通门正向纳
10
（女士）
（女士）
10
b
fg
1
b
ig
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
0.1
10
20
50
100
的F - 频率（MHz ）
0.1
10
20
的F - 频率（MHz ）
50
100
1
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
常见的反向门纳
10
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
100
共栅极输出导纳
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
1.0
（女士）
–g
rg
–b
rg
（女士）
10
b
og
g
og
0.1
1
0.01
10
50
20
的F - 频率（MHz ）
100
0.1
10
20
50
的F - 频率（MHz ）
100
V
DD
开关时间测试电路
2N5432
V
GS （ L）
R
L
*
I
D（上）
–12 V
145
W
10毫安
R
L
OUT
V
GS （H ）
V
GS （ L）
1 k
V
IN
范围
51
2N5433
–12 V
143
W
10毫安
2N5434
–12 V
140
W
10毫安
*无感
输入脉冲
上升时间< 1纳秒
下降时间< 1纳秒
脉冲宽度为100ns
PRF 1兆赫
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
采样示波器
上升时间0.4纳秒
输入阻抗10兆瓦
输入电容1.5 pF的
51
www.vishay.com
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2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
产品概述
产品型号
2N5432
2N5433
2N5434
V
GS （ OFF ）
(V)
-4到-10
-3 -9
-1至-4
r
DS （ ON）
最大值（W）的
5
7
10
I
D（关闭）
典型值（PA ）
10
10
10
t
ON
典型值（ NS ）
2.5
2.5
2.5
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 2N5432 <5
W
快速切换-T
ON
： 2.5纳秒
高关断隔离-I
D（关闭）
： 10 pA的
低电容： 11 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
该2N5432 /五千四百三十四分之五千四百三十三适用于高性能
模拟开关和放大器应用。击穿
电压特性，低导通电阻，并且非常快
交换使这些器件非常适用于广泛的
应用程序。
在密闭的TO- 206AC （TO- 52）包
适用于每MIL -S - 19500的处理（见军事
信息） 。对于同类产品采用TO- 236 （ SOT- 23）或
TO- 226AA （ TO-92 ）封装，参见焦耳/ SST108系列数据
表。
TO-206AC
(TO-52)
S
1
2
D
顶视图
3
G和案例
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
笔记
一。减免2.4毫瓦/ _C以上25_C
www.vishay.com
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2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5432
2N5433
2N5434
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
排水截止电流
漏源电压
漏源导通电阻
门源正向电压
c
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V, V
GS
= –10 V
T
A
= 150_C
V
GS
= 0 V，I
D
= 10毫安
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–32
–25
–4
150
–10
–25
–3
100
–200
–200
–200
–200
–9
–25
V
–1
30
–200
–200
–4
mA
pA
nA
pA
nA
mV
W
V
–5
–10
–10
10
20
200
200
50
2
5
200
200
70
7
200
200
100
10
0.7
动态
共源
正向跨导
c
共源
输出电导
c
漏源导通电阻
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 0 V, V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 5 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
17
600
5
20
11
3.5
30
15
7
30
15
10
30
pF
15
nV/
√Hz的
mS
mS
W
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安
F = 1千赫
V
DS
= 5 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
开关
开启时间
b
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。该参数不符合JEDEC注册。
V
DD
= 1.5 V, V
GS （H ）
= 0 V
见开关电路
2
0.5
4
18
4
1
6
30
4
1
6
30
4
1
ns
6
30
NIP
打开-O FF时间
b
www.vishay.com
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文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
r
DS
@ I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
16
800
20
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
1000
g
fs
- 正向跨导（MS ）
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
200
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
50
g
fs
和G
os
@ V
DS
= 5 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
os
- 输出电导（MS ）
160
40
12
r
DS
600
120
g
fs
30
8
I
DSS
400
80
g
os
20
4
200
40
10
0
0
–4
–8
–6
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
0
0
0
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
0
输出特性
100
V
GS （关闭
)
= –2 V
80
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
80
100
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –4 V
60
V
GS
= 0 V
–0.2 V
60
–0.5 V
40
V
GS
= 0 V
40
–0.4 V
20
–0.6 V
–0.8 V
0
0
2
6
8
4
V
DS
- 漏源电压（ V）
10
–1.0 V
20
–1.5 V
–0.2 V
0
0
0.3
0.4
0.1
0.2
V
DS
- 漏源电压（ V）
0.5
导通开关
5
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= 1.5 V ，R
G
= 50
W
V
GS （ L）
= –10 V
切换时间（纳秒）
30
关断开关
t
D（关闭）
独立
器件的V
GS （ OFF ）
V
DD
= 1.5 V, V
GS （ L）
= –10 V
24
V
GS （ OFF ）
= –2 V
4
切换时间（纳秒）
3
t
D（上）
I
D
= 10毫安
I
D
= 25毫安
18
t
f
2
12
V
GS （ OFF ）
= –8 V
1
t
r
6
t
D（关闭）
0
0
–6
–8
–2
–4
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
0
5
10
15
I
D
- 漏电流（mA ）
20
25
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
www.vishay.com
7-3
2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
50
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
导通电阻与漏电流
40
T
A
= 25_C
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
导通电阻与温度
I
D
= 10毫安
r
DS
改变X 0.7 ％ / _
32
40
30
V
GS （ OFF ）
= –2 V
24
V
GS （ OFF ）
= –2 V
20
16
–4 V
8
–8 V
–4 V
10
–8 V
0
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
0
–55
–35
–15
25
5
45
65
T
A
- 温度（ _C ）
85
105
125
电容与栅源电压
100
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
80
电容（pF）
10 nA的
5毫安
60
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
100 nA的
栅极漏电流
T
A
= 125_C
I
D
= 10毫安
1毫安
I
GSS
@ 125_C
40
C
国际空间站
20
C
RSS
100 pA的
T
A
= 25_C
10 pA的
10毫安
5毫安
1毫安
I
GSS
@ 25_C
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
1 pA的
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
噪声电压与频率的关系
100
V
DS
= 5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
Hz
100
跨导主场迎战漏电流
V
GS （ OFF ）
= –4 V
恩 - 噪声电压内华达州/
T
A
= –55_C
10
125_C
25_C
10
I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
1
I
D
= 40毫安
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
www.vishay.com
7-4
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
普通门输入导纳
100
g
ig
100
–g
fg
普通门正向纳
10
（女士）
（女士）
10
b
fg
1
b
ig
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
0.1
10
20
50
100
的F - 频率（MHz ）
0.1
10
20
的F - 频率（MHz ）
50
100
1
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
常见的反向门纳
10
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
100
共栅极输出导纳
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
1.0
（女士）
–g
rg
–b
rg
（女士）
10
b
og
g
og
0.1
1
0.01
10
50
20
的F - 频率（MHz ）
100
0.1
10
20
50
的F - 频率（MHz ）
100
V
DD
开关时间测试电路
2N5432
V
GS （ L）
R
L
*
I
D（上）
–12 V
145
W
10毫安
R
L
OUT
V
GS （H ）
V
GS （ L）
1 k
V
IN
范围
51
2N5433
–12 V
143
W
10毫安
2N5434
–12 V
140
W
10毫安
*无感
输入脉冲
上升时间< 1纳秒
下降时间< 1纳秒
脉冲宽度为100ns
PRF 1兆赫
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
采样示波器
上升时间0.4纳秒
输入阻抗10兆瓦
输入电容1.5 pF的
51
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2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
产品概述
产品型号
2N5432
2N5433
2N5434
V
GS （ OFF ）
(V)
-4到-10
-3 -9
-1至-4
r
DS （ ON）
最大值（W）的
5
7
10
I
D（关闭）
典型值（PA ）
10
10
10
t
ON
典型值（ NS ）
2.5
2.5
2.5
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 2N5432 <5
W
快速切换-T
ON
： 2.5纳秒
高关断隔离-I
D（关闭）
： 10 pA的
低电容： 11 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
该2N5432 /五千四百三十四分之五千四百三十三适用于高性能
模拟开关和放大器应用。击穿
电压特性，低导通电阻，并且非常快
交换使这些器件非常适用于广泛的
应用程序。
在密闭的TO- 206AC （TO- 52）包
适用于每MIL -S - 19500的处理（见军事
信息） 。对于同类产品采用TO- 236 （ SOT- 23）或
TO- 226AA （ TO-92 ）封装，参见焦耳/ SST108系列数据
表。
TO-206AC
(TO-52)
S
1
2
D
顶视图
3
G和案例
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
笔记
一。减免2.4毫瓦/ _C以上25_C
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Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5432
2N5433
2N5434
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
排水截止电流
漏源电压
漏源导通电阻
门源正向电压
c
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V, V
GS
= –10 V
T
A
= 150_C
V
GS
= 0 V，I
D
= 10毫安
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–32
–25
–4
150
–10
–25
–3
100
–200
–200
–200
–200
–9
–25
V
–1
30
–200
–200
–4
mA
pA
nA
pA
nA
mV
W
V
–5
–10
–10
10
20
200
200
50
2
5
200
200
70
7
200
200
100
10
0.7
动态
共源
正向跨导
c
共源
输出电导
c
漏源导通电阻
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 0 V, V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 5 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
17
600
5
20
11
3.5
30
15
7
30
15
10
30
pF
15
nV/
√Hz的
mS
mS
W
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安
F = 1千赫
V
DS
= 5 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
开关
开启时间
b
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。该参数不符合JEDEC注册。
V
DD
= 1.5 V, V
GS （H ）
= 0 V
见开关电路
2
0.5
4
18
4
1
6
30
4
1
6
30
4
1
ns
6
30
NIP
打开-O FF时间
b
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文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
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Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
r
DS
@ I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
16
800
20
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
1000
g
fs
- 正向跨导（MS ）
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
200
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
50
g
fs
和G
os
@ V
DS
= 5 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
os
- 输出电导（MS ）
160
40
12
r
DS
600
120
g
fs
30
8
I
DSS
400
80
g
os
20
4
200
40
10
0
0
–4
–8
–6
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
0
0
0
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
0
输出特性
100
V
GS （关闭
)
= –2 V
80
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
80
100
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –4 V
60
V
GS
= 0 V
–0.2 V
60
–0.5 V
40
V
GS
= 0 V
40
–0.4 V
20
–0.6 V
–0.8 V
0
0
2
6
8
4
V
DS
- 漏源电压（ V）
10
–1.0 V
20
–1.5 V
–0.2 V
0
0
0.3
0.4
0.1
0.2
V
DS
- 漏源电压（ V）
0.5
导通开关
5
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= 1.5 V ，R
G
= 50
W
V
GS （ L）
= –10 V
切换时间（纳秒）
30
关断开关
t
D（关闭）
独立
器件的V
GS （ OFF ）
V
DD
= 1.5 V, V
GS （ L）
= –10 V
24
V
GS （ OFF ）
= –2 V
4
切换时间（纳秒）
3
t
D（上）
I
D
= 10毫安
I
D
= 25毫安
18
t
f
2
12
V
GS （ OFF ）
= –8 V
1
t
r
6
t
D（关闭）
0
0
–6
–8
–2
–4
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
0
5
10
15
I
D
- 漏电流（mA ）
20
25
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2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
50
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
导通电阻与漏电流
40
T
A
= 25_C
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
导通电阻与温度
I
D
= 10毫安
r
DS
改变X 0.7 ％ / _
32
40
30
V
GS （ OFF ）
= –2 V
24
V
GS （ OFF ）
= –2 V
20
16
–4 V
8
–8 V
–4 V
10
–8 V
0
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
0
–55
–35
–15
25
5
45
65
T
A
- 温度（ _C ）
85
105
125
电容与栅源电压
100
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
80
电容（pF）
10 nA的
5毫安
60
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
100 nA的
栅极漏电流
T
A
= 125_C
I
D
= 10毫安
1毫安
I
GSS
@ 125_C
40
C
国际空间站
20
C
RSS
100 pA的
T
A
= 25_C
10 pA的
10毫安
5毫安
1毫安
I
GSS
@ 25_C
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
1 pA的
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
噪声电压与频率的关系
100
V
DS
= 5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
Hz
100
跨导主场迎战漏电流
V
GS （ OFF ）
= –4 V
恩 - 噪声电压内华达州/
T
A
= –55_C
10
125_C
25_C
10
I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
1
I
D
= 40毫安
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
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Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
普通门输入导纳
100
g
ig
100
–g
fg
普通门正向纳
10
（女士）
（女士）
10
b
fg
1
b
ig
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
0.1
10
20
50
100
的F - 频率（MHz ）
0.1
10
20
的F - 频率（MHz ）
50
100
1
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
常见的反向门纳
10
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
100
共栅极输出导纳
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
1.0
（女士）
–g
rg
–b
rg
（女士）
10
b
og
g
og
0.1
1
0.01
10
50
20
的F - 频率（MHz ）
100
0.1
10
20
50
的F - 频率（MHz ）
100
V
DD
开关时间测试电路
2N5432
V
GS （ L）
R
L
*
I
D（上）
–12 V
145
W
10毫安
R
L
OUT
V
GS （H ）
V
GS （ L）
1 k
V
IN
范围
51
2N5433
–12 V
143
W
10毫安
2N5434
–12 V
140
W
10毫安
*无感
输入脉冲
上升时间< 1纳秒
下降时间< 1纳秒
脉冲宽度为100ns
PRF 1兆赫
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
采样示波器
上升时间0.4纳秒
输入阻抗10兆瓦
输入电容1.5 pF的
51
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2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
产品概述
产品型号
2N5432
2N5433
2N5434
V
GS （ OFF ）
(V)
-4到-10
-3 -9
-1至-4
r
DS （ ON）
最大值（W）的
5
7
10
I
D（关闭）
典型值（PA ）
10
10
10
t
ON
典型值（ NS ）
2.5
2.5
2.5
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 2N5432 <5
W
快速切换-T
ON
： 2.5纳秒
高关断隔离-I
D（关闭）
： 10 pA的
低电容： 11 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
该2N5432 /五千四百三十四分之五千四百三十三适用于高性能
模拟开关和放大器应用。击穿
电压特性，低导通电阻，并且非常快
交换使这些器件非常适用于广泛的
应用程序。
在密闭的TO- 206AC （TO- 52）包
适用于每MIL -S - 19500的处理（见军事
信息） 。对于同类产品采用TO- 236 （ SOT- 23）或
TO- 226AA （ TO-92 ）封装，参见焦耳/ SST108系列数据
表。
TO-206AC
(TO-52)
S
1
2
D
顶视图
3
G和案例
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
笔记
一。减免2.4毫瓦/ _C以上25_C
www.vishay.com
7-1
2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5432
2N5433
2N5434
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
排水截止电流
漏源电压
漏源导通电阻
门源正向电压
c
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V, V
GS
= –10 V
T
A
= 150_C
V
GS
= 0 V，I
D
= 10毫安
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–32
–25
–4
150
–10
–25
–3
100
–200
–200
–200
–200
–9
–25
V
–1
30
–200
–200
–4
mA
pA
nA
pA
nA
mV
W
V
–5
–10
–10
10
20
200
200
50
2
5
200
200
70
7
200
200
100
10
0.7
动态
共源
正向跨导
c
共源
输出电导
c
漏源导通电阻
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 0 V, V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 5 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
17
600
5
20
11
3.5
30
15
7
30
15
10
30
pF
15
nV/
√Hz的
mS
mS
W
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安
F = 1千赫
V
DS
= 5 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
开关
开启时间
b
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。该参数不符合JEDEC注册。
V
DD
= 1.5 V, V
GS （H ）
= 0 V
见开关电路
2
0.5
4
18
4
1
6
30
4
1
6
30
4
1
ns
6
30
NIP
打开-O FF时间
b
www.vishay.com
7-2
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
r
DS
@ I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
16
800
20
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
1000
g
fs
- 正向跨导（MS ）
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
200
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
50
g
fs
和G
os
@ V
DS
= 5 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
os
- 输出电导（MS ）
160
40
12
r
DS
600
120
g
fs
30
8
I
DSS
400
80
g
os
20
4
200
40
10
0
0
–4
–8
–6
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
0
0
0
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
0
输出特性
100
V
GS （关闭
)
= –2 V
80
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
80
100
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –4 V
60
V
GS
= 0 V
–0.2 V
60
–0.5 V
40
V
GS
= 0 V
40
–0.4 V
20
–0.6 V
–0.8 V
0
0
2
6
8
4
V
DS
- 漏源电压（ V）
10
–1.0 V
20
–1.5 V
–0.2 V
0
0
0.3
0.4
0.1
0.2
V
DS
- 漏源电压（ V）
0.5
导通开关
5
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= 1.5 V ，R
G
= 50
W
V
GS （ L）
= –10 V
切换时间（纳秒）
30
关断开关
t
D（关闭）
独立
器件的V
GS （ OFF ）
V
DD
= 1.5 V, V
GS （ L）
= –10 V
24
V
GS （ OFF ）
= –2 V
4
切换时间（纳秒）
3
t
D（上）
I
D
= 10毫安
I
D
= 25毫安
18
t
f
2
12
V
GS （ OFF ）
= –8 V
1
t
r
6
t
D（关闭）
0
0
–6
–8
–2
–4
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
0
5
10
15
I
D
- 漏电流（mA ）
20
25
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
www.vishay.com
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2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
50
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
导通电阻与漏电流
40
T
A
= 25_C
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
导通电阻与温度
I
D
= 10毫安
r
DS
改变X 0.7 ％ / _
32
40
30
V
GS （ OFF ）
= –2 V
24
V
GS （ OFF ）
= –2 V
20
16
–4 V
8
–8 V
–4 V
10
–8 V
0
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
0
–55
–35
–15
25
5
45
65
T
A
- 温度（ _C ）
85
105
125
电容与栅源电压
100
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
80
电容（pF）
10 nA的
5毫安
60
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
100 nA的
栅极漏电流
T
A
= 125_C
I
D
= 10毫安
1毫安
I
GSS
@ 125_C
40
C
国际空间站
20
C
RSS
100 pA的
T
A
= 25_C
10 pA的
10毫安
5毫安
1毫安
I
GSS
@ 25_C
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
1 pA的
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
噪声电压与频率的关系
100
V
DS
= 5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
Hz
100
跨导主场迎战漏电流
V
GS （ OFF ）
= –4 V
恩 - 噪声电压内华达州/
T
A
= –55_C
10
125_C
25_C
10
I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
1
I
D
= 40毫安
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
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文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
普通门输入导纳
100
g
ig
100
–g
fg
普通门正向纳
10
（女士）
（女士）
10
b
fg
1
b
ig
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
0.1
10
20
50
100
的F - 频率（MHz ）
0.1
10
20
的F - 频率（MHz ）
50
100
1
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
常见的反向门纳
10
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
100
共栅极输出导纳
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
1.0
（女士）
–g
rg
–b
rg
（女士）
10
b
og
g
og
0.1
1
0.01
10
50
20
的F - 频率（MHz ）
100
0.1
10
20
50
的F - 频率（MHz ）
100
V
DD
开关时间测试电路
2N5432
V
GS （ L）
R
L
*
I
D（上）
–12 V
145
W
10毫安
R
L
OUT
V
GS （H ）
V
GS （ L）
1 k
V
IN
范围
51
2N5433
–12 V
143
W
10毫安
2N5434
–12 V
140
W
10毫安
*无感
输入脉冲
上升时间< 1纳秒
下降时间< 1纳秒
脉冲宽度为100ns
PRF 1兆赫
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
采样示波器
上升时间0.4纳秒
输入阻抗10兆瓦
输入电容1.5 pF的
51
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2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
产品概述
产品型号
2N5432
2N5433
2N5434
V
GS （ OFF ）
(V)
-4到-10
-3 -9
-1至-4
r
DS （ ON）
最大值（W）的
5
7
10
I
D（关闭）
典型值（PA ）
10
10
10
t
ON
典型值（ NS ）
2.5
2.5
2.5
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 2N5432 <5
W
快速切换-T
ON
： 2.5纳秒
高关断隔离-I
D（关闭）
： 10 pA的
低电容： 11 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
该2N5432 /五千四百三十四分之五千四百三十三适用于高性能
模拟开关和放大器应用。击穿
电压特性，低导通电阻，并且非常快
交换使这些器件非常适用于广泛的
应用程序。
在密闭的TO- 206AC （TO- 52）包
适用于每MIL -S - 19500的处理（见军事
信息） 。对于同类产品采用TO- 236 （ SOT- 23）或
TO- 226AA （ TO-92 ）封装，参见焦耳/ SST108系列数据
表。
TO-206AC
(TO-52)
S
1
2
D
顶视图
3
G和案例
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
笔记
一。减免2.4毫瓦/ _C以上25_C
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2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5432
2N5433
2N5434
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
排水截止电流
漏源电压
漏源导通电阻
门源正向电压
c
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V, V
GS
= –10 V
T
A
= 150_C
V
GS
= 0 V，I
D
= 10毫安
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–32
–25
–4
150
–10
–25
–3
100
–200
–200
–200
–200
–9
–25
V
–1
30
–200
–200
–4
mA
pA
nA
pA
nA
mV
W
V
–5
–10
–10
10
20
200
200
50
2
5
200
200
70
7
200
200
100
10
0.7
动态
共源
正向跨导
c
共源
输出电导
c
漏源导通电阻
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 0 V, V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 5 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
17
600
5
20
11
3.5
30
15
7
30
15
10
30
pF
15
nV/
√Hz的
mS
mS
W
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安
F = 1千赫
V
DS
= 5 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
开关
开启时间
b
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。该参数不符合JEDEC注册。
V
DD
= 1.5 V, V
GS （H ）
= 0 V
见开关电路
2
0.5
4
18
4
1
6
30
4
1
6
30
4
1
ns
6
30
NIP
打开-O FF时间
b
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文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
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Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
r
DS
@ I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
16
800
20
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
1000
g
fs
- 正向跨导（MS ）
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
200
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
50
g
fs
和G
os
@ V
DS
= 5 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
os
- 输出电导（MS ）
160
40
12
r
DS
600
120
g
fs
30
8
I
DSS
400
80
g
os
20
4
200
40
10
0
0
–4
–8
–6
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
0
0
0
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
0
输出特性
100
V
GS （关闭
)
= –2 V
80
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
80
100
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –4 V
60
V
GS
= 0 V
–0.2 V
60
–0.5 V
40
V
GS
= 0 V
40
–0.4 V
20
–0.6 V
–0.8 V
0
0
2
6
8
4
V
DS
- 漏源电压（ V）
10
–1.0 V
20
–1.5 V
–0.2 V
0
0
0.3
0.4
0.1
0.2
V
DS
- 漏源电压（ V）
0.5
导通开关
5
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= 1.5 V ，R
G
= 50
W
V
GS （ L）
= –10 V
切换时间（纳秒）
30
关断开关
t
D（关闭）
独立
器件的V
GS （ OFF ）
V
DD
= 1.5 V, V
GS （ L）
= –10 V
24
V
GS （ OFF ）
= –2 V
4
切换时间（纳秒）
3
t
D（上）
I
D
= 10毫安
I
D
= 25毫安
18
t
f
2
12
V
GS （ OFF ）
= –8 V
1
t
r
6
t
D（关闭）
0
0
–6
–8
–2
–4
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
0
5
10
15
I
D
- 漏电流（mA ）
20
25
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
www.vishay.com
7-3
2N5432/5433/5434
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
50
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
导通电阻与漏电流
40
T
A
= 25_C
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
导通电阻与温度
I
D
= 10毫安
r
DS
改变X 0.7 ％ / _
32
40
30
V
GS （ OFF ）
= –2 V
24
V
GS （ OFF ）
= –2 V
20
16
–4 V
8
–8 V
–4 V
10
–8 V
0
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
0
–55
–35
–15
25
5
45
65
T
A
- 温度（ _C ）
85
105
125
电容与栅源电压
100
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
80
电容（pF）
10 nA的
5毫安
60
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
100 nA的
栅极漏电流
T
A
= 125_C
I
D
= 10毫安
1毫安
I
GSS
@ 125_C
40
C
国际空间站
20
C
RSS
100 pA的
T
A
= 25_C
10 pA的
10毫安
5毫安
1毫安
I
GSS
@ 25_C
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
1 pA的
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
噪声电压与频率的关系
100
V
DS
= 5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
Hz
100
跨导主场迎战漏电流
V
GS （ OFF ）
= –4 V
恩 - 噪声电压内华达州/
T
A
= –55_C
10
125_C
25_C
10
I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
1
I
D
= 40毫安
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
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7-4
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
普通门输入导纳
100
g
ig
100
–g
fg
普通门正向纳
10
（女士）
（女士）
10
b
fg
1
b
ig
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
0.1
10
20
50
100
的F - 频率（MHz ）
0.1
10
20
的F - 频率（MHz ）
50
100
1
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
常见的反向门纳
10
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
100
共栅极输出导纳
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
1.0
（女士）
–g
rg
–b
rg
（女士）
10
b
og
g
og
0.1
1
0.01
10
50
20
的F - 频率（MHz ）
100
0.1
10
20
50
的F - 频率（MHz ）
100
V
DD
开关时间测试电路
2N5432
V
GS （ L）
R
L
*
I
D（上）
–12 V
145
W
10毫安
R
L
OUT
V
GS （H ）
V
GS （ L）
1 k
V
IN
范围
51
2N5433
–12 V
143
W
10毫安
2N5434
–12 V
140
W
10毫安
*无感
输入脉冲
上升时间< 1纳秒
下降时间< 1纳秒
脉冲宽度为100ns
PRF 1兆赫
文档编号： 70245
S- 04028 -REV 。男， 04军， 01
采样示波器
上升时间0.4纳秒
输入阻抗10兆瓦
输入电容1.5 pF的
51
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7-5
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