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JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1383
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SC3514
高
跃迁频率
应用
·设计
在音频应用
功率放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-180
-180
-5
-0.1
1.5
W
单位
V
V
V
A
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
C
= -50mA ;我
B
=-5mA
I
C
= -50mA ;我
B
=-5mA
V
CB
= -180V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -1mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -10mA ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -20mA ; V
CE
=-10V
90
100
4.5
180
民
-180
典型值。
2SA1383
最大
单位
V
-0.5
-1.5
-1.0
-1.0
V
V
μA
μA
320
pF
兆赫
h
FE-2
分类
Q
100-200
P
160-320
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1383
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1383
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SC3514
高
跃迁频率
应用
·设计
在音频应用
功率放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-180
-180
-5
-0.1
1.5
W
单位
V
V
V
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
C
= -50mA ;我
B
=-5mA
I
C
= -50mA ;我
B
=-5mA
V
CB
= -180V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -1mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -10mA ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -20mA ; V
CE
=-10V
90
100
4.5
180
民
-180
典型值。
2SA1383
最大
单位
V
-0.5
-1.5
-1.0
-1.0
V
V
μA
μA
320
pF
兆赫
h
FE-2
分类
Q
100-200
P
160-320
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1383
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1383
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SC3514
·高转换频率
应用
·专为音频应用
功率放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-180
-180
-5
-0.1
1.5
W
单位
V
V
V
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
C
= -50mA ;我
B
=-5mA
I
C
= -50mA ;我
B
=-5mA
V
CB
= -180V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -1mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -10mA ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -20mA ; V
CE
=-10V
90
100
民
-180
2SA1383
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
典型值。
最大
单位
V
-0.5
-1.5
-1.0
-1.0
V
V
A
A
320
4.5
180
pF
兆赫
h
FE-2
分类
Q
100-200
P
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1383
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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21PT434A/78
2N5987
2SA1241Y
2SA1241-Y
2NBS16-TJ3-221331LF
2SK2226-01L
2KBB40
20KP20CA
27C512-90/J
2SD0966
28C256-90I/P
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型号
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    2SA1383
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联系人：何小姐
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NEC
21+
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TO-220
全新原装正品/质量有保证
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2SA1383
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联系人：刘经理
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NEC
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全新原装正品/质量有保证
德国显周集团有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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