分立功率&信号
技术
2N6076
硅PNP小信号晶体管
BV
首席执行官
。 。 。 。 25 V （最小值）
h
FE
。 。 。 。 100 （最小值） @ V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
1
B
2
C
3
E
0.175 - 0.185
(4.450 - 4.700)
标志
XYY
1
2
3
0.135 - 0.145
(3.429 - 3.683)
绝对最大额定值
（注1 ）
温度
储存温度
-55摄氏度至
工作结温
功耗
（注2和3 ）
在TA器件总功耗= 25℃
电压电流&
V
首席执行官
集电极到发射极
V
CBO
收藏家基地
V
EBO
发射器基
I
C
集电极电流
150℃
150℃
2N
6076
0.175 - 0.185
(4.450 - 4.700)
座位
625毫瓦
0.500
(12.70)
飞机
民
25 V
25 V
5V
500毫安
0.016 - 0.021
(0.410- 0.533)
0.045 - 0.055
(1.143- 1.397)
0.095 - 0.105
(2.413 - 2.667)
电气特性
（ 25℃环境温度，除非另有说明）
符号
B
VCBO
B
VCEO
B
VEBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
V
BE
（上）
特征
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基地发射极电压上
最小最大
25
25
5
100
10
100
100
100
500
0.25
0.8
0.5
1.2
单位
V
V
V
nA
uA
nA
uA
V
V
V
测试条件
I
C
=
I
C
=
I
E
=
100微安
10毫安
10微安
V
CB
= 25 V
V
CB
= 25 V ， T = + 100°C
V
CE
= 25 V
V
EB
= 3.0 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安我
B
= 1.0毫安
I
C
= 10毫安我
B
= 1.0毫安
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安
1998
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
2n6076.ppt6894 REVA
分立功率&信号
技术
2N6076
硅PNP小信号晶体管
电气特性续
（ 25℃环境温度，除非另有说明）
符号
C
cb
的hFE
特征
输出电容
小信号电流增益
最小值最大值单位
1
100
13
750
pF
测试条件
V
CB
=
10 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 10 V，I
C
= 10 mA时， F = 1KHz的
注意事项：
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3.这些评级是基于150度C的最高结温
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
启摹
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