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2SA1241
东芝三极管
PNP硅外延型(厘过程)
2SA1241
功率放大器的应用
电源开关应用
低集电极饱和电压: V
CE (SAT)
=
0.5
V(最大值) (我
C
=
1
A)
出色的开关时间:吨
英镑
= 1.0
μs
(典型值)。
补充2SC3076
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
TA = 25°C
TC = 25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
2
1
1.0
10
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
2-7J1A
重量:0.58克(典型值)。
注1 :高负荷下连续使用(如应用程序
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使操作
条件(即工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2010-08-24
2SA1241
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
直流电流增益
(注2 )
h
FE (2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
t
on
20
μs
I
B1
开关时间
贮存时间
t
英镑
输入
I
B2
测试条件
V
CB
=
50
V,I
E
= 0
V
EB
=
5
V,I
C
= 0
I
C
=
10
妈,我
B
= 0
V
CE
=
2
V,I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2
V,I
C
=
1.5
A
I
C
=
1
A,I
B
=
0.05
A
I
C
=
1
A,I
B
=
0.05
A
V
CE
=
2
V,I
C
=
0.5
A
V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
产量
30 Ω
50
70
40
典型值。
100
40
0.1
最大
1.0
1.0
240
0.5
1.2
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
I
B2
I
B1
1.0
μs
V
CC
=
30
V
下降时间
t
f
I
B1
= 0.05 A,I
B2
= 0.05 A
占空比
1%
0.1
注2 :小时
FE (1)
分类
○: 70 140 , Y: 120240
记号
A1241
产品型号(或缩写代码)
LOT号
特征
指标
注3
注3 :根据批号的行标识产品标签的指示。
没有下划线: [铅] /包括> MCV
下划线: [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如RoHS指令
产品的兼容性。 RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27局的
2003年1月关于在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
2
2010-08-24
2SA1241
V
CE
– I
C
1.0
共发射极
1.0
V
CE
– I
C
共发射极
VCE ( V)
0.8
IB =
5
mA
10
20
40
80
TC = 25°C
VCE ( V)
0.8
IB =
5
mA
0.6
20 30 40 60
TC = 100℃
80
120
160
180
120
0.6
160
0.4
200
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
0.4
200
0.2
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
CE
– I
C
1.0
共发射极
1000
h
FE
– I
C
共发射极
500
VCE ( V)
0.8
直流电流增益
FE
IB =
10
mA
20
40
30
60
TC =
55°C
80
120
160
VCE =
2
V
TC = 100℃
300
集电极 - 发射极电压
0.6
100
50
30
25
55
0.4
200
0.2
10
0.005 0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
0
0
集电极电流I
C
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
CE (SAT)
– I
C
1
10
V
BE (SAT)
– I
C
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
共发射极
5
3
TC =
55°C
1
0.5
0.3
100
IC / IB = 20
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
共发射极
0.5
0.3
IC / IB = 20
0.1
0.05
0.03
TC = 100℃
55
25
25
0.01
0.005 0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
0.1
0.005 0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
3
2010-08-24
2SA1241
I
C
– V
BE
2.0
12
P
C
- TA
P
C
(W)
共发射极
VCE =
2
V
(1)
( 1 )锝= TA无限的散热器
( 2)陶瓷基片
50 × 50 × 0.8 mm
( 3 )无散热片
10
(A)
1.5
集电极耗散功率
集电极电流I
C
8
1.0
TC = 100℃
6
25
55
4
0.5
(2)
2
(3)
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
基射极电压
V
BE
(V)
环境温度Ta (C )
安全工作区
5
3
集成电路最大值(脉冲) *
1毫秒*
IC MAX(连续)
1
直流操作
热力有限公司
(A)
10毫秒*
100毫秒*
集电极电流I
C
0.5
0.3
S / B有限公司
0.1
0.05
0.03
* :单非重复脉冲
TC = 25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
1
3
5
10
最大VCEO
0.01
0.5
30 50
100
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
4
2010-08-24
2SA1241
限制产品使用
东芝公司及其子公司和联营公司(统称为“ TOSHIBA” ) ,保留更改信息的权利
在这个文件中,以及相关的硬件,软件和系统(统称为“产品”) ,恕不另行通知。
本文档的任何信息均不得转载未经东芝事先书面许可。即使
东芝的书面许可,复制是允许的,只要还原度没有改变/遗漏。
虽然东芝的作品不断地提高产品的质量和可靠性,产品可能出现故障或失败。客户
负责符合安全标准,并提供足够的设计和保障他们的硬件,软件和
这最大限度地降低风险,并避免出现在产品的故障或失效可能导致生命丧失,身体系统
人身伤害或财产损失,包括数据丢失或损坏。在客户使用的产品,创造设计包括
产品,或纳入产品到他们自己的应用程序,用户还必须参考,并符合第(一)的最新版本
所有相关的东芝信息,包括但不限于本文件,规格,数据表和应用说明
对于产品,并提出了“东芝半导体可靠性手册”中的注意事项和条件, (二)
与该产品将被用于或应用程序的说明。客户全权负责各方面的
自己的产品设计和应用,包括但不限于: ( a)确定在这样的使用本产品的适当性
设计或应用程序; (二)评估和确定的任何信息本文件所载的适用性,或图表,
图表,程序,算法,样本应用电路,或任何其他引用的文件; (三)确认所有操作
参数对这样的设计和应用。
东芝半导体公司没有责任为客户的产品设计或
应用程序。
产品适用于一般电子设备的应用程序(使用例如,计算机,个人设备,办公设备,测量
设备,工业机器人和家用电子电器) ,或针对特定应用本文件中的明确规定。
产品既不打算也不保证在设备或系统的使用要求非常高的质量水平和/或
可靠性和/或故障或故障可能导致人的生命,人身伤害,严重财产损失或严重损失
公众的影响( “误用”)。意想不到的用途包括,但不限于核设施中使用的设备,二手设备
在航空航天工业,医疗设备,用于汽车,火车,轮船等运输,交通信号设备
设备,用来控制发火或爆炸,安全装置,电梯和自动扶梯设备,相关电力设备
电力,装备财务相关领域。不要使用产品的误用,除非在此特别许可
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负责,包括但不限于,间接的,继发的,特殊的或偶然的损坏或
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数据丢失;(2 )拒绝任何明示或暗示的保证以及与条件
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适用于特定用途,精度信息,或不侵权的。
不要使用或以其他方式提供产品或相关软件或技术进行任何军事目的,包括但
限制,在设计,开发,使用,核武器,化学武器或生物武器或导弹储存或生产
技术产品(大规模杀伤武器) 。产品及相关软件和技术可根据被控制
日本外汇及外国贸易法和美国出口管理条例。出口和再出口产品
或相关软件或技术被严格禁止的项目除外遵守所有适用的出口法律和法规。
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
5
2010-08-24
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1630
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TOSHIBA/东芝
2024
20918
TO-252
原装现货上海库存,欢迎咨询
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14+
56000
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