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2N70
2安培， 700伏特N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
2N70
是一个高电压MOSFET设计成具有
更好的特性，如快速切换时间，低栅极电荷
低通态电阻和高的耐用雪崩特性。
这种功率MOSFET通常用在高速开关
应用在电源供应器， PWM马达控制，高效
DC到DC转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 6.3@V
GS
= 10V
*超低栅极电荷（典型值8.1nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型5.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
包
无铅
无卤
2N70L-TA3-T
2N70G-TA3-T
TO-220
2N70L-TF1-T
2N70G-TF1-T
TO-220F1
2N70L-TF3-T
2N70G-TF3-T
TO-220F
2N70L-TM3-T
2N70G-TM3-T
TO-251
2N70L-TN3-R
2N70G-TN3-R
TO-252
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
2N70L-TA3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
带盘
（ 1 ）R ：带卷轴，T ：管
（ 2 ） TA3 ： TO- 220 ， TF1 ： TO- 220F1 ， TF3 ： TO- 220F ，
(2)
TM3 ： TO- 251 ， TN3 ： TO- 252
（ 3 ）G ：无卤，L ：无铅
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QW-R502-334.C
2N70
绝对最大额定值
(
T
C
= 25° С ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
700
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
2.0
A
连续
I
D
2.0
A
漏电流
8.0
A
脉冲（注2）
I
DM
单脉冲（注3 ）
E
AS
140
mJ
雪崩能量
2.8
mJ
重复的（注2）
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220
45
W
功耗
P
D
TO-220F/TO-220F1
28
W
TO-251/TO-252
30
W
结温
T
J
+150
°С
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度限制T
J
3. L = 45mH ，我
AS
= 2.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
=25
,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤2.0A,
DI / dt≤200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
TO-220/TO-220F/TO-220F1
结到环境
TO-251/TO-252
TO-220
结到外壳
TO-220F/TO-220F1
TO-251/TO-252
符号
θ
JA
θ
Jc
评级
62.5
110
2.76
4.46
4.24
单位
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
电气特性
(T
J
= 25° С ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
前锋
反向
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 700V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
最小典型最大单位
700
10
100
-100
0.4
2.0
5.0
270
38
5
4.0
6.3
350
50
7
V
μA
nA
nA
V/°С
V
pF
pF
pF
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
ΔBV
DSS
/
△
T
J
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
=1A
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
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2N70
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 350V ，我
D
= 2.0A ，R
G
=25
（注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=560V, V
GS
= 10V ，我
D
=2.0A
栅极 - 源电荷
Q
GS
（注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
漏源二极管的特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
SD
= 2.0 A
连续漏 - 源电流
I
SD
脉冲漏源电流
I
SM
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0 V，I
SD
= 2.0A
的di / dt = 100 A / μs的（注1）
反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
最小典型最大单位
30
80
50
70
11
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
8.1
1.7
4.4
1.4
2.0
8.0
260
1.09
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2N70
测试电路和波形
+
V
DS
-
+
-
L
功率MOSFET
D.U.T.
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形
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测试电路和波形（续）
功率MOSFET
V
DS
90%
V
GS
10%
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
图。 2A开关测试电路
图。 2B的开关波形
V
GS
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
收费
图。 3A栅极电荷测试电路
图。 3B栅极电荷波形
E
AS
=
1
BV
DSS
LI
AS2
2
BV
DSS
- V
DD
图。 4A非钳位感应开关测试电路
图。 4B非钳位感应开关波形
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