24C32A
32K 5.0V我
2
C
串行EEPROM
特点
工作电压范围: 4.5V至5.5V
- 最大写入电流的3毫安5.5V
- 待机电流1
一个典型的5.0V
2线串行接口总线,I
2
C
兼容
100 kHz和400 kHz的兼容性
自定时擦除和写入周期
电源开/关数据保护电路
硬件写保护
- 100擦除/写周期保证
提供32字节页或字节写入模式
施密特触发器网络过滤的输入噪声suppres-
锡永
输出斜率控制以消除接地反弹
2毫秒典型的写周期时间,字节或页面
多达八个装置可以连接到
同一总线上最多256K比特的总内存
静电放电保护> 4000V
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP和SOIC封装
温度范围
- 商业( C) :
0℃至
70C
- 工业级(I ) :
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车( E) :
-40°C至+ 125°C
封装类型
PDIP
A0
A1
A2
VSS
1
24C32A
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
SOIC
A0
A1
A2
VSS
1
24C32A
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
描述
Microchip Technology Inc.的24C32A是4K ×8 ( 32K
位)的串行电可擦除的PROM 。它一直
先进的,低功耗的应用,例如开发
如个人通信或数据采集。该
24C32A还具有多达32个的页写功能
字节的数据。该24C32A是能够进行随机的
而连续读取高达32K的边界。功能
tional地址线允许多达8个24C32A设备
在同一总线上,最多256K位的地址空间。
先进的CMOS技术和广泛的电压范围
使该器件非常适用于低功耗/低电压,非
挥发性代码和数据应用。该24C32A是
在标准的8引脚塑料DIP和两个可150
万和200万SOIC封装。
框图
A0..A2
WP
WP
高压发生器
I / O
控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
页锁存器
I / O
SCL
YDEC
SDA
V
CC
V
SS
SENSE AMP
R / W控制
I
2
C是飞利浦公司的商标。
1996年Microchip的科技公司
初步
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
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24C32A
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
表1-1:
名字
A0..A2
V
SS
SDA
SCL
WP
V
CC
引脚功能表
功能
用户刀豆网络可配置芯片选择
地
串行地址/数据I / O
串行时钟
写保护输入
+ 4.5V至5.5V电源
V
CC
...................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
............... -0.6V到V
CC
+1.0V
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度。与施加的功率................ -65C至+ 125C
引线焊接温度( 10秒) ............. + 300℃
所有引脚的ESD保护
..................................................≥
4千伏
*注意:
条件超过上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件,在操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
表1-2:
DC特性
VCC = + 4.5V至5.5V
商业( C) :环境温度Tamb = 0
°
C至+70
°
C
工业级(I ) :
TAMB = -40
°
C至+ 85
°
C
汽车( E) :环境温度Tamb = -40
°
C至+ 125
°
C
参数
符号
民
典型值
最大
A0, A1,A2, SCL,SDA和可湿性粉剂
引脚:
高电平输入电压
V
IH
.7 V
CC
—
—
0.3的Vcc
低电平输入电压
V
IL
施密特触发器的滞后
V
HYS
.05
—
输入
V
CC
低电平输出电压
V
OL
—
.40
-10
10
输入漏电流
I
LI
输出漏电流
I
LO
-10
10
引脚电容
C
IN
, C
OUT
—
10
(所有输入/输出)
—
3
工作电流
I
CC
写
I
CC
读
—
0.5
待机电流
I
CCS
—
1
5
注意:
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
单位
条件
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
A
(注)
I
OL
= 3.0毫安
V
IN
= .1V到V
CC
V
OUT
= .1V到V
CC
V
CC
= 5.0V (注)
环境温度Tamb = 25° C,F
c
= 1兆赫
V
CC
= 5.5V , SCL = 400千赫
V
CC
= 5.5V , SCL = 400千赫
SCL SDA = = V
CC
= 5.5V
图1-1:
总线时序START / STOP
V
HYS
SCL
T
SU
:
STA
SDA
T
HD
:
STA
T
SU
:
申通快递
开始
停止
DS21163B第2页
初步
1996年Microchip的科技公司
24C32A
表1-3:
AC特性
VCC = 4.5-5.5
参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
START条件保持时间
启动条件建立时间
数据输入保持时间
数据输入建立时间
停止条件的建立时间
时钟输出有效
总线空闲时间
输出下降时间从V
IH
分钟
V
IL
最大
输入滤波器尖峰抑制
( SDA和SCL引脚)
写周期时间
耐力
符号
民
F
CLK
T
高
T
低
T
R
T
F
T
HD
:
STA
T
SU
:
STA
T
HD
:
DAT
T
SU
:
DAT
T
SU
:
申通快递
T
AA
T
BUF
T
OF
T
SP
T
WR
—
—
4000
4700
—
—
4000
4700
0
250
4000
—
4700
—
—
—
1M
最大
100
—
—
1000
300
—
—
—
—
—
3500
—
250
50
5
—
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
周期
25
°
C, VCC = 5.0V ,块模式
(注4 )
(注2 )
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
(注1 ) ,C
B
≤
100 pF的
(注3)
(注1 )
(注1 )
在此之后的第一个网络时钟
产生的脉冲
仅与重复
启动条件
单位
备注
注1 :未经过100%测试。
B
=在pF的总线上的总电容。
2 :作为发送器,器件必须提供内部最小延迟时间,以弥补理解过程把网络定义区域
(最低300纳秒) SCL的下降沿,以避免产生意外的启动或停止条件。
3:将合并
SP
和V
HYS
特定网络阳离子是由于施密特触发器输入可以改善噪声
和尖峰抑制。这省去了一个钛特定网络连接的阳离子为标准操作。
4 :该参数没有进行测试,但性能可以保证。对于一个特定的应用程序估计耐用性
阳离子,请咨询可在我们的BBS或网站获得的总耐力模式。
图1-2:
总线时序数据
T
F
T
高
T
低
T
R
SCL
T
SU
:
STA
SDA
IN
T
HD
:
STA
T
SP
T
AA
SDA
OUT
T
HD
:
STA
T
HD
:
DAT
T
SU
:
DAT
T
SU
:
申通快递
T
AA
T
BUF
1996年Microchip的科技公司
初步
DS21163B第3页
24C32A
3.6
设备寻址
控制字节是接收到的第一个网络字节以下的
开始从主设备条件。控制字节
由4位控制码;对于24C32A这是
设置为1010的二进制读取和写(R / W )操作。
控制字节的接下来的三位是器件
选位( A2 , A1 , A0 ) 。它们所使用的主
设备来选择八个设备是为
访问。这些位实际上是三个最显
字地址的着性位。控制的最后一位
要执行的字节去音响未列名的操作。当设置
到一个被选择的读出操作,而当设定为
选择一个零写操作。接下来的两个字节
接到德网络网元连接的第一个数据字节的地址
(图3-3 ) 。因为只有A 11 ... A 0时,该
高4个地址位必须为零。最显
地址的最显着的字节着性位
传输网络RST 。
继启动条件时, 24C32A监控
SDA总线检查设备类型identi连接器的存在
传输。当接收到1010码和批
吃了设备选择位,从器件输出
承认在SDA线上的信号。根据不同的
在R / W位的状态下, 24C32A会选择读或
写操作。
手术
读
写
控制
CODE
1010
1010
设备选择
设备地址
设备地址
读/写
1
0
图3-2:
控制字节
分配
读/写
开始
从机地址
读/写
A
1
0
1
0
A2
A1
A0
图3-3:
地址序列位分配
控制字节
A
2
A
1
A
0 R / W
地址字节1
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
地址字节0
A
0
1
0
1
0
0
0
0
0
SLAVE
地址
设备
SELECT
公共汽车
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