2SJ537
东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS类型（长
-π - MOSVI ）
2
2SJ537
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS （ ON）
= 0.16
（典型值）。
单位：mm
: |Y
fs
| = 3.5 S（典型值）。
: I
DSS
=
100 μA
(V
DS
=
50
V)
: V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
等级
50
50
±20
5
15
0.9
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-92MOD
―
2-5J1C
脉冲（注1 ）
重量：0.58克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道至环境
符号
R
第（章-a）的
最大
138
单位
C / W
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
此晶体管是静电敏感器件。
请谨慎操作。
1
2009-09-29
2SJ537
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
漏截止电流
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
t
f
—
20
—
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
DS
=
10
V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
50
V, V
GS
= 0 V
I
D
=
10
毫安，V
GS
= 0 V
V
DS
=
10
V，I
D
=
1
mA
V
GS
=
4
V，I
D
=
1.3
A
V
GS
=
10
V，I
D
=
2.5
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
2.5
A
民
—
—
50
0.8
—
—
1.5
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
0.27
0.16
3.5
470
60
210
25
35
最大
±10
100
—
2.0
0.34
0.19
—
—
—
—
—
—
ns
pF
单位
μA
μA
V
V
S
关断时间
总栅极电荷（栅源
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈ 40
V, V
GS
=
10
V,
I
D
=
5
A
—
120
—
—
—
—
18
13
5
—
—
—
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（ TA = 25°C ）
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ）
正向电压（二极管）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
测试条件
—
—
I
DR
=
5
A，V
GS
= 0 V
民
—
—
—
典型值。
—
—
—
最大
5
15
1.5
单位
A
A
V
记号
注2 ：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
产品型号（或缩写代码）
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
LOT号
注2
J537
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
2
2009-09-29
2SJ537
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（L
-π - MOSVI ）
2
2SJ537
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
: R
DS （ ON）
= 0.16
（典型值）。
: |Y
fs
| = 3.5 S（典型值）。
单位：mm
低漏电流：I
DSS
=
100
μA （V
DS
=
50
V)
增强型： V
th
=
0.8~2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
等级
50
50
±20
5
15
0.9
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
脉冲（注1 ）
JEDEC
TO-92MOD
―
2-5J1C
热特性
特征
耐热性，信道至
环境
符号
R
第（章-a）的
最大
138
单位
C / W
JEITA
东芝
重量：0.58克（典型值）。
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
此晶体管是静电敏感器件。
请谨慎操作。
1
2004-09-01
2SJ537
东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS类型（长
-π - MOSVI ）
2
2SJ537
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
: R
DS （ ON）
= 0.16
（典型值）。
: |Y
fs
| = 3.5 S（典型值）。
单位：mm
低漏电流：I
DSS
=
100 μA
(V
DS
=
50
V)
增强型： V
th
=
0.8~2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
等级
50
50
±20
5
15
0.9
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-92MOD
―
2-5J1C
脉冲（注1 ）
重量：0.58克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道至
环境
符号
R
第（章-a）的
最大
138
单位
C / W
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
此晶体管是静电敏感器件。
请谨慎操作。
1
2006-11-16
