2N5018系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX 2N5018
零点偏移电压
低导通电阻
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏
门源
30V
30V
-50mA
500mW
-55 ℃200℃
-55 ℃200℃
1
单P沟道
JFET开关
75
TO-18
底部视图
G
2
3
D
S
1
静态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
I
D（关闭）
I
DGO
r
DS （ ON）
特征
栅源击穿电压
门源截止电压
漏极至源极电压上
漏极至源极饱和电流
栅极漏电流
排水截止电流
反向漏电流
漏极至源极导通电阻
2
典型值
2N5018
民
30
10
-0.5
最大
2N5019
民
30
5
-0.5
最大
单位
条件
I
G
= 1μA ，V
DS
= 0V
V
V
DS
= -15V ，我
D
= -1A
V
GS
= 0V时，我
D
= -6mA
V
GS
= 0V时，我
D
= -3mA
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 15V, V
DS
= 0V
V
DS
= -15V, V
GS
= 12V
V
DS
= -15V, V
GS
= 7V
V
DG
= -15V ，我
S
= 0A
I
D
= -1mA ，V
GS
= 0V
-10
2
-10
-10
-2
75
-5
2
-10
-10
-2
150
mA
nA
A
nA
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
动态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
r
DS （ ON）
C
国际空间站
特征
漏极至源极导通电阻
输入电容
典型值
2N5018
民
最大
75
45
10
C
RSS
反向传输电容
10
2N5019
民
最大
150
45
pF
单位
条件
I
D
= 0A ，V
GS
= 0V
f
= 1kHz时
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V
f
= 1MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 12V
f
= 1MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 7V
f
= 1MHz的
开关特性（最大值）
符号。
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
启动时间
关闭时间
2N5018
15
20
15
50
2N5019
15
75
25
100
ns
单位
开关电路特性
符号。
V
DD
V
GG
R
L
R
G
I
D（上）
V
GS （H ）
V
GS （ L）
2N5018
-6V
12V
910
220
-6mA
0V
12V
2N5019
-6V
8V
1.8k
390
-3mA
0V
7V
TO-18
三导
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
切换测试电路
V
GG
V
DD
V
GS （H ）
V
GS （ L）
1.2k
R
L
0.1F
3 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.500 MIN 。
R
G
7.5k
51
0.100
0.050
2
1
3
1.2k
采样
范围
51
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
51
笔记
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
2N5018系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX 2N5018
零点偏移电压
低导通电阻
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏
门源
30V
30V
-50mA
500mW
-55 ℃200℃
-55 ℃200℃
1
单P沟道
JFET开关
75
TO-18
底部视图
G
2
3
D
S
1
静态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
I
D（关闭）
I
DGO
r
DS （ ON）
特征
栅源击穿电压
门源截止电压
漏极至源极电压上
漏极至源极饱和电流
栅极漏电流
排水截止电流
反向漏电流
漏极至源极导通电阻
2
典型值
2N5018
民
30
10
-0.5
最大
2N5019
民
30
5
-0.5
最大
单位
条件
I
G
= 1μA ，V
DS
= 0V
V
V
DS
= -15V ，我
D
= -1A
V
GS
= 0V时，我
D
= -6mA
V
GS
= 0V时，我
D
= -3mA
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 15V, V
DS
= 0V
V
DS
= -15V, V
GS
= 12V
V
DS
= -15V, V
GS
= 7V
V
DG
= -15V ，我
S
= 0A
I
D
= -1mA ，V
GS
= 0V
-10
2
-10
-10
-2
75
-5
2
-10
-10
-2
150
mA
nA
A
nA
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
动态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
r
DS （ ON）
C
国际空间站
特征
漏极至源极导通电阻
输入电容
典型值
2N5018
民
最大
75
45
10
C
RSS
反向传输电容
10
2N5019
民
最大
150
45
pF
单位
条件
I
D
= 0A ，V
GS
= 0V
f
= 1kHz时
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V
f
= 1MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 12V
f
= 1MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 7V
f
= 1MHz的
开关特性（最大值）
符号。
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
启动时间
关闭时间
2N5018
15
20
15
50
2N5019
15
75
25
100
ns
单位
开关电路特性
符号。
V
DD
V
GG
R
L
R
G
I
D（上）
V
GS （H ）
V
GS （ L）
2N5018
-6V
12V
910
220
-6mA
0V
12V
2N5019
-6V
8V
1.8k
390
-3mA
0V
7V
TO-18
三导
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
切换测试电路
V
GG
V
DD
V
GS （H ）
V
GS （ L）
1.2k
R
L
0.1F
3 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.500 MIN 。
R
G
7.5k
51
0.100
0.050
2
1
3
1.2k
采样
范围
51
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
51
笔记
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
2N5019
P沟道JFET
线性系统替换停产的Siliconix 2N5019
该2N5019是单P沟道JFET开关
此p沟道模拟开关被设计为提供低
导通电阻和快速切换。
所述密封TO -18封装，非常适合
高新可靠性和恶劣环境下的应用。
（见包装信息） 。
特点是什么？
DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIX2N5019
零点偏移电压
低导通电阻
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
r
DS （ ON） =
≤150Ω
最高温度
储存温度
‐55°Cto+200°C
低插入损耗
工作结温
‐55°Cto+200°C
无偏移或封闭的误差电压产生
最大功率耗散
开关
连续功率耗散
500mW
纯电阻
最大电流
2N5019应用范围：
GateCurrent(Note1)
I
G
=‐50mA
模拟开关
最大电压不
换向器
栅漏电压
V
GDS
=30V
菜刀
门源电压
V
GSS
=30V
2N5019ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
（典型值） *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
30
‐‐
‐‐
I
G
=1A,V
DS
=0V
V
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐‐
‐‐
5
V
DS
=‐15V,I
D
=‐1A
V
DS （ ON）
漏极至源极电压上
‐‐
‐‐
‐0.5
V
GS
=0V,I
D
=‐3mA
I
DSS
DraintoSourceSaturationCurrent(Note2)
‐5
‐‐
‐‐
mA
V
DS
=‐20V,V
GS
=0V
I
GSS
门反向电流
‐‐
‐‐
2
nA
V
GS
=15V,V
DS
=0V
I
D（关闭）
排水截止电流
‐‐
‐‐
‐10
V
DS
=‐15V,V
GS
=12V
‐‐
‐‐
‐10
A
V
DS
=‐15V,V
GS
=7V
I
DGO
排水反向电流
‐‐
‐‐
‐2
nA
V
DG
=‐15V,I
S
=0A
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
150
Ω
I
D
=‐1mA,V
GS
=0V
2N5019DYNAMICELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
（典型值） *
MAX`
单位“
条件“
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
150
Ω
I
D
=0A,V
GS
=0V,f=1kHz
C
国际空间站
输入电容
‐‐
‐‐
45
pF
V
DS
=‐15V,V
GS
=0V,f=1MHz
C
RSS
反向传输电容
‐‐
‐‐
10
V
DS
=0V,V
GS
=7V,f=1MHz
2N5019SWITCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
单位“
条件“
2N5019优点：
点击购买
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
15
75
25
100
ns
V
GS
(L)=7V
V
GS
(H)=0V
见开关电路
可用的软件包：
2N5019的TO- 18
2N5019裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution
TO- 18 （底视图）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
切换测试电路
2N5019SWITCHINGCIRCUITPARAMETERS
V
DD
‐6V
V
GG
8V
R
L
1.8kΩ
R
G
390Ω
I
D（上）
‐3mA
Micross组件欧洲
Note1‐Absolutemaximumratingsarelimitingvaluesabovewhich2N5019serviceabilitymaybeimpaired.
注2 - 脉冲测试： PW≤ 300微秒，占空比≤ 3 ％
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任
假设
供其使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示
或根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
Micross组件有限公司，英国，电话： +44 1603 788967 ，传真： +44 1603788920 ，邮箱：
chipcomponents@micross.com
网址：
www.micross.com/distribution.aspx
QQ：2881677436 复制
