功率晶体管
2SB1071 ， 2SB1071A
PNP硅外延平面型
用于低压开关
0.7
±0.1
单位：mm
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
■
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
高速开关
这可以用一个螺钉被安装到散热器的全包包
16.7
±0.3
7.5
±0.2
φ
3.1
±0.1
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
2SB1071
2SB1071A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
T
a
=
25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
等级
40
50
20
40
5
4
8
25
2
150
55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
1 2 3
单位
V
浸焊
(4.0)
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
14.0
±0.5
0.8
±0.1
2.54
±0.3
集电极 - 发射极电压2SB1071
（基地开）
2SB1071A
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
V
5.08
±0.5
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ： SC- 67
TO- 220F -A1套餐
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
（基地开）
集电极 - 基极截止
电流（发射极开路）
2SB1071
2SB1071A
2SB1071
2SB1071A
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
CBO
V
CB
= 40
V，I
E
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 2
V，I
C
=
0.1 A
V
CE
= 2
V，I
C
= 1
A
I
C
= 2
A，I
B
=
0.1 A
I
C
= 2
A，I
B
=
0.1 A
V
CE
= 5
V，I
C
=
0.5 A，F
=
10兆赫
I
C
= 2
A，I
B1
=
0.2 A，I
B2
=
0.2 A
V
CC
= 20
V
150
0.3
0.4
0.1
45
60
260
0.5
1.5
V
V
兆赫
s
s
s
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= 10
妈，我
B
=
0
民
20
40
50
50
50
A
A
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE2
R
60至120
Q
90至180
P
130 260
出版日期： 2003年2月
SJD00041AED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1071 2SB1071A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
功率晶体管
2SB1071 ， 2SB1071A
PNP硅外延平面型
用于低压开关
0.7
±0.1
单位：mm
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
■
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
高速开关
这可以用一个螺钉被安装到散热器的全包包
16.7
±0.3
7.5
±0.2
φ
3.1
±0.1
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
2SB1071
2SB1071A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
T
a
=
25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
等级
40
50
20
40
5
4
8
25
2
150
55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
1 2 3
单位
V
浸焊
(4.0)
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
14.0
±0.5
0.8
±0.1
2.54
±0.3
集电极 - 发射极电压2SB1071
（基地开）
2SB1071A
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
V
5.08
±0.5
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ： SC- 67
TO- 220F -A1套餐
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
（基地开）
集电极 - 基极截止
电流（发射极开路）
2SB1071
2SB1071A
2SB1071
2SB1071A
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
CBO
V
CB
= 40
V，I
E
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 2
V，I
C
=
0.1 A
V
CE
= 2
V，I
C
= 1
A
I
C
= 2
A，I
B
=
0.1 A
I
C
= 2
A，I
B
=
0.1 A
V
CE
= 5
V，I
C
=
0.5 A，F
=
10兆赫
I
C
= 2
A，I
B1
=
0.2 A，I
B2
=
0.2 A
V
CC
= 20
V
150
0.3
0.4
0.1
45
60
260
0.5
1.5
V
V
兆赫
s
s
s
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= 10
妈，我
B
=
0
民
20
40
50
50
50
A
A
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE2
R
60至120
Q
90至180
P
130 260
出版日期： 2003年2月
SJD00041AED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
QQ：2880707522 复制
