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2N6111
硅PNP开关晶体管
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPE
PNP晶体管
应用范围:
s
线性和开关工业
设备
描述
的2N6111是一个外延基极的PNP硅
晶体管JEDEC的TO -220塑料封装。这是
用于各种介质的功率
开关和线性的应用程序。
3
1
2
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(R
BE
= 100
)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
基极电流
总功耗在T
c
= 25
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
-40
-40
-30
-5
-7
-3
40
-65到150
150
单位
V
V
V
V
A
A
W
o
o
C
C
2003年12月
1/4
2N6111
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
3.12
70
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CEX
I
首席执行官
I
EBO
参数
集电极截止
电流(V
BE
= - 1.5V)
集电极截止
电流(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= -40 V
V
CE
= -30 V
V
CE
= -20 V
V
EB
= -5 V
I
C
= -0.1 A
-30
T
C
= 150 C
o
分钟。
典型值。
马克斯。
-0.1
-2
-1
-1
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CER ( SUS)
集电极 - 发射极
维持电压
(I
C
= 0)
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
h
fe
f
T
C
CBO
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
直流电流增益
小信号电流
收益
过渡频率
集电极 - 基
电容
I
C
= -0.1 A
R
BE
= 100
-40
V
I
C
= -2 A
I
C
= -7 A
I
C
= -2 A
I
C
= -7 A
I
C
= -3 A
I
C
= -7 A
I
C
= -0.5 A
F = 50千赫
I
C
= -0.5 A
V
CB
= -10 V
I
B
= -0.2 A
I
B
= -3.0 A
V
CE
= -4 V
V
CE
= -4 V
V
CE
= -4 V
V
CE
= -4 V
V
CE
= -4 V
V
CE
= -4 V
F = 1 MHz的
30
2.3
20
4
-1
-3.5
-5
-3
150
V
V
V
V
兆赫
250
pF
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5% 。
2/4
2N6111
TO- 220机械数据
DIM 。
A
C
D
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
M
DIA 。
3.75
13.00
2.65
15.25
6.20
3.50
2.60
3.85
0.147
mm
分钟。
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.40
10.00
16.40
14.00
2.95
15.75
6.60
3.93
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.102
0.151
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.70
10.40
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.394
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
典型值。
马克斯。
0.181
0.052
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.202
0.106
0.409
P011CI
3/4
2N6111
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