功率晶体管
TO- 66案例
型号
NPN
2N3054
2N3054A
2N3583
2N3584
2N3585
2N3738
2N3739
PNP
2N6049
2N6420
2N6421
2N6422
IC
(A)
最大
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
7.0
7.0
7.0
7.0
1.0
1.0
1.0
4.0
4.0
3.0
4.0
4.0
8.0
8.0
7.0
7.0
6.0
6.0
6.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
3.0
PD
(W)
25
75
35
35
35
20
20
25
25
25
25
20
20
35
75
35
75
35
75
35
20
20
20
25
25
25
40
40
40
40
35
35
35
29
50
20
50
50
75
75
90
90
40
40
40
20
20
40
40
29
25
BVCBO
(V)
民
90
90
250
375
500
250
325
60
60
80
80
80
100
50
40
70
60
90
80
500
350
500
500
40
60
80
80
80
100
100
275
350
400
50
90
140
60
80
60
80
60
80
90
70
50
250
325
110
130
60
160
BVCEO
(V)
民
55
55
175
250
300
225
300
60
60
80
80
60
80
40
40
60
60
80
80
300
250
350
350
40
60
80
80
80
100
100
225
300
350
40
80
120
60
80
60
80
60
80
80
60
40
225
300
100
120
60
120
的hFE
民
25
25
40
40
40
40
40
30
30
30
30
40
40
25
25
25
25
25
25
40
50
25
50
20
20
20
30
60
30
60
10
10
10
20
25
20
750
750
750
750
20
20
20
20
20
40
40
15
15
20
25
最大
150
150
- -
- -
- -
200
200
150
150
150
150
160
160
100
100
100
100
100
100
- -
150
75
150
150
150
150
120
240
120
240
100
100
100
100
100
150
18,000
18,000
18,000
18,000
100
100
100
100
100
200
200
150
150
120
150
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
(V)
(A)
最大
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.25
0.25
0.25
0.25
0.5
0.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.5
0.5
0.5
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
0.5
2.0
2.0
4.0
4.0
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
0.1
0.1
1.5
1.5
1.0
0.5
1.0
0.5
5.0
0.75
0.75
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
0.6
1.0
1.0
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
4.0
1.0
0.9
0.9
0.75
0.6
0.6
0.6
0.7
0.7
0.7
0.7
1.4
1.6
2.0
1.5
0.5
1.2
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.5
2.5
1.2
1.2
1.0
1.0
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
0.25
0.25
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
0.75
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
0.125
0.125
0.125
1.5
1.5
0.5
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.5
3.0
0.25
0.25
1.5
1.5
0.5
0.5
fT
（兆赫）
民
0.8
0.8
10
10
10
10
10
3.0
3.0
3.0
3.0
10
10
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
15
20
20
20
3.0
3.0
3.0
30
30
30
30
20
20
20
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
5.0
5.0
0.75
0.2
2N3740
2N3740A
2N3741
2N3741A
2N3766
2N3767
2N4231
2N4231A
2N4232
2N4232A
2N4233
2N4233A
2N4240
2N4296
2N4298
2N4299
2N4910
2N4911
2N4912
2N5427
2N5428
2N5429
2N5430
2N6312
2N6313
2N6314
2N6423
2N4898
2N4899
2N4900
2N6211
2N6212
2N6213
2N6260
2N6261
2N6263
2N6294
2N6295
2N6300
2N6301
2N6315
2N6316
2N6372
2N6373
2N6374
2N6465
2N6466
40312
CM3441
2N6296
2N6297
2N6298
2N6299
2N6317
2N6318
2N5954
2N5955
2N5956
2N6424
2N6425
2N6467
2N6468
86
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110 传真： （ 631 ） 435-1824
2N3054
尺寸以毫米（英寸） 。
3.68
（ 0.145 ）弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
4.08(0.161)
弧度。
在一个双极NPN器件
密封TO66
金属包装。
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
24.13 (0.95)
24.63 (0.97)
1
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
2
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 55V
I
C
= 4A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规格
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
TO66 （ TO213AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
55
4
单位
V
A
-
Hz
@ 4/0.5 (V
CE
/ I
C
)
25
0.8M
100
25
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110 传真： （ 631 ） 435-1824
NPN 2N3054
硅功率晶体管
的2N3054是NPN晶体管安装在TO- 66金属封装，其集电极
连接到所述壳体。
它们设计用于通用开关和放大器应用。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
J
T
英镑
评级
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗
结温
存储温度范围
价值
55
90
7
4
10
2
25
200
-65到+200
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
@ T
例
= 25°
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻，结案件
价值
7
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
首席执行官
I
EBO
I
CEV
V
首席执行官
(*)
h
FE
(*)
V
CE （ SAT ）
(*)
V
BE
f
T
评级
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极截止电流
集电极发射极击穿
电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
跃迁频率
测试条件（S ）
民
-
-
-
-
55
40
8
-
-
-
500
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.5
1
1
6
-
-
80
1
6
1.7
-
单位
mA
V
CE
= 30 V，I
B
= 0
V
EB
= 7V ，我
C
= 0
V
CE
= 90V牛逼
C
= 25°C
V
BE
= 1.5V牛逼
C
= 150°C
I
C
= 0.1毫安，我
B
=0
I
C
= 100毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 1 A，V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 3 A，I
B
= 1 A
I
C
= 500毫安， V
CE
= 4 V
I
C
= 200毫安， V
CE
=10 V
F = 1 MHz的
V
-
V
V
兆赫
（ * ）脉冲条件： TP < 300
s, δ
=2%.
半导体COMSET
1/2
NPN 2N3054
机械数据案例TO- 66
尺寸
mm
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
P
Q
S
T
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
民
30.60
11.94
6.35
0.712
1.27
24.28
4.83
2.41
14.48
9.15
-
3.60
-
-
最大
32.52
12.7
8.63
0.863
1.91
24.50
5.33
2.67
14.99
10.50
2.7
4.00
8.89
3.68
辐射源
BASE
集热器
修订后的2012年8月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，
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组件生命支持设备或系统。
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20/09/2012
半导体COMSET
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2/2
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