【2SC4988NPN硅外延ADE-208-0041日。版应用VHF / UHF宽带放大器特点高增益带】,IC型号2SC4988,2SC4988 PDF资料,2SC4988经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SC4988

NPN硅外延

ADE-208-004

1日。版

应用

VHF / UHF宽带放大器

特点

高增益带宽积

= 8.5 GHz的典型值

高增益，低噪声系数

PG为10.5 dB典型值， NF = 1.3 dB典型值，在f = 900 MHz的

概要

UPAK

1.基地

2.收集

3.辐射源

4.收集器（法兰）

2SC4988

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

评级

1.5

100

800*

150

-55到+150

单位

°C

1，这个值是用氧化铝陶瓷板时允许（ 12.5 ×20× 0.7mm）的

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

符号

（ BR ） CBO

CBO

首席执行官

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极输出电容

增益带宽积

功率增益

噪声系数

注：标记为“FR” 。

EBO

COB

民

—

5.5

7.5

—

典型值

—

120

1.1

8.5

10.5

1.3

最大

—

250

1.6

—

2.5

GHz的

单位

测试条件

= 10

= 0

= 12 V，I

= 0

= 9 V ，R

∞

= 1.5 V，I

= 0

= 5 V，I

= 20毫安

= 5 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 5 V，I

= 20毫安

= 5 V，I

= 20毫安，

F = 900兆赫

= 5 V，I

= 5毫安，

F = 900兆赫

注意：此设备是非常敏感的静电放电。

建议处理该晶体管时采取适当的注意事项。

2SC4988

集电极耗散功率曲线

集电极耗散功率PC（毫瓦）

（在氧化铝陶瓷基板）

1600

200

直流电流传输比H

= 5V

直流电流传输比

与集电极电流

1200

160

120

800

400

100

150

200

环境温度Ta （C ）

集电极电流I

（MA ）

100

增益带宽积

与集电极电流

集电极输出电容科夫（PF ）

增益带宽乘积F

（千兆赫）

= 5 V

集电极电流I

（MA ）

100

1.8

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

= 0

F = 1 MHz的

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.5

集电极基极电压V

(V)

2SC4988

功率增益与集电极电流

= 5V

F = 900兆赫

功率增益PG （分贝）

NF（ dB）的

噪声系数

集电极电流I

（MA ）

100

= 5V

F = 900MHz的

噪声系数与集电极电流

集电极电流I

（MA ）

100

S21参数对比集电极电流

| （ dB）的

参数

= 5V

F = 1 GHz的

集电极电流I

（MA ）

100

2SC4988

S11参数与频率的关系

.6 .8 1.0 1.5 2

3 45

–10

–.2

–5

–4

–3

–.4

–.6

–.8

–1.5

–2

–120°

–90°

–60°

–1

180°

0°

150°

30°

1.5

S21参数与频率的关系

90°

120°

规模：5 / DIV 。

60°

–150°

–30°

条件： V

= 5 V ，Z0 = 50

200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）

= 5 mA）的

= 20 mA）的

条件： V

= 5 V ，Z0 = 50

200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）

= 5 mA）的

= 20 mA）的

S12参数与频率的关系

90°

120°

S22参数与频率的关系

1.5

规模： 0.01 / DIV 。

60°

150°

30°

180°

0°

.6 .8 1.0 1.5 2

3 45

–10

–.2

–150°

–30°

–.4

–120°

–90°

–60°

–.6

–.8

–1.5

–2

–1

–5

–4

–3

条件： V

= 5 V ，Z0 = 50

200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）

= 5 mA）的

= 20 mA）的

条件： V

= 5 V ，Z0 = 50

200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）

= 5 mA）的

= 20 mA）的

2SC4988

NPN硅外延

REJ03G0738-0300

（上ADE- 208-004A ）

Rev.3.00

Aug.10.2005

应用

VHF / UHF宽带放大器

特点

高增益带宽积

= 8.5 GHz的典型值

高增益，低噪声系数

PG为10.5 dB典型值， NF = 1.3 dB典型值，在f = 900 MHz的

概要

瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A

（包名称： UPAK

)

1.基地

2.收集

3.辐射源

4.收集器（法兰）

注意：

标记为“FR” 。

* UPAK是瑞萨科技公司的商标。

注意：此设备是非常敏感的静电放电。

建议处理该晶体管时采取适当的注意事项。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

符号

评级

集电极 - 基极电压

CBO

集电极到发射极电压

首席执行官

发射器基极电压

EBO

1.5

集电极电流

100

集电极耗散功率

800*

结温

150

储存温度

TSTG

-55到+150

注： 1。此值是使用氧化铝陶瓷板时，允许（ 12.5 ×20× 0.7mm）的

单位

°C

Rev.3.00 2005年8月10日第1页7

2SC4988

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极输出电容

增益带宽积

功率增益

噪声系数

符号

（ BR ） CBO

CBO

首席执行官

EBO

COB

民

—

5.5

7.5

—

典型值

—

120

1.1

8.5

10.5

1.3

最大

—

250

1.6

—

2.5

单位

GHz的

测试条件

= 10

= 0

= 12 V，I

= 0

= 9 V ，R

∞

= 1.5 V，I

= 0

= 5 V，I

= 20毫安

= 5 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 5 V，I

= 20毫安

= 5 V，I

= 20毫安，

F = 900兆赫

= 5 V，I

= 5毫安，

F = 900兆赫

Rev.3.00 2005年8月10日第2 7

2SC4988

主要特点

集电极耗散功率曲线

集电极耗散功率PC（毫瓦）

（在氧化铝陶瓷基板）

1600

200

直流电流传输比

与集电极电流

直流电流传输比H

= 5V

160

1200

120

800

400

100

150

200

100

环境温度Ta （C ）

集电极电流I

（MA ）

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

1.8

= 0

F = 1 MHz的

1.6

= 5 V

100

集电极输出电容C

（PF ）

增益带宽积

与集电极电流

增益带宽乘积F

（千兆赫）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.5

集电极电流I

（MA ）

集电极基极电压V

(V)

功率增益与集电极电流

= 5V

F = 900兆赫

噪声系数与集电极电流

= 5V

F = 900MHz的

功率增益PG （分贝）

NF（ dB）的

噪声系数

100

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

Rev.3.00 2005年8月10日第3页7

2SC4988

S21参数对比集电极电流

（ dB）的

= 5V

F = 1 GHz的

参数

100

集电极电流I

（MA ）

Rev.3.00 2005年8月10日第4 7

2SC4988

S11参数与频率的关系

.6 .8 1.0 1.5 2

3 45

1.5

–120°

–90°

–60°

–150°

–30°

180°

0°

150°

30°

1.5

120°

S21参数与频率的关系

90°

规模：5 / DIV 。

60°

条件： V

= 5 V ，Z0 = 50

200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）

= 5 mA）的

= 20 mA）的

条件： V

= 5 V ，Z0 = 50

200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）

= 5 mA）的

= 20 mA）的

S12参数与频率的关系

90°

120°

S22参数与频率的关系

1.5

规模： 0.01 / DIV 。

60°

150°

30°

180°

0°

.6 .8 1.0 1.5 2

3 45

–10

–.2

–150°

–30°

–.4

–120°

–90°

–60°

–.6

–.8

–1.5

–2

–1

–5

–4

–3

条件： V

= 5 V ，Z0 = 50

200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）

= 5 mA）的

= 20 mA）的

条件： V

= 5 V ，Z0 = 50

200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）

= 5 mA）的

= 20 mA）的

Rev.3.00 2005年8月10日第5页7