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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB689
描述
·采用TO- 220封装
·低集电极饱和电压
·高功耗
应用
·对于低频功放，电视
垂直偏转ouptut应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
1.8
150
-45~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-100
-100
-4
-4
-5
40
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -10mA ;
BE
？ ＆ LT ;
I
E
= -1mA ;我
C
=0
I
C
=-1A;I
B
=-0.1 A
V
CE
= -80V ;
BE
？ ＆ LT ;
V
EB
= -3.5V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -50mA ; V
CE
=-4V
50
25
民
-100
-4
2SB689
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
V
-1.0
-100
-50
250
350
V
A
A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB689
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB689
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -100V （最小值）
高
功耗
ùWide
安全工作区
应用
·设计
低频功放和电视机垂直
偏转输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-100
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-100
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-4
V
I
C
集电极电流连续
-4
A
I
CM
集电极电流峰值
总功耗
@ T
a
=25℃
-5
A
1.8
W
P
C
总功耗
@ T
C
=25℃
T
J
结温
40
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-45~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB689
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;
BE
=
∞
-100
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -1mA ;我
C
= 0
-4
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -1A ;我
B
= -0.1A
B
-1.0
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= -80V ;
BE
=
∞
-100
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -3.5V ;我
C
= 0
-50
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -4V
50
250
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -50mA ; V
CE
= -4V
25
350
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB689
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -100V （最小值）
高
功耗
ùWide
安全工作区
应用
·设计
低频功放和电视机垂直
偏转输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
-100
V
-100
V
-4
V
-4
A
-5
A
1.8
W
40
℃
I
C
集电极电流连续
I
CM
集电极电流峰值
总功耗
@ T
a
=25℃
P
C
总功耗
@ T
C
=25℃
T
J
结温
150
T
英镑
存储温度范围
-45~150
℃
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB689
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;
BE
=
∞
-100
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -1mA ;我
C
= 0
-4
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -1A ;我
B
= -0.1A
B
-1.0
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= -80V ;
BE
=
∞
-100
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -3.5V ;我
C
= 0
-50
μA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -4V
50
I
C
= -50mA ; V
CE
= -4V
25
250
350
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2EZ130D10
2SC4963
2SC3518L-Z
227LBB450M2ED
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厂家
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