M
25AA040/25LC040/25C040
4K SPI
总线串行EEPROM
最大时钟
频率
1兆赫
2兆赫
3兆赫
温度
范围
C，我
C，我
C，I ，E
CS
SO
WP
V
SS
器件选型表
部分
数
25AA040
25LC040
25C040
V
CC
范围
1.8-5.5V
2.5-5.5V
4.5-5.5V
封装类型
PDIP / SOIC
1
25xx040
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
特点
低功耗CMOS技术
- 写电流：3 mA典型
- 读电流： 500
一个典型的
- 待机电流： 500 nA的典型
512 ×8位的组织
16字节页
写周期时间：5ms最大。
自定时擦除和写入周期
块写保护
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
连续读
高可靠性
- 耐力： 1000万次（保证）
- 数据保存： > 200年
- ESD保护： > 4000 V
8引脚PDIP ，SOIC和TSSOP封装
温度范围内支持：
- 商业： （ C）
0
°
C至+70
°
C
- 工业： （I）
-40
°
C至+ 85
°
C
- 汽车： （ E） （ 25C040 ）
-40
°
C至+ 125
°
C
TSSOP
HOLD
V
CC
CS
SO
1
2
3
4
8
7
6
5
SCK
SI
V
SS
WP
25xx040
框图
状态
注册
高压发生器
EEPROM
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
X
DEC
页锁存器
ARRAY
描述
Microchip Technology Inc.的25AA040 / 25LC040 /
25C040 （ 25xx040
*
）为一个4K位串行电Eras-
能够PROM 。该存储器是通过一个简单的访问
串行外设接口（SPI ）兼容的串行总线。
所需的总线信号的时钟输入（SCK）加
在（SI）的单独的数据输入和数据输出（ SO）线。访问
该装置是通过在芯片选择（CS）输入控制。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略，除
片选，允许主机优先级更高
中断。而且，写入操作的装置，可
通过写保护引脚（ WP ）禁用。
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
V
CC
V
SS
感测放大器。
R / W控制
Y译码
* 25xx040使用本文档中作为25AA040 / 25LC040 / 25C040器件的通用零件编号。
SPI是摩托罗拉公司的注册商标。
1997 Microchip的技术公司
初步
DS21204A第1页
25AA040/25LC040/25C040
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
图1-1：
AC测试电路
V
CC
VCC ................................................. .................................. 7.0V
所有输入和输出w.r.t. VSS .................. -0.6V至Vcc + 1.0V
储存温度....................................... -65C至150C
在偏..................... -65C至125C环境温度
引线焊接温度（ 10秒） ............. + 300℃
所有引脚的ESD保护............................................. ....为4kV
*注意：
强调上述“最大额定值”，可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该装置的这些或任何其他条件的功能操作
以上这些在本规范的运作上市表明是
不是暗示。暴露在极限条件下的扩展
时间会影响器件的可靠性期
2.25 K
SO
1.8 K
100 pF的
1.2
AC测试条件
AC波形：
表1-1：
名字
CS
SO
SI
SCK
WP
V
SS
V
CC
HOLD
引脚功能表
功能
片选输入
串行数据输出
串行数据输入
串行时钟输入
写保护引脚
地
电源电压
HOLD输入
V
LO
= 0.2V
V
H I
= V
CC
- 0.2V
V
H I
= 4.0V
输入
产量
注1 ：
对于V
CC
≤
4.0V
2:
对于V
CC
＆ GT ; 4.0V
（注1 ）
（注2 ）
0.5 V
CC
0.5 V
CC
定时测量参考电平
表1-2：
DC特性
商业（ C） ：T已
AMB
= 0
°
C至+70
°
C
工业级（I ） ：
T
AMB
= -40
°
C至+ 85
°
C
汽车（ E） ：T已
AMB
= -40
°
C至+ 125
°
C
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V （ 25C040只）
所有参数适用于在
特定网络编辑的工作范围
除非另有说明。
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
内部电容
（所有输入和输出）
符号
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
I
CC
读
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
-0.5
-10
-10
—
—
—
—
—
—
—
最大
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.3 V
CC
0.4
0.2
—
10
10
7
1
500
5
3
5
2
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
mA
A
mA
mA
A
A
测试条件
V
CC
≥
2.7V （注）
V
CC
< 2.7V （注）
V
CC
≥
2.7V （注）
V
CC
< 2.7V （注）
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安， V
CC
＆ LT ; 2.5V
I
OH
=-400
A
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
AMB
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V （注）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 3.0 MHz的; SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 2.0 MHz的; SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = VCC = 5.5V ，输入连接到V
CC
或V
SS
CS = VCC = 2.5V ，输入连接到V
CC
或V
SS
工作电流
I
CC
写
I
CCS
待机电流
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21204A第2页
初步
1997 Microchip的技术公司
25AA040/25LC040/25C040
表1-3：
AC特性
商业（ C） ：
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
符号
F
CLK
TAMB = 0
°
C至+70
°
C
TAMB = -40
°
C至+ 85
°
C
环境温度Tamb = -40 ° C至+ 125°C
民
—
—
—
100
250
500
150
250
475
500
30
50
50
50
100
100
—
—
150
250
475
150
250
475
50
50
—
—
—
0
—
—
—
100
100
200
100
100
200
100
150
200
100
150
200
—
10M
最大
3
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
—
—
—
—
—
150
250
475
—
200
250
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V （ 25C040只）
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
东/西环
（注2 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V （注1 ）
V
CC
= 2.5V至4.5V （注1 ）
V
CC
= 1.8V至2.5V （注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V （注1 ）
V
CC
= 2.5V至4.5V （注1 ）
V
CC
= 1.8V至2.5V （注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
测试条件
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
所有参数适用于在
特定网络编辑的工作范围
除非另有说明。
参数
时钟频率
CS建立时间
T
CSS
CS保持时间
T
CSH
CS禁用时间
数据建立时间
T
惩教署
T
SU
数据保持时间
T
HD
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
T
R
T
F
T
HI
时钟低电平时间
T
LO
时钟延迟时间
时钟使能时间
输出有效
时钟低
输出保持时间
输出禁止时间
T
CLD
T
CLE
T
V
T
HO
T
DIS
HOLD建立时间
T
HS
HOLD保持时间
T
HH
HOLD低到输出高阻
T
HZ
高举到输出有效
T
HV
内部写周期时间
耐力
注1 ：
2:
T
WC
—
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的C应用程序中估计耐用性，请
咨询可在Microchip的BBS或网站获得的总耐力模式。
1997 Microchip的技术公司
初步
DS21204A第3页
25AA040/25LC040/25C040
2.0
2.1
引脚说明
片选（ CS ）
2.5
写保护（ WP ）
该引脚上的低电平选择器件。高水平
取消选择该设备，并强制其进入待机模式。
然而，一个编程周期已经initi-
ated或过程中，将完成，而不管
CS输入信号。如果CS在节目带来的高
周期，该设备将处于待机模式去尽快
编程周期完成。只要
装置的选择取消， SO变为高阻抗
状态，允许多个部件共享相同的SPI
总线。低到高CS转型后一次有效的写
序启动一个内部写周期。加电后，
向上，在CS为低电平时之前的任何序列所需的
正在启动。
该引脚是一个硬件写保护输入引脚。当
WP为低电平时，所有写入阵列或状态寄存器
禁用，但通常任何其他操作功能。
当WP为高电平时，所有的功能，包括非易失性
写操作正常运行。 WP变低随时会
复位写使能锁存，抑制编程，
除了内部写就已经开始的时候。如果一个
内部写周期已经开始， WP变低
会对写入没有影响。请参见表3-2写
保护功能矩阵。
2.6
保持（HOLD ）
2.2
串行输入（ SI ）
SI引脚被用于将数据传输到该设备。它
接收指令，地址和数据。数据
锁定在串行时钟的上升沿。
2.3
串行输出（ SO ）
SO引脚用于传输数据出25xx040的。
在读周期，数据被移出该引脚后，
串行时钟的下降沿。
2.4
串行时钟（ SCK ）
SCK用于同步通信
之间的船长和25xx040 。说明，
地址或数据出现在SI引脚上锁存
在时钟输入的上升沿，而在数据
SO引脚时钟的下降沿后更新
输入。
HOLD引脚用于暂停传输到
25xx040而在串行序列的中部与 -
出不必重新发送整个序列在某一
以后的时间。它必须在任何时候这个功能是保持高电平
不被使用。一旦设备被选中和
串行序列正在进行中， HOLD引脚可
拉低暂停进一步的串行通信与 -
出复位串行序列。 HOLD引脚必须的
被拉低，同时SCK为低电平，否则HOLD
功能要等到下一个SCK高到调用
低过渡。该25xx040必须保持选中状态能很好地协同
荷兰国际集团这个序列。在SI ，SCK和SO引脚处于
的时间期间的一部分是高阻抗状态
停顿了一下，对这些引脚的转换将被忽略。
要恢复串行通信， HOLD必须
带来高而SCK引脚为低电平，否则串行
通信将不会恢复。降低HOLD
将三态随时线SO线。
1997 Microchip的技术公司
初步
DS21204A第5页
不建议用于新设计 -
请使用25AA040A或25LC040A 。
25AA040/25LC040/25C040
4K SPI总线串行EEPROM
器件选型表
部分
数
25AA040
25LC040
25C040
V
CC
范围
1.8-5.5V
2.5-5.5V
4.5-5.5V
马克斯。时钟
频率
1兆赫
2兆赫
3兆赫
温度。
范围
I
I
I，E
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略，除
片选，允许主机优先级更高
中断。而且，写入操作的装置，可
通过将写保护引脚（WP ）禁用。
封装类型
PDIP
CS
SO
1
8
V
CC
HOLD
SCK
SI
2
3
4
25XX040
产品特点：
低功耗CMOS技术：
- 写电流：3 mA，典型值
- 读电流： 500
μA,
典型
- 待机电流： 500 nA的典型
512 ×8位的组织
16字节页
写周期时间： 5 ms以下。
自定时擦除和写入周期
块写保护：
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护：
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
连续读
高可靠性：
- 耐力： 100万次
- 数据保存： > 200年
- ESD保护： > 4000V
8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） （ 25C040 ） ：
-40°C至+ 125°C
7
6
5
WP
V
SS
SOIC
CS
SO
WP
V
SS
1
8
V
CC
HOLD
SCK
SI
2
3
4
25XX040
1
2
3
4
7
6
5
TSSOP
25XX040
HOLD
V
CC
CS
SO
8
7
6
5
SCK
SI
V
SS
WP
框图
状态
注册
高压发生器
I / O控制
逻辑
描述：
Microchip Technology Inc.的25AA040 / 25LC040 /
25C040 （ 25xx040
*
）是4千位串行电
可擦除PROM 。该存储器是通过一个简单的访问
串行外设接口（SPI ）兼容的串行总线。
所需的总线信号的时钟输入（SCK）加
在（SI）的单独的数据输入和数据输出（ SO）线。访问
该装置是通过在芯片的控制选择（CS）的
输入。
* 25XX040使用本文档中作为一个通用的零件号
为25AA040 / 25LC040 / 25C040设备。
内存
控制
逻辑
EEPROM
ARRAY
XDEC
页面
锁存器
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
V
CC
V
SS
Y译码
感测放大器。
R / W控制
2006年Microchip的科技公司
DS21204E第1页
25AA040/25LC040/25C040
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
.......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-65°C至125℃的
所有引脚的ESD保护......................................................................................................................................... 4 KV
注意：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
时间会影响器件的可靠性长时间
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C V
CC
= 1.8V至5.5V
汽车（ E） ：T已
A
= -40 ° C至+ 125°C V
CC
= 4.5V至5.5V （ 25C040只）
分钟。
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
-0.5
—
—
—
马克斯。
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.3 V
CC
0.4
0.2
—
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
pF
测试条件
V
CC
≥
2.7V
（注）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注）
V
CC
≥
2.7V
（注）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注）
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安， V
CC
＆ LT ; 2.5V
I
OH
=-400
μA
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
A
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 3.0 MHz的; SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 2.0 MHz的; SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
DC特性
参数。
号
D001
D002
D003
D004
D005
D006
D007
D008
D009
D010
符号。
V
IH1
V
IH2
V
IL1
V
IL2
V
OL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
（所有输入和
输出）
D011
D012
D013
I
CC
阅读工作电流
I
CC
写
I
CCS
待机电流
—
—
—
—
—
—
1
500
5
3
5
1
mA
μA
mA
mA
μA
μA
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21204E第2页
2006年Microchip的科技公司
25AA040/25LC040/25C040
表1-2：
AC特性
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V （ 25C040只）
AC特性
PARAM
号
1
符号。
F
CLK
特征
时钟频率
分钟。
—
—
—
100
250
500
150
250
475
500
30
50
50
50
100
100
—
—
150
230
475
150
230
475
50
50
—
—
—
0
—
—
—
100
100
200
100
100
200
100
150
200
100
150
200
—
1M
马克斯。
3
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
—
—
—
—
—
150
230
475
—
200
250
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
东/西
周期
测试条件
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
—
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至4.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至4.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
（注2 ）
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
T
SU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
时钟输出低电平有效。
14
15
T
HO
T
DIS
输出保持时间
输出禁止时间
16
T
HS
HOLD建立时间
17
T
HH
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到输出高阻
19
T
HV
高举到输出有效
20
21
T
WC
—
注1 ：
2:
内部写周期时间
耐力
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于在特定应用中估计耐用性，请
请教这可以从我们的网站上获得的Total Endurance模型： www.microchip.com 。
2006年Microchip的科技公司
DS21204E第3页
QQ：2881677436 复制
