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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1804
描述
·采用TO- 3PFM包
·补键入2SC4689
应用
·功率放大器应用
·推荐55W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3PFM ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-8
-16
-0.8
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
=-6A;I
B
=-0.6 A
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
V
CB
=-120V
I
E
=0
民
-120
2SA1804
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
-2.0
-1.5
-5
-5
55
35
30
420
160
V
V
A
A
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
兆赫
pF
h
FE
分类
R
55-110
O
80-160
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1804
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1804
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1804
5
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1804
描述
·带
TO- 3PML包
.Complement
键入2SC4689
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为55W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
·
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-8
-16
-0.8
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
j
T
英镑
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SA1804
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;我
B
=0
-120
V
V
CE （ SAT ）
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=-6A;I
B
=-0.6 A
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
-2.0
V
基射极电压
-1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -120V ;我
E
=0
-5
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-5
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
55
160
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
35
f
T
C
OB
跃迁频率
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
30
兆赫
输出电容
420
pF
h
FE
分类
R
55-110
O
80-160
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1804
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1804
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1804
5
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1804
描述
·带
TO- 3PFM包
.Complement
键入2SC4689
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为55W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3PFM ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-8
-16
-0.8
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SA1804
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;我
B
=0
-120
V
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=-6A;I
B
=-0.6 A
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
-2.0
V
基射极电压
-1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -120V ;我
E
=0
-5
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-5
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
55
160
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
35
f
T
C
OB
跃迁频率
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
30
兆赫
输出电容
420
pF
h
FE
分类
R
55-110
O
80-160
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1804
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1804
4
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1804
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22-42-6044
25RIA100S90
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    2SA1804
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