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2SC5550
东芝晶体管硅NPN三重扩散型
2SC5550
高速开关应用的逆变器灯
系统
单位:mm
适合RCC电路(保证小电流
FE
)
: h
FE
= 13 (分钟) (我
C
= 1 mA)的
高速:吨
r
= 0.5微秒(最大值),叔
f
= 0.3 μs(最大值) (我
C
= 0.24 A)
高击穿电压: V
首席执行官
= 400 V
最大额定值
( TC = 25 ° C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
TA = 25°C
TC = 25°C
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
400
400
7
1
2
0.5
1.5
10
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
2-8H1A
重量:1.3克(典型值)。
1
2004-07-26
2SC5550
电气特性
( TC = 25 ° C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
t
r
20 s
I
B1
测试条件
V
CB
= 320 V,I
E
= 0
V
EB
= 7 V,I
C
= 0
I
C
= 1毫安,我
E
= 0
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
V
CE
= 5 V,I
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 0.04 A
I
C
= 0.2 A,I
B
= 25毫安
I
C
= 0.2 A,I
B
= 25毫安
400
400
13
20
典型值。
最大
100
100
65
1.0
1.3
V
V
单位
A
A
V
V
I
C
输入
I
B2
I
B1
I
B2
开关时间
833
上升时间
V
CC
200 V
0.5
贮存时间
t
英镑
产量
5.0
s
下降时间
t
f
I
B1
= 0.03 A,I
B2
=
0.06
A,
占空比
1%
0.3
记号
LOT号
C5550
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
产品型号(或缩写代码)
2
2004-07-26
2SC5550
I
C
– V
CE
2
1400
1200
1000
800
300
h
FE
– I
C
共发射极
VCE = 5 V
h
FE
I
C
(A)
1.6
600
400
100
100
25
TC =
55°C
直流电流增益
1.2
200
0.8
100
50
0.4
IB = 20毫安
共发射极
TC = 25°C
0
0
2
4
6
8
10
12
30
集电极电流
10
3
1
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
V
CE (SAT)
– I
C
10
共发射极
30
V
BE (SAT)
– I
C
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
共发射极
IC / IB = 8
10
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
IC / IB = 8
8
55
6
TC = 100℃
25
3
TC =
55°C
25
100
0.3
1
4
2
0.1
0.001
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
CE (SAT)
– I
C
10
共发射极
V
BE (SAT)
– I
C
30
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
IC / IB = 2
8
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
共发射极
IC / IB = 2
6
TC = 100℃
25
10
3
TC =
55°C
100
0.3
25
4
1
2
55
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0.1
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
3
2004-07-26
2SC5550
I
C
– V
BE
2
共发射极
VCE = 5 V
1.6
3
10
安全工作区
I
C
(A)
集成电路最大值(脉冲) *
IC MAX(连续)
10 s*
100 s*
1.2
1
集电极电流
I
C
(A)
0.8
100
0.4
TC =
55°C
25
0.3
1毫秒*
10毫秒*
集电极电流
0.1
100毫秒*
直流操作
TC = 25°C
0.03
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
基射极电压
V
BE
(V)
0.01
* :单非重复脉冲
TC = 25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
3
10
30
0.003
最大VCEO
100
300
1000
0.001
1
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
4
2004-07-26
2SC5550
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
030619EAA
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
东芝或其它。
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝产品不应被嵌入到禁止要生产的下游产品
现卖,根据任何法律和法规。
5
2004-07-26
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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32570
TO-126
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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电话:13537790913
联系人:朱成平
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