1PMT5920B系列
3.2塑料瓦
表面贴装
POWERMITE
包
3.2瓦齐纳二极管这个完整的新生产线提供中
高效微小型，节省空间的表面贴装的
独特的散热设计。该POWERMITE包具有相同的
虽然是在小50 ％的散热性能与SMA
占位面积和提供的最低高度配置文件之一
（1.1毫米）的行业。由于其体积小，很适合使用
在蜂窝式电话，便携式设备，商用机器和许多
其他工业/消费应用。
特点
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塑料表面贴装
3.2 WATT ZENER DIODES
6.2 - 47伏
1
1 ：阴极
2 ：阳极
2
齐纳击穿电压： 6.2 - 47 V
DC功耗： 3.2 W和1个标签（阴极） @ 75℃
低漏< 5
mA
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
薄型 - 1.1 mm最大高度
一体式散热器/锁片
全金属底消除焊剂截留
体积小 - 中8.45毫米占位面积
2
提供12毫米磁带和卷轴
每卷T1 = 3000单位
每卷T3 = 12000台
在带状引线方向：阴极（短），导致齿孔
POWERMITE是JEDEC注册为DO- 216AA
阴极指示的极性带
无铅包可用
1
2
POWERMITE
CASE 457
塑料
标记图
1
阴极
M
xxBG
G
2
阳极
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
M
XXB
G
随手可焊
安装位置：
任何
最大外壳焊接温度的目的：
=日期代码
=具体设备守则
（见表2页）
= Pb-Free包装
260℃ 10秒
订购信息
设备
1PMT59xxBT1
包
航运
POWERMITE 3000 / Tape&Reel
3,000/Tape&Reel
1PMT59xxBT1G POWERMITE
（无铅）
1PMT59xxBT3
POWERMITE 12000元/ Tape&Reel
1PMT59xxBT3G POWERMITE 12000元/ Tape&Reel
（无铅）
单个设备列出了数据表第2页。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年7月 - 第3版
出版订单号：
1PMT5920B/D
1PMT5920B系列
最大额定值
等级
DC功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结到铅（正极）
最大直流功率耗散（注2 ）
从结到标签（阴极）热阻
工作和存储温度范围
符号
°P
D
°
R
qJA
R
qJanode
°P
D
°
R
qJcathode
T
J
, T
英镑
价值
500
4.0
248
35
3.2
23
-55到+150
单位
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.安装有建议的最小焊盘尺寸， PC板FR- 4 。
2.在选项卡（阴极）温度T
TAB
= 75°C
电气特性
(T
L
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 1.5 V最大。 @我
F
= 200 MADC为所有类型的）
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
F
I
I
R
V
F
I
ZT
V
齐纳稳压器
电气特性
(T
L
= 30℃ ，除非另有说明，V
F
= 1.25伏特@ 200毫安）
齐纳电压
（注3）
设备
记号
20B
21B
22B
23B
24B
25B
27B
29B
30B
31B
33B
34B
35B
36B
39B
V
Z
@ I
ZT
（伏）
民
5.89
6.46
7.12
7.79
8.64
9.5
11.4
14.25
15.2
17.1
20.9
22.8
25.65
28.5
37.05
喃
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
15
16
18
22
24
27
30
39
最大
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
12.6
15.75
16.8
18.9
23.1
25.2
28.35
31.5
40.95
I
ZT
（MA ）
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
31.2
25
23.4
20.8
17
15.6
13.9
12.5
9.6
I
R
@ V
R
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
R
(V)
4.0
5.2
6.0
6.5
7.0
8.0
9.1
11.4
12.2
13.7
16.7
18.2
20.6
22.8
29.7
Z
ZT
@ I
ZT
（注4 ）
(W)
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
6.5
9.0
10
12
17.5
19
23
28
45
Z
ZK
@ I
ZK
（注4 ）
(W)
200
200
400
400
500
500
550
600
600
650
650
700
700
750
900
I
ZK
（MA ）
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
设备*
1PMT5920BT1 ， T3 ，G
1PMT5921BT1 ， T3 ，G
1PMT5922BT1 ， T3 ，G
1PMT5923BT1 ， T3 ，G
1PMT5924BT1 ， T3 ，G
1PMT5925BT1 ， T3 ，G
1PMT5927BT1 ， T3 ，G
1PMT5929BT1 ， T3 ，G
1PMT5930BT1 ， T3 ，G
1PMT5931BT1 ， T3 ，G
1PMT5933BT1 ， T3 ，G
1PMT5934BT1 ， T3 ，G
1PMT5935BT1 ， T3 ，G
1PMT5936BT1 ， T3 ，G
1PMT5939BT1 ， T3 ，G
1PMT5941BT1 ， T3 ，G
41B
44.65
47
49.35
8.0
1.0
35.8
67
1000
0.25
3.齐纳电压的测量可以在热平衡的器件结以25 ℃的环境温度下进行。
4.齐纳阻抗推导
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。该
规定的限度是我
Z
（交流） = 0.1余
Z
（ DC）与交流频率为60赫兹。
*在“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
2
QQ：2880707522 复制
