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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符1型号页 > 首字符1的型号第772页 > 1PMT5936BT3
1PMT5920B系列
3.2塑料瓦
表面贴装
POWERMITE
3.2瓦齐纳二极管这个完整的新生产线提供中
高效微小型,节省空间的表面贴装的
独特的散热设计。该POWERMITE包具有相同的
虽然是在小50 %的散热性能与SMA
占位面积和提供的最低高度配置文件之一( 1.1
毫米)的行业。由于其体积小,非常适合使用
蜂窝式电话,便携式设备,商用机器和许多其他
工业/消费应用。
规格特点:
http://onsemi.com
塑料表面贴装
3.2 WATT ZENER DIODES
6.2 - 47伏
齐纳击穿电压: 6.2 - 47伏
DC功耗: 3.2瓦用Tab 1 (阴极) @ 75℃
低漏< 5
mA
ESD额定值3类( > 16千伏)每人体模型
薄型 - 1.1 mm最大高度
一体式散热器/锁片
全金属底消除焊剂截留
体积小 - 中8.45毫米占位面积
2
提供12毫米磁带和卷轴
每卷T1 = 3000单位
每卷T3 = 12000台
POWERMITE是JEDEC注册为DO- 216AA
阴极指示的极性带
机械特性:
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
1
1 :阴极
2 :阳极
2
1
2
POWERMITE
CASE 457
塑料
标记图
D
2
阳极
随手可焊
安装位置:
任何
最大外壳焊接温度的目的:
1
阴极
XXB
xx
D
XXB
260℃ 10秒
=具体设备守则
= 20 41
=
(见表下一页)
=日期代码
订购信息
设备
航运
1PMT59xxBT1 POWERMITE 3000 /磁带&卷轴
1PMT59xxBT3 POWERMITE 12000元/磁带&卷轴
铅定向在TAPE :
阴极(短)导致齿孔
半导体元件工业有限责任公司, 2003
1
2003年7月 - 修订版0
出版订单号:
1PMT5920B/D
1PMT5920B系列
最大额定值
等级
DC功率耗散@ T
A
= 25 ° C(注1 )
减免上述25℃
从结点到环境的热阻
热阻结到铅(正极)
最大直流功率耗散(注2 )
热阻结到标签(阴极)
工作和存储温度范围
1.安装有建议的最小焊盘尺寸, PC板FR- 4 。
2.在选项卡(阴极)温度T
TAB
= 75°C
符号
°P
D
°
R
qJA
R
qJanode
°P
D
°
R
qJcathode
T
J
, T
英镑
价值
500
4.0
248
35
3.2
23
-55到+150
单位
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
° C / W
°C
电气特性
(T
L
= 25°C ,除非
另有说明,V
F
= 1.5 V最大。 @我
F
= 200 MADC为所有类型的)
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
F
I
I
R
V
F
I
ZT
V
齐纳稳压器
电气特性
(T
L
= 30℃ ,除非另有说明,V
F
= 1.25伏特@ 200毫安)
齐纳电压
(注3)
设备
记号
20B
21B
22B
23B
24B
25B
27B
29B
30B
31B
33B
34B
35B
36B
39B
41B
V
Z
@ I
ZT
(伏)
5.89
6.46
7.12
7.79
8.64
9.5
11.4
14.25
15.2
17.1
20.9
22.8
25.65
28.5
37.05
44.65
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
15
16
18
22
24
27
30
39
47
最大
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
12.6
15.75
16.8
18.9
23.1
25.2
28.35
31.5
40.95
49.35
I
ZT
(MA )
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
31.2
25
23.4
20.8
17
15.6
13.9
12.5
9.6
8.0
I
R
@ V
R
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
R
(V)
4.0
5.2
6.0
6.5
7.0
8.0
9.1
11.4
12.2
13.7
16.7
18.2
20.6
22.8
29.7
35.8
Z
ZT
@ I
ZT
(注4 )
(W)
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
6.5
9.0
10
12
17.5
19
23
28
45
67
Z
ZK
@ I
ZK
(注4 )
(W)
200
200
400
400
500
500
550
600
600
650
650
700
700
750
900
1000
I
ZK
(MA )
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
设备
1PMT5920BT1 , T3
1PMT5921BT1 , T3
1PMT5922BT1 , T3
1PMT5923BT1 , T3
1PMT5924BT1 , T3
1PMT5925BT1 , T3
1PMT5927BT1 , T3
1PMT5929BT1 , T3
1PMT5930BT1 , T3
1PMT5931BT1 , T3
1PMT5933BT1 , T3
1PMT5934BT1 , T3
1PMT5935BT1 , T3
1PMT5936BT1 , T3
1PMT5939BT1 , T3
1PMT5941BT1 , T3
3.齐纳电压的测量可以在热平衡的器件结以25 ℃的环境温度下进行。
4.齐纳阻抗推导
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。该
规定的限度是我
Z
(交流) = 0.1余
Z
( DC)与交流频率为60赫兹。
http://onsemi.com
2
1PMT5920B系列
典型特征
P D,最大功耗( W)
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
25
50
75
100
125
150
175
T,温度( ° C)
0.1
5
6
7
8
9
10
V
Z
,齐纳电压(伏)
11
T
L
100
I
Z
,齐纳电流(毫安)
10
1
图1.稳态功率降额
q
VZ
,温度系数(毫伏/ ° C)
100
IZ ,齐纳电流(毫安)
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
Z
,齐纳电压(伏)
90
100
10
8
6
4
2
0
2
4
2
4
V
Z
@ I
ZT
图2. V
Z
以10伏
6
8
10
V
Z
,齐纳电压(伏)
12
图3. V
Z
= 12通47伏
q
VZ
,温度系数(毫伏/ ° C)
200
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
V
Z
@ I
ZT
100
70
50
30
20
图4.齐纳电压 - 以12伏
200
I
Z( DC )
= 1毫安
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
5
7
10毫安
20毫安
i
Z( RMS)
= 0.1 I
Z( DC )
70
100
10
10
20
30
50
70
100
V
Z
,齐纳电压(伏)
200
10
20
30
50
V
Z
,齐纳电压(伏)
图5.齐纳电压 - 14至47伏
齐纳电压的图6的影响
http://onsemi.com
3
1PMT5920B系列
Z Z ,动态阻抗(欧姆)
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5 1
22 V
6.8 V
2
5
10
20
50 100 200
500
I
Z
,齐纳测试电流(mA )
12 V
T
J
= 25°C
i
Z( RMS)
= 0.1 I
Z( DC )
齐纳电流的图7的影响
10,000
C,电容(pF )
1000
标准@ 0 V BIAS
标准@ 50 %V
R
100
10
1
10
V
Z
,反向齐纳电压(伏)
100
图8.电容与反向
齐纳电压
http://onsemi.com
4
1PMT5920B系列
典型焊加热曲线
对于任何给定的电路板,将有一组
控制设置,这将得到期望的加热方式。该
操作者必须设置温度数个加热区
和一个数字带速。两者合计,这些控制
设置补热“轮廓”为特定
电路板。在由计算机控制的机器,所述
计算机从一个操作系统会记住这些配置文件
会话到下一个。图9示出了一个典型的加热分布
用于焊接表面贴装时,设备在印刷
电路板。此配置文件将焊接各不相同
系统,但它是一个很好的起点。因素,可以
影响的信息包括焊接系统中的类型
使用时,密度和成分上的板型,类型
焊料使用,并且基板或基片材料的类型
被使用。这个曲线显示温度随时间的变化。
第1步
预热
1区
RAMP"
200°C
步骤2步骤3
VENT
加热
SOAK" 2区& 5
RAMP"
图上的线表示的实际温度
在可能经历了测试板的表面上或
靠近中央焊点。两个配置文件基于一个
高密度和低密度板。该维多利绍德
SMD310对流/红外回流焊接系统是
用于生成此信息。所使用的焊料类型是
62/36/2铅锡银带之间的熔点
177-189 ℃。当这种类型的炉子是用于焊料
回流工作时,电路板和焊点倾向于
先热。电路板上的组件,然后通过加热
传导。在电路板上,因为它有一个大的表面
面积,更有效地吸收的热能,然后
分配的能量,以该组件。因为这
效果,一个组件的所述主体可以是最多30个
度比相邻焊点冷却。
第6步
VENT
STEP 7
冷却
205 ° 219℃
高峰
焊点
第4步
步骤5
加热
加热
开发区3及6个区域4和7
SOAK"
SPIKE"
170°C
160°C
所需的曲线用于高
MASS ASSEMBLIES
150°C
150°C
100°C
100°C
所需的曲线FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
50°C
140°C
焊料液
40至80秒
(根据
装配质量)
时间( 37分钟总)
T
最大
图9.典型的焊接暖气简介
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
1 PMT5913BT3/D
产品预览
2.5瓦塑料表面贴装
硅稳压二极管
POWERMITE
齐纳/ TVS二极管这一完整的新产品线提供一个2.5瓦特系列微
小型,节省空间的表面贴装封装。该POWERMITE齐纳/电视
二极管是专为用作电视或汽车一个调节装置和
电信应用中的效率,低泄漏,尺寸/高度和
信息是很重要的。
产品特点:
电压范围 - 3.3至91 V
ESD额定值3类( > 16千伏)每人体模型
薄型 - 1.1毫米的最大高度
一体式散热器/锁片
全金属底消除焊剂截留
小脚印 - 8.45平方毫米的占位面积
提供的12毫米磁带和卷轴 - 12,000个单位每卷
POWERMITE是JEDEC注册为DO- 216AA
1
1PMT5913BT3
通过
1PMT5948BT3
塑料表面贴装
齐纳二极管
2.5瓦
3.3-91伏
1
2
CASE 457-01
塑料
2
1 :阴极
2 :阳极
最大额定值
等级
DC功率耗散@ TL = 75℃ ,测得零引线长度
减免上述75℃
DC功率耗散@ TA = 25° C( 1 )
减免上述25℃
热阻结到铅
从结点到环境的热阻
工作和存储结温范围
典型Ppk的耗散@ TL < 25 ° C, ( PW -千分之十
s
按照图8 )(2)
典型Ppk的耗散@ TL < 25 ° C, ( PW - 8月20日
s
按照图9 )(2)
符号
°P
D
°
°P
D
°
R
θJL
R
θJA
TJ , TSTG
PPK
PPK
价值
2.5
40
380
2.8
26
324
- 65 + 150
200
1000
单位
度瓦°
毫瓦/°C的
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
(1)的FR4板,在1 “到设备,使用摩托罗拉最小建议足迹,如图壳体403A外形尺寸规格。
(2)非重复性的电流脉冲。
该文件仅包含预览信息,并随时更改,恕不另行通知。
POWERMITE是Microsemi的公司的注册商标。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
摩托罗拉公司1996年
1PMT5913BT3通过1PMT5948BT3
摩托罗拉
1
电气特性
( VF = 1.5V时最大@ IF = 200 MADC所有类型。 )
公称
齐纳电压
VZ @ IZT
(注1 )
3.3
3.6
3.9
4.3
TEST
当前
IZT
mA
113.6
104.2
96.1
87.2
最大齐纳阻抗(注2 )
ZZT @ IZT
10
9
7.5
6
ZZK
500
500
500
500
@
IZK
mA
1
1
1
1
最大反向
漏电流
IR
A
100
75
25
5
@ VR
1
1
1
1
最大直流
齐纳
当前
IZM
MADC
454
416
384
348
设备*
1PMT5913BT3
1PMT5914BT3
1PMT5915BT3
1PMT5916BT3
设备
记号
913B
914B
915B
916B
1PMT5917BT3
1PMT5918BT3
1PMT5919BT3
1PMT5920BT3
1PMT5921BT3
1PMT5922BT3
1PMT5923BT3
1PMT5924BT3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
5
4
2
2
2.5
3
3.5
4
500
350
250
200
200
400
400
500
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
5
5
5
5
5
5
5
5
1.5
2
3
4
5.2
6.8
6.5
7
319
294
267
241
220
200
182
164
917B
918B
919B
920B
921B
922B
923B
924B
1PMT5925BT3
1PMT5926BT3
1PMT5927BT3
1PMT5928BT3
1PMT5929BT3
1PMT5930BT3
1PMT5931BT3
1PMT5932BT3
1PMT5933BT3
1PMT5934BT3
1PMT5935BT3
1PMT5936BT3
1PMT5937BT3
1PMT5938BT3
1PMT5939BT3
1PMT5940BT3
1PMT5941BT3
1PMT5942BT3
1PMT5943BT3
1PMT5944BT3
1PMT5945BT3
1PMT5946BT3
1PMT5947BT3
1PMT5948BT3
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8
7.3
6.7
6
5.5
5
4.6
4.1
4.5
5.5
6.5
7
9
10
12
14
17.5
19
23
26
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
8
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
150
136
125
115
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
925B
926B
927B
928B
929B
930B
931B
932B
933B
934B
935B
936B
937B
938B
939B
940B
941B
942B
943B
944B
945B
946B
947B
948B
*公差和电压DESIGNATION
公差代号 - 上市类型数字表示的宽容
±5%.
粗体,斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉
2
1PMT5913BT3通过1PMT5948BT3
典型特征
P D,最大功耗(瓦)
6
5
4
3
2
1
TA
0
0
25
50
75
100
125
150
T,温度( ° C)
TL
1000
PPK ,峰值浪涌功率(瓦特)
矩形
不重复
波形
100
10
0.1
1
10
PW ,脉冲宽度(毫秒)
100
图1.稳态功率降额
图2.最大浪涌电源
10
IPPM ,峰值脉冲电流( % )
不重复
指数
脉冲波形
TJ = 25°C
1
120
= 10
s
100
80
60
40
20
0
峰值
IPPM
TA = 25°C
PW (ID),被定义为
点的峰值电流
衰减到伊普的50%。
PPK ,峰值功率(kw )
半值 - IPP / 2
10/1000
s
波形
界定的R.E.A.
td
0
1
2
3
吨,时间( ms)的
4
5
0.1
0.001
0.01
0.1
TP ,脉冲宽度(毫秒)
1
10
图3.最大浪涌电源
θ
VZ ,温度系数(毫伏/
°
C)
10
8
6
4
2
0
–2
–4
VZ @ IZT
200
图4.脉冲波形10/1000
θ
VZ ,温度系数(毫伏/
°
C)
100
70
50
30
20
VZ @ IZT
2
4
6
8
VZ ,齐纳电压(伏)
10
12
10
10
20
30
50
70
100
VZ ,齐纳电压(伏)
200
图5.齐纳电压 - 以12伏
图6.齐纳电压 - 14到200伏
注1.齐纳电压( VZ )测量
额定齐纳电压测量器件的结
中,在25℃环境温度热平衡
1PMT5913BT3通过1PMT5948BT3
摩托罗拉
3
100
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
VZ ,齐纳电压(伏)
8
9
10
100
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VZ ,齐纳电压(伏)
90
100
图7. VZ = 3.3通10伏
200
IZ (直流) = 1毫安
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
10mA
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
1
2
IZ ,齐纳电流(毫安)
IZ ,齐纳电流(毫安)
图8. VZ = 12通82伏
TJ = 25°C
IZ (有效值) = 0.1 IZ (直流)
VZ = 150V
91V
62V
22V
12V
5
10
20
50
100
IZ ,齐纳测试电流(mA)
200
6.8V
500
20mA
5
7
10
IZ (有效值) = 0.1 IZ (直流)
20
30
50
VZ ,齐纳电压(伏)
70
100
齐纳电压的图9中的影响
齐纳电流的图10的影响
注2:齐纳阻抗( ZZ )推导
ZZT和ZZK是通过将交流电压降测量
跨器件的交流电流施加。指定
限制针对IZ ( AC) = 0.1 IZ ( DC)与交流频率= 60赫兹。
摩托罗拉
4
1PMT5913BT3通过1PMT5948BT3
对于使用POWERMITE表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何,包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.025
0.635
0.030
0.762
0.105
2.67
0.100
2.54
0.050
1.27
英寸
mm
POWERMITE
POWERMITE功耗
该POWERMITE的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件,确定
由TJ (最大值)的最大额定结温
死,R
θJA
从器件结的热阻
环境,以及工作温度TA 。使用
所提供的数据手册POWERMITE值
包, PD可以计算如下:
PD =
TJ(MAX) - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度,不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此,该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力,以使设备
受。
总是预热装置。
预热和焊接之间的温度增量
应在100 ℃或更低。 *
在预热和焊接,对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法,
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热到焊接,最大移
温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后,该设备应
使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度,从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力,这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ,一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是386毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
324°C/W
= 386毫瓦
为POWERMITE包324 ° C / W假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了386毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从POWERMITE包。另一种方法是
使用陶瓷基板或铝芯板这样
作为热复合 。使用的基板材料,如热
包层,铝芯板,功耗可
翻倍使用相同的足迹。
1PMT5913BT3通过1PMT5948BT3
摩托罗拉
5
1PMT5920B系列
3.2塑料瓦
表面贴装
POWERMITE
3.2瓦齐纳二极管这个完整的新生产线提供中
高效微小型,节省空间的表面贴装的
独特的散热设计。该POWERMITE包具有相同的
虽然是在小50 %的散热性能与SMA
占位面积和提供的最低高度配置文件之一
(1.1毫米)的行业。由于其体积小,很适合使用
在蜂窝式电话,便携式设备,商用机器和许多
其他工业/消费应用。
特点
http://onsemi.com
塑料表面贴装
3.2 WATT ZENER DIODES
6.2 - 47伏
1
1 :阴极
2 :阳极
2
齐纳击穿电压: 6.2 - 47 V
DC功耗: 3.2 W和1个标签(阴极) @ 75℃
低漏< 5
mA
ESD额定值3类( > 16千伏)每人体模型
薄型 - 1.1 mm最大高度
一体式散热器/锁片
全金属底消除焊剂截留
体积小 - 中8.45毫米占位面积
2
提供12毫米磁带和卷轴
每卷T1 = 3000单位
每卷T3 = 12000台
在带状引线方向:阴极(短),导致齿孔
POWERMITE是JEDEC注册为DO- 216AA
阴极指示的极性带
无铅包可用
1
2
POWERMITE
CASE 457
塑料
标记图
1
阴极
M
xxBG
G
2
阳极
机械特性
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
M
XXB
G
随手可焊
安装位置:
任何
最大外壳焊接温度的目的:
=日期代码
=具体设备守则
(见表2页)
= Pb-Free包装
260℃ 10秒
订购信息
设备
1PMT59xxBT1
航运
POWERMITE 3000 / Tape&Reel
3,000/Tape&Reel
1PMT59xxBT1G POWERMITE
(无铅)
1PMT59xxBT3
POWERMITE 12000元/ Tape&Reel
1PMT59xxBT3G POWERMITE 12000元/ Tape&Reel
(无铅)
单个设备列出了数据表第2页。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年7月 - 第3版
出版订单号:
1PMT5920B/D
1PMT5920B系列
最大额定值
等级
DC功率耗散@ T
A
= 25 ° C(注1 )
减免上述25℃
热阻,结到环境
热阻,结到铅(正极)
最大直流功率耗散(注2 )
从结到标签(阴极)热阻
工作和存储温度范围
符号
°P
D
°
R
qJA
R
qJanode
°P
D
°
R
qJcathode
T
J
, T
英镑
价值
500
4.0
248
35
3.2
23
-55到+150
单位
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.安装有建议的最小焊盘尺寸, PC板FR- 4 。
2.在选项卡(阴极)温度T
TAB
= 75°C
电气特性
(T
L
= 25°C ,除非
另有说明,V
F
= 1.5 V最大。 @我
F
= 200 MADC为所有类型的)
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
F
I
I
R
V
F
I
ZT
V
齐纳稳压器
电气特性
(T
L
= 30℃ ,除非另有说明,V
F
= 1.25伏特@ 200毫安)
齐纳电压
(注3)
设备
记号
20B
21B
22B
23B
24B
25B
27B
29B
30B
31B
33B
34B
35B
36B
39B
V
Z
@ I
ZT
(伏)
5.89
6.46
7.12
7.79
8.64
9.5
11.4
14.25
15.2
17.1
20.9
22.8
25.65
28.5
37.05
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
15
16
18
22
24
27
30
39
最大
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
12.6
15.75
16.8
18.9
23.1
25.2
28.35
31.5
40.95
I
ZT
(MA )
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
31.2
25
23.4
20.8
17
15.6
13.9
12.5
9.6
I
R
@ V
R
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
R
(V)
4.0
5.2
6.0
6.5
7.0
8.0
9.1
11.4
12.2
13.7
16.7
18.2
20.6
22.8
29.7
Z
ZT
@ I
ZT
(注4 )
(W)
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
6.5
9.0
10
12
17.5
19
23
28
45
Z
ZK
@ I
ZK
(注4 )
(W)
200
200
400
400
500
500
550
600
600
650
650
700
700
750
900
I
ZK
(MA )
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
设备*
1PMT5920BT1 , T3 ,G
1PMT5921BT1 , T3 ,G
1PMT5922BT1 , T3 ,G
1PMT5923BT1 , T3 ,G
1PMT5924BT1 , T3 ,G
1PMT5925BT1 , T3 ,G
1PMT5927BT1 , T3 ,G
1PMT5929BT1 , T3 ,G
1PMT5930BT1 , T3 ,G
1PMT5931BT1 , T3 ,G
1PMT5933BT1 , T3 ,G
1PMT5934BT1 , T3 ,G
1PMT5935BT1 , T3 ,G
1PMT5936BT1 , T3 ,G
1PMT5939BT1 , T3 ,G
1PMT5941BT1 , T3 ,G
41B
44.65
47
49.35
8.0
1.0
35.8
67
1000
0.25
3.齐纳电压的测量可以在热平衡的器件结以25 ℃的环境温度下进行。
4.齐纳阻抗推导
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。该
规定的限度是我
Z
(交流) = 0.1余
Z
( DC)与交流频率为60赫兹。
*在“G”后缀表示无铅封装。
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2
1PMT5920B系列
典型特征
P D,最大功耗( W)
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
25
50
75
100
125
150
175
T,温度( ° C)
0.1
5
6
9
10
7
8
V
Z
,齐纳电压(伏)
11
T
L
100
I
Z
,齐纳电流(毫安)
10
1
图1.稳态功率降额
q
VZ
,温度系数(毫伏/ ° C)
100
IZ ,齐纳电流(毫安)
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
Z
,齐纳电压(伏)
90
100
10
8
6
4
2
0
2
4
2
4
V
Z
@ I
ZT
图2. V
Z
以10伏
6
8
10
V
Z
,齐纳电压(伏)
12
图3. V
Z
= 12通47伏
q
VZ
,温度系数(毫伏/ ° C)
200
V
Z
@ I
ZT
100
70
50
30
20
图4.齐纳电压 - 以12伏
Z Z ,动态阻抗(欧姆)
200
I
Z( DC )
= 1毫安
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
5
7
10毫安
20毫安
i
Z( RMS)
= 0.1 I
Z( DC )
70
100
10
10
20
30
50
70
100
V
Z
,齐纳电压(伏)
200
10
20
30
50
V
Z
,齐纳电压(伏)
图5.齐纳电压 - 14至47伏
齐纳电压的图6的影响
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3
1PMT5920B系列
Z Z ,动态阻抗(欧姆)
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5 1
22 V
6.8 V
2
5
10
20
50 100 200
500
I
Z
,齐纳测试电流(mA )
12 V
T
J
= 25°C
i
Z( RMS)
= 0.1 I
Z( DC )
齐纳电流的图7的影响
10,000
C,电容(pF )
1000
标准@ 0 V BIAS
标准@ 50 %V
R
100
10
1
10
V
Z
,反向齐纳电压(伏)
100
图8.电容与反向
齐纳电压
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4
1PMT5920B系列
外形尺寸
POWERMITE
)
CASE 457-04
版本D
A
C
J
S
F
0.08 (0.003)
M
T B
S
C
S
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3,维A不包括毛边,
突出或毛刺。毛边,
突出或毛刺SHALL NOT
超过0.15 ( 0.006 ),每边。
暗淡
A
B
C
D
F
H
J
K
L
R
S
MILLIMETERS
英寸
最大
最大
1.75
2.05 0.069
0.081
1.75
2.18 0.069
0.086
0.85
1.15 0.033
0.045
0.40
0.69 0.016
0.027
0.70
1.00 0.028
0.039
0.05
+0.10 0.002 +0.004
0.10
0.25 0.004
0.010
3.60
3.90 0.142
0.154
0.50
0.80 0.020
0.031
1.20
1.50 0.047
0.059
0.50参考
0.019 REF
期限。 1
B
K
TERM 。 2
R
L
J
H
T
0.08 (0.003)
M
D
T B
S
C
S
焊接足迹*
0.635
0.025
2.67
0.105
0.762
0.030
2.54
0.100
1.27
0.050
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    1PMT5936BT3
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
1PMT5936BT3
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