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1N4151W-V
威世半导体
小信号的快速开关二极管
特点
硅外延平面二极管
快速开关二极管
该二极管也可在其他情况下，可
款式包括DO- 35的情况下的
型号命名1N4151和
MiniMELF情况与型号标识
LL4151.
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
17431
机械数据
案例：
SOD-123
重量：
约。 10.3毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
1N4151W-V
订购代码
1N4151W -V - GS18或1N4151W -V- GS08
记号
A5
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值反向电压
平均整流电流的一半
波整流电阻
负载
浪涌电流
功耗
1)
有效
测试条件
符号
V
R
V
RM
价值
50
75
150
1)
500
410
1)
单位
V
V
mA
mA
mW
f
≥
50赫兹
吨< 1 s和t
j
= 25 °C
I
F（ AV ）
I
FSM
P
合计
只要电极被保持在环境温度下进行。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
450
1)
150
- 65 150
单位
K / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85721
修订版1.3 ， 8月17日 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
1N4151W-V
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
漏电流
反向击穿电压
二极管电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 50 V
V
R
= 20 V ，T
j
= 150 °C
I
R
= 5 μA （脉冲）
V
F
= V
R
= 0 V
I
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安
到我
R
= 1毫安
I
F
= 10 mA至我
R
= 1毫安，
V
R
= 6 V ，R
L
= 100
Ω
符号
V
F
I
R
I
R
V
（ BR ）
C
D
t
rr
t
rr
75
2
4
2
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
50
50
单位
V
nA
μA
V
pF
ns
ns
反向恢复时间
典型特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有说明
100
T
j
= 100
°
C
P
合计
- 容许功耗（MW ）
1000
1000
800
600
400
200
0
0 20 40 60
80
100 120 140 160180 200
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
10
25
°
C
1
0.1
0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
18742
V
F
- 前进
电压
(V)
18743
图1.正向电流与正向电压
图3.容许功耗与环境温度
10000
r
f
- 动态正向电阻
(Ω)
T
j
= 25
°
C
F = 1千赫
1000
C
D
(V
R
)/C
D
(0
V)
- 相对电容（pF）
1.1
1.0
0.9
T
j
= 25
°
C
F = 1 MHz的
100
10
0.8
0.7
0
18664
1
0.01
18662
0.1
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
2
4
6
8
10
V
R
- 反向
电压
(V)
图2.动态正向电阻与正向电流
图4.相对电容与反向电压
www.vishay.com
2
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.3 ， 8月17日 - 10
1N4151W-V
威世半导体
10000
I
R
- 漏电流（ nA的）
1000
100
10
V
R
= 50
V
1
0 20
18744
40 60
80
100 120 140 160 180 200
T
j
- 结温（ ° C）
图5.漏电流与结温
100
I
I
FRM
- 容许重复
峰值正向电流（ A）
½
= t
p
/T
t
p
I
FRM
T = 1 /女
p
10
½
= 0
0.1
0.2
t
T
1
0.5
18709
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
- 脉冲宽度（S ）
10
-1
1
10
图6.容许重复峰值正向电流与脉冲持续时间
文档编号85721
修订版1.3 ， 8月17日 - 10
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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3
1N4151W-V
威世半导体
包装尺寸
以毫米（英寸）：
SOD-123
0.1 （ 0.004 ）最大。
1.35 (0.053)
8
°
0.45 (0.018)
0.25 (0.010)
0.5 （ 0.020 ）参考。
阴极
BAR
2.85 (0.112)
2.55 (0.100)
0.15 (0.006)
0.10 (0.004)
1 (0.039)
0.2 (0.008)
0到
贴装焊盘布局
0.85 (0.033)
0.85 (0.033)
0.65 (0.026)
0.45 (0.018)
3.85 (0.152)
3.55 (0.140)
1.40 (0.055)
1.7 (0.067)
2.5 (0.098)
第4版 - 日期： 2009年9月24
文件编号： S8 -V - 3910.01-001 （ 4 ）
17432
www.vishay.com
4
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修订版1.3 ， 8月17日 - 10
0.85 (0.033)
法律免责声明
www.vishay.com
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
1N4448WS-V
威世半导体
小信号的快速开关二极管
特点
这些二极管也可在其他
表壳款式包括DO- 35的情况下
同类型指定1N4448 ，则
MiniMELF情况与型号标识
LL4448和SOT-23的情况下与
型号命名IMBD4448 -V
硅外延平面二极管
快速开关二极管
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
20145
机械数据
案例：
SOD-323
重量：
约。 4.3毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
1N4448WS-V
订购代码
1N4448WS -V - GS18或1N4448WS -V- GS08
键入标记
A3
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值反向电压
平均整流电流的一半
波整流电阻
负载
正向电流浪涌
功耗
1)
测试条件
符号
V
R
V
RM
价值
75
100
150
1)
350
200
1)
单位
V
V
mA
mA
mW
f
≥
50赫兹
吨< 1 s和t
j
= 25 °C
I
F（ AV ）
I
FSM
P
合计
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号81387
修订版1.1 ， 12 - 8 - 10
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1
1N4448WS-V
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
650
1)
150
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
漏电流
测试条件
I
F
= 5毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
V
R
= 20 V ，T
j
= 150 °C
二极管电容
反向恢复时间
整流效率
V
F
= V
R
= 0 V
I
F
= 10 mA时，我
R
= 1毫安， V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω
F = 100兆赫，V
RF
= 2 V
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
C
D
t
rr
η½
0.45
分钟。
620
典型值。
马克斯。
720
1000
25
5
50
4
4
单位
mV
mV
nA
A
A
pF
ns
整流效率测量电路
60
Ω
V
RF
= 2
V
2 nF的
5 kΩ
V
O
17436
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2
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修订版1.1 ， 12 - 8 - 10
1N4448WS-V
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
10
3
1.1
10
2
T
j
= 100 °C
T
j
= 25 °C
1.0
T
j
= 25 °C
F = 1 MHz的
I
F
（MA ）
C
D
(0
V)
10
C
D
(V
R
)
0.9
1
0.8
10
- 1
0.7
10
18105
-2
0
1
2
17440
0
2
4
6
8
10
V
F
(V)
V
R
(V)
图1.正向特性
图4.相对电容与反向电压
10
4
5
2
T
j
= 25 °C
F = 1千赫
10
4
5
2
10
3
5
10
3
5
2
R
f
(Ω)
I
R
（ nA的）
2
10
2
5
2
10
2
5
2
10
5
2
10
5
2
V
R
= 20
V
1
10
17438
-2
10
-1
1
10
10
2
0
17441
100
200
I
F
（MA ）
T
j
(°C)
图2.动态正向电阻与正向电流
图5.漏电流与结温
250
P
合计
- 功耗（MW ）
200
150
100
50
0
0
20324
50
100
150
200
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图3.容许功耗与环境温度
文档编号81387
修订版1.1 ， 12 - 8 - 10
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3
1N4448WS-V
威世半导体
100
5
4
3
2
I
n
= t
P
/T
I
FRM
t
P
T
T = 1 /女
P
10
I
FRM
(A)
n
=0
0.1
0.2
0.5
5
4
3
2
t
1
5
4
3
2
0.1
10
-5
17442
2
5
10
-4
2
5
10
-3
2
5
10
-2
2
5
10
-1
2
5
1
2
5
10
t
P
(s)
图6.容许重复峰值正向电流与脉冲持续时间
包装尺寸
以毫米（英寸）：
SOD-323
1.15 (0.045)
0.8 (0.031)
0.2 (0.008)
0.40 (0.016)
0.25 (0.010)
1.95 (0.077)
1.60 (0.063)
阴极棒
0.40 (0.016)
0.20 (0.008)
2.85 (0.112)
2.50 (0.098)
足迹推荐：
0.6 (0.024)
1.5 (0.059)
1.1 (0.043)
0° 8
°
0.1 （ 0.004 ）最大。
0.15 (0.006)
0.10 (0.004)
0.6 (0.024)
1.6 (0.063)
17443
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修订版1.1 ， 12 - 8 - 10
0.6 (0.024)
文件编号： S8 -V - 3910.02-001 （ 4 ）
创建 - 日期： 24.August.2004
启5 - 日期： 23.Sept.2009
法律免责声明
www.vishay.com
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
1N4448WS-V
威世半导体
小信号的快速开关二极管
特点
这些二极管也可在其他
表壳款式包括DO35情况
e3
同类型指定1N4448 ，则
MiniMELF壳体与类型名称
灰LL4448 ，并且SOT23壳体与类型
指定IMBD4448 -V
硅外延平面二极管
快速开关二极管
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
20145
机械数据
案例：
SOD323塑料外壳
重量：
约。 4.3毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
1N4448WS-V
订购代码
1N4448WS -V - GS18或1N4448WS -V- GS08
键入标记
A3
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值反向电压
平均整流电流的一半
波整流电阻
负载
正向电流浪涌
功耗
1)
测试条件
符号
V
R
V
RM
价值
75
100
150
1)
单位
V
V
mA
f
≥
50赫兹
I
F（ AV ）
吨< 1 s和t
j
= 25 °C
I
FSM
P
合计
350
200
1)
mA
mW
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号81387
1.0版，04年09月06
www.vishay.com
1
1N4448WS-V
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
650
1)
150
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
漏电流
测试条件
I
F
= 5毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
V
R
= 20 V ，T
j
= 150 °C
二极管电容
反向恢复时间
整流效率
V
F
= V
R
= 0 V
I
F
= 10 mA时，我
R
= 1毫安， V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω
F = 100兆赫，V
RF
= 2 V
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
C
D
t
rr
η½
0.45
民
620
典型值。
最大
720
1000
25
5
50
4
4
单位
mV
mV
nA
A
A
pF
ns
整流效率测量电路
60
Ω
V
RF
= 2
V
2 nF的
5 kΩ
V
O
17436
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2
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威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
mA
10
3
1.1
10
2
T
j
= 25 °C
F = 1 MHz的
I
F
10
T
j
= 100 °C
T
j
= 25 °C
C
D
(V
R
)
C
D
(0
V)
1.0
0.9
1
0.8
10
-1
0.7
10
17437
-2
0
1
2
V
0
17440
2
4
6
8
10
V
V
F
V
R
图1.正向特性
图4.相对电容与反向电压
Ω
10
4
5
2
T
j
= 25 °C
F = 1千赫
nA
10
4
5
2
10
3
r
f
10
3
5
2
I
R
5
2
10
2
5
2
10
2
5
2
10
5
2
10
5
2
V
R
= 20
V
1
10
-2
17438
10
-1
1
10
10
2
mA
17441
0
100
200 °C
I
F
T
j
图2.动态正向电阻与正向电流
图5.漏电流与结温
250
P
合计
- 功耗（MW ）
200
150
100
50
0
0
20324
50
100
150
200
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图3.容许功耗与环境温度
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3
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威世半导体
A
100
5
4
3
2
I
v
= t
P
/T
I
FRM
v
=0
t
P
T
t
T = 1 /女
P
I
FRM
10
5
4
3
2
0.1
0.2
0.5
1
5
4
3
2
0.1
10
-5
17442
2
5
10
-4
2
5
10
-3
2
5
10
-2
2
5
10
-1
2
5
1
2
5
10 s
t
P
图6.容许重复峰值正向电流与脉冲持续时间
包装尺寸以毫米（英寸） ： SOD323
1.15 (0.045)
0.8 (0.031)
0.1 （ 0.004 ）最大
足迹推荐：
0.25 （ 0.010 ）分
1.95 (0.077)
1.60 (0.063)
阴极
BAR
0.15 (0.006)
0.10 (0.004)
0.6 (0.024)
0.6 (0.024)
0.40 (0.016)
0.20 (0.008)
2.85 (0.112)
2.50 (0.098)
文件编号： S8 -V - 3910.02-001 （ 4 ）
牧师03 - 日期：2004年08.November
17443
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4
1.5 (0.059)
1.1 (0.043)
1.6 (0.063)
0.6 (0.024)
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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