1N4448W-V
威世半导体
小信号的快速开关二极管
特点
硅外延平面二极管
快速开关二极管
e3
这个二极管也是其他可用
表壳款式包括DO- 35的情况下与类型
指定1N4448 ，则MiniMELF情况与
类型指定LL4448和SOT- 23的情况下
同类型指定IMBD4448
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17431
机械数据
案例：
SOD- 123塑料外壳
重量：
约。 9.3毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
1N4448W-V
订购代码
1N4448W -V - GS18或1N4448W -V- GS08
A3
键入标记
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值反向电压
平均整流电流的一半
波整流电阻
负载
浪涌电流
功耗
1)
测试条件
符号
V
R
V
RM
价值
75
100
150
1)
单位
V
V
mA
f
≥
50赫兹
I
F（ AV ）
吨< 1 s和t
j
= 25 °C
I
FSM
P
合计
500
500
1)
mA
mW
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85722
修订版1.3 ， 12日-12月05
www.vishay.com
1
1N4448W-V
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
储存温度
1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
350
1)
150
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
漏电流
测试条件
I
F
= 5毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
V
R
= 20 V ，T
J
= 150 °C
电容
反向恢复时间
整流效率
V
F
= V
R
= 0 V
I
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安，
V
R
= 6 V ，R
L
= 100
Ω
F = 100兆赫，V
RF
= 2 V
t
rr
η½
0.45
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
民
0.62
典型值。
最大
0.72
1
25
5
50
4
4
单位
V
V
nA
A
A
pF
ns
整改高效化测量
电路
60
Ω
V
RF
= 2 V
2 nF的
5 kΩ
V
O
17436
www.vishay.com
2
文档编号85722
修订版1.3 ， 12日-12月05
1N4448W-V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85722
修订版1.3 ， 12日-12月05
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
